如何評估IGBT模塊的損耗與結溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
文章總結了在IPOSIM中Rthha參數(shù),在兩電平和三電平應用中的定義與設置,以及一些常見的問題,期望對大家如何正確選取Rthha進行準確的IPOSIM仿真有所幫助。詳細閱讀>>
當有熱量在物體上傳輸時,在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值??梢岳斫鉃闊崃吭跓崃髀窂缴嫌龅降淖枇Γ从辰橘|或介質間的傳熱能力的大小,表明了 1W熱量所引起的 溫升大小,單位為 K/W或℃/W??梢杂靡粋€簡單的類比來解釋熱阻的意義,換熱量相當于電流,溫差相當于電壓,則熱阻相當于電阻。
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放大器參數(shù)的性能通常會受溫度影響,而溫度的變化來源包括環(huán)境溫度波動,以及芯片自身總功耗和散熱能力限制。其中放大器的總功耗包括靜態(tài)功耗、輸出級晶體管功耗,本篇將討論二者與熱阻參數(shù)對溫度影響的評估方法。詳細閱讀>>
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實際的應用中,DFN3*3、DFN5*6、SO8等封裝類型的貼片元件,都會在PCB板器件位置的底部鋪上一大片銅皮,然后器件底部框架的銅皮焊接在PCB的這一大片的銅皮上,加強散熱。理論上,PCB板銅皮鋪的面積越大,總熱阻就越低,器件的溫升就越低。詳細閱讀>>
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功率MOSFET的結溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命,數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來評估電路中功率MOSFET的結溫。本文主要來說明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動態(tài)熱阻的測量方法,以及它們的限制條件。詳細閱讀>>
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LED應用于照明除了節(jié)能外,長壽命也是其十分重要的優(yōu)勢。目前由于LED熱性能原因,LED及其燈具不能達到理想的使用壽命;LED在工作狀態(tài)時的結溫直接關系到其壽命和光效;熱阻則直接影響LED在同等使用條件下LED的結溫;LED燈具的導熱系統(tǒng)設計是否合理也直接影響燈具的壽命。因此功率型LED及其燈具的熱性能測試,對于LED的生產和應用研發(fā)都有十分直接的意義。詳細閱讀>>
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圖1為目前高功率LED封裝使用的結構, LED芯片會先封裝在導熱基板上,再打金線及封膠,這LED封裝結構體具備輕巧,高熱導及電路簡單等優(yōu)點,可應用在戶外及室內照明?;宓倪x擇中,氧化鋁 (Al2O3) 及硅 (Si) 都是目前市面上已在應用的材料,其中氧化鋁基板因是絕緣體,必須有傳導熱設計,藉由電鍍增厚銅層達75um;而硅是優(yōu)良導熱體,但絕緣性不良,必須在表面做絕緣處理。詳細閱讀>>
隨著對更小,更快和更高功率器件的持續(xù)工業(yè)趨勢,熱管理變得越來越重要。不僅設備趨向于小型化,而且安裝在其上的電路板也在縮小。將器件單元盡可能靠近地放置在更小的板上有助于降低整個系統(tǒng)尺寸和成本,并提高電氣性能。這些改善當然很重要,但從熱的角度來看,在減小尺寸的同時提高功率會帶來更多的散熱挑戰(zhàn)。正是這種"功率密度"的提高推動了業(yè)界對熱管理的高度重視。
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