全差分放大器為精密數(shù)據(jù)采集信號鏈提供高壓低噪聲信號

全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出，其輸出共模由直流(DC)輸入電壓獨立控制，主要用在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉換的前端，用于將信號調(diào)理為合適的電平以供下一級（通常是模數(shù)轉換器(ADC)）使用。FDA一般采用單芯片設計，電源電壓較小，因此輸出動態(tài)范圍有限。本文將介紹具有可調(diào)共模輸出的高壓低...

2024-11-07

全差分放大器  數(shù)據(jù)采集  信號鏈  低噪聲信號

利用單片機實現(xiàn)復雜的分立邏輯

開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機中的可配置邏輯模塊（CLB）外設實現(xiàn)硬件中復雜的分立邏輯功能，從而精簡物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。

2024-11-07

單片機  分立邏輯

從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求

在人工智能大型模型和邊緣智能領域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM...

2024-11-06

富士通  RAMXEED  FeRAM  邊緣智能  數(shù)據(jù)存儲

意法半導體生物感測創(chuàng)新技術賦能下一代智能穿戴個人醫(yī)療健身設備

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運動手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導體的經(jīng)過市場檢驗的慣性傳...

2024-11-06

意法半導體  生物感測  穿戴設備  醫(yī)療健身設備

為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護航

如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡技術的演變，并解釋消費以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護以太網(wǎng)網(wǎng)絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...

2024-11-06

以太網(wǎng)  工業(yè)環(huán)境

第8講：SiC外延生長技術

SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。

2024-11-06

SiC  外延生長技術

二極管的單向導電性和伏安特性曲線說明

二極管的正、反向特性與生活中的開門類似:當你從室外推門(門是室內(nèi)開的)時，如果力很小，門是推不開的，只有力氣較大時，門才能被推開，這與二極管加正向電壓,只有達到門電壓才能導通相似;當你從室內(nèi)往外推門時，是很難推開的，但如果推門的力氣非常大，門也會被推開，不過門被開的同時一般也就損壞...

2024-11-06

二極管  向導電性  伏安特性

如何使用GaNFET設計四開關降壓－升壓DC－DC轉換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術，有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。

2024-11-06

GaNFET  DC－DC轉換器  降壓  升壓

匯聚智造大咖，共探智能工業(yè)未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點全揭秘！

倒計時兩天！備受矚目的AMTS & AHTE South China 2024即將于2024年11月6日在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大開幕！為期三天，六展聯(lián)袂，3,500+展商，140,000㎡面積，15萬+觀眾，邀您一同解鎖這場華南地區(qū)汽車技術、工程及工業(yè)裝配行業(yè)盛宴！

2024-11-05