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干貨

模擬開關(guān)通常用于音頻系統(tǒng)中，以切換低電平輸入或調(diào)整音頻濾波器特性。選擇合適的模擬開關(guān)有助于在設(shè)計人員的成本預(yù)算范圍內(nèi)優(yōu)化系統(tǒng)的總諧波失真（THD）。

模擬開關(guān)基礎(chǔ)及選型

模擬開關(guān)，是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān)，主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和使用壽命長等特點，在各種自動控制系統(tǒng)和電子數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用。詳細(xì)閱讀>>

如何評測模擬開關(guān)？

目前我手邊正在進行的項目是打造一款機載軍事服務(wù)對講機，它具有許多不同的信號路徑和隔離要求——簡單來說，該設(shè)備與其他任何東西的隔離度都必須優(yōu)于100dB。由于涉及信號切換操作，因此當(dāng)其信號路徑應(yīng)該關(guān)斷時，我們就需要表征開關(guān)隔離特性。詳細(xì)閱讀>>

全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全新的專用于監(jiān)測和保護1.8 V電子系統(tǒng)的4通道和8通道模擬開關(guān)系列產(chǎn)品。該系列多路復(fù)用器包含適用于汽車應(yīng)用的AEC-Q100認(rèn)證型號，以及適用于更廣泛的消費類和工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)版本，例如用于傳感器監(jiān)測與診斷、企業(yè)計算以及家用電器等場景。詳細(xì)閱讀>>

最大限度地減少音頻系統(tǒng)中模擬開關(guān)的總諧波失真

模擬開關(guān)通常用于音頻系統(tǒng)中，以切換低電平輸入或調(diào)整音頻濾波器特性。選擇合適的模擬開關(guān)有助于在設(shè)計人員的成本預(yù)算范圍內(nèi)優(yōu)化系統(tǒng)的總諧波失真（THD）。詳細(xì)閱讀>>

選型絕招：教你選擇"合適"的CMOS模擬開關(guān)

如今集成式模擬開關(guān)提供了更好的開關(guān)特性、更低及更高的電源電壓，以及應(yīng)用相關(guān)的設(shè)計。無論是性能指標(biāo)還是特殊功能都可提供多種選擇，這使得CMOS模擬開關(guān)的選擇困難重重，本文將為你介紹當(dāng)今可供使用的多種模擬開關(guān)的基礎(chǔ)知識，堪稱設(shè)計指南，讓有經(jīng)驗的產(chǎn)品設(shè)計人員帶你挑選到最合適的開關(guān)產(chǎn)品。詳細(xì)閱讀>>

實用技巧分享：為特定的模擬開關(guān)構(gòu)建宏模型

如果我的模擬設(shè)計中包含開關(guān)和多路復(fù)用器，那么還能改進開關(guān)/多路復(fù)用器LTspice?模型嗎？當(dāng)然能，要生成自己的模型并不困難。本文將以工程師角度為您詳細(xì)介紹如何為特定的模擬開關(guān)構(gòu)建不錯的宏模型，以及如何獲取參數(shù)，為實現(xiàn)物理器件的多個不同的半導(dǎo)體工藝提供支持。詳細(xì)閱讀>>

經(jīng)典案例

用過壓故障保護模擬開關(guān)代替分立保護器件

設(shè)計具有魯棒性的電子電路較為困難，通常會導(dǎo)致具有大量分立保護器件的設(shè)計的相關(guān)成本增加、時間延長、空間擴大。本文將討論故障保護開關(guān)架構(gòu)，及其與傳統(tǒng)分立保護解決方案相比的性能優(yōu)勢和其他優(yōu)點。詳細(xì)閱讀>>

采用SPI接口的模擬開關(guān)提高通道密度

設(shè)計一個要求高通道密度的系統(tǒng)時，例如在測試儀器儀表中，電路板上通常需要包括大量開關(guān)。當(dāng)使用并行接口控制的開關(guān)時，控制開關(guān)所需的邏輯線路以及用于生成GPIO控制信號的串行轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器會占用很大比例的板空間。詳細(xì)閱讀>>

利用模擬開關(guān)實現(xiàn)555自激振蕩器的脈沖轉(zhuǎn)換

本設(shè)計實例描述一種新方法，用一只基于555定時器的自激振蕩器產(chǎn)生一個占空比可變波形。該電路有寬的調(diào)制范圍，可在很寬的占空比值范圍內(nèi)作高度線性化控制，出色的線性使它適合基于 PWM（脈沖寬度調(diào)制）的控制應(yīng)用。詳細(xì)閱讀>>

我們已經(jīng)了解了如何為特定的模擬開關(guān)構(gòu)建不錯的宏模型以及如何獲取參數(shù)，為實現(xiàn)物理器件的多個不同的半導(dǎo)體工藝提供支持，得出的宏模型具有一些缺陷，例如導(dǎo)通電阻及其差異、與電源和信號電平呈函數(shù)關(guān)系的電荷注入、寄生電容和其在電壓范圍內(nèi)的變化差異、邏輯接口延遲和泄漏等。我們希望宏模型對于模擬開關(guān)的實際性能仿真會有所幫助。