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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。
2025-03-09
SiC JFET并聯(lián)
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工業(yè)自動(dòng)化中的 Raspberry Pi：簡化經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的邊緣計(jì)算
工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)（見下圖）的關(guān)鍵組成部分包括傳感器、控制器、執(zhí)行器、人機(jī)界面 (HMI)、通信網(wǎng)絡(luò)、電源、驅(qū)動(dòng)器和安全系統(tǒng)。傳感器負(fù)責(zé)檢測環(huán)境變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)?？删幊踢壿嬁刂破?(PLC) 和工業(yè)個(gè)人計(jì)算機(jī) (IPC) 等控制器負(fù)責(zé)處理來自傳感器的輸入信號(hào)，并通過執(zhí)行控制算法來管理執(zhí)行器的操作。
2025-03-06
工業(yè)自動(dòng)化 Raspberry Pi 邊緣計(jì)算
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泰克自動(dòng)化接收器測試方案，提升PCIe測試驗(yàn)證精度與效率
近二十年來，PCI Express技術(shù)已成為廣泛采用的高速串行接口連接標(biāo)準(zhǔn)。最新的 PCIe規(guī)范滿足了數(shù)據(jù)密集型市場的需求，例如人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)和高性能計(jì)算。泰克PCIe 自動(dòng)化測試解決方案能夠處理設(shè)置和校準(zhǔn)，顯著降低了測試復(fù)雜性。與低噪音測量硬件相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確且可重復(fù)的信號(hào)完整性測量...
2025-02-24
泰克 自動(dòng)化接收器 PCIe測試
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盤點(diǎn)電機(jī)控制器用到的主要電子元器件與實(shí)戰(zhàn)方案
電機(jī)控制器的硬件通常分為控制板和驅(qū)動(dòng)板?？刂瓢逯饕ㄖ骺匦酒AN網(wǎng)絡(luò)、采樣電路、旋變電路和電源電路等。下文將詳細(xì)介紹電機(jī)控制器主要用到的電子元器件，并分享一些已量產(chǎn)的伺服電機(jī)控制方案及其技術(shù)實(shí)現(xiàn)方式，以作參考。
2025-02-24
電機(jī)控制器 電子元器件
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可再生電力：道達(dá)爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國供電1.5億千瓦時(shí)
道達(dá)爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實(shí)體購電協(xié)議，為意法半導(dǎo)體位于法國的工廠供應(yīng)可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購電量為 1.5 億千瓦時(shí) (TW...
2025-02-18
可再生電力 道達(dá)爾能源 意法半導(dǎo)體
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)
低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對(duì)于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。
2025-02-14
低壓電源 MOSFET
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如何防止掉電狀況下的系統(tǒng)出錯(cuò)？
嵌入式系統(tǒng)等需要進(jìn)行大量計(jì)算和數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用，通常使用微控制器、微處理器和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等器件來執(zhí)行復(fù)雜的計(jì)算例程，因?yàn)檫@些器件具有多功能性、高速度和靈活性。然而，這些推薦使用的器件也存在限制和不同的電源要求，如果在系統(tǒng)開發(fā)的早期階段未加考慮，系統(tǒng)的性能和可靠性可能會(huì)...
2025-01-17
掉電狀況 系統(tǒng)出錯(cuò)
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IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些，...
2025-01-16
IGBT 并聯(lián) 靜態(tài)變化 動(dòng)態(tài)變化 熱系數(shù)
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用于狀態(tài)監(jiān)測的振動(dòng)傳感器
機(jī)械振動(dòng)可能由于內(nèi)部或外部因素而發(fā)生。內(nèi)部因素是機(jī)器條件所固有的。內(nèi)部因素的例子有磨損、不平衡力和共振。當(dāng)齒輪、滾柱軸承和傳動(dòng)皮帶等高強(qiáng)度運(yùn)動(dòng)部件磨損時(shí)，磨損會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)。不平衡力可能是由于機(jī)器軸未對(duì)準(zhǔn)或旋轉(zhuǎn)軸周圍的重量不平衡造成的。共振是一種可以放大振動(dòng)的現(xiàn)象。當(dāng)一個(gè)物體的振...
2025-01-13
狀態(tài)監(jiān)測 振動(dòng)傳感器
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