中心議題:
- 電磁兼容新進(jìn)展
- 無源EMI濾波器性能改善設(shè)計(jì)
- EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)
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開關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢(shì),使EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力!本文介紹EMI濾波器的常見問題、發(fā)展趨勢(shì)及改善EMI濾波器性能的辦法;從濾波器L/C器件性能影響因素、L磁飽和/頻率的影響、 LC溫度的影響、濾波器L/C器件雜散耦合的影響、寄生參數(shù)/耦合的抑制五大方面分析無源EMI濾波器高頻性能的改善方案;并介紹了平面集成設(shè)計(jì)(電磁集成;電容、電感集成)及混合集成設(shè)計(jì)兩大EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)。
一、電磁兼容新進(jìn)展
開關(guān)電源三高一低的發(fā)展趨勢(shì),EMI濾波器面臨著持續(xù)改進(jìn)壓力!
EMI濾波器應(yīng)達(dá)到高衰減性能、小體積、低成本。
EMI濾波器的常見問題:
- 低頻傳導(dǎo)發(fā)射高
- 高頻傳導(dǎo)/輻射發(fā)射高
- 體積大
影響EMI濾波器性能/體積的因素:
- L、C最小否? 從主電路結(jié)構(gòu)、控制及頻率方面來看LC對(duì)濾波器的性能影響
- 拓?fù)鋬?yōu)化否?拓?fù)涫欠駜?yōu)化要看阻抗失配的情況如何。
- 材料影響否? 對(duì)于材料,主要考慮的是磁芯Bs/u’+ju’’
- 寄生/耦合影響否?對(duì)于元器件之間的寄生/耦合作用是否影響濾波器的性能,主要是從器件工藝/布局方面來考慮,通過優(yōu)化器件的布局來盡量減少影響作用,提高性能。
改善濾波器性能/體積的可能方法:
- 低通濾波器的精細(xì)設(shè)計(jì)
- 新型濾波器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
二. 無源EMI濾波器性能改善設(shè)計(jì)
無源LC反射濾波或吸收濾波,可覆蓋150kHz-1GHz。
•EMI濾波器應(yīng)處于阻抗失配狀態(tài)
•電感、電容應(yīng)有足夠的電壓、電流容量
•Ldm電感、Cx、Cy電容有最大值限制
如何選擇EMI濾波器拓?fù)洌?br />
電感
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改進(jìn)方案
短管腳并小容值電容PCB引線也要短
加大匝間距漸進(jìn)繞組
L磁飽和/頻率的影響
高飽和密度磁芯 合適橫截面積
選擇寬帶磁材料、u"大的材料更適合高頻
LC溫度的影響
濾波器L/C器件雜散耦合的影響
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寄生參數(shù)/耦合的抑制
電感EPC的抑制
電容ESL抑制
耦合的抑制
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EMI濾波器小型化設(shè)計(jì)技術(shù)
EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小、電感與電容體積影響,通過采用新型磁材料、平面化集成設(shè)計(jì)、混合濾波器設(shè)計(jì)的方式,可以有效減小其體積。
平面集成設(shè)計(jì)
平面電磁集成化
平面集成電容、電感集成
混合集成化
小結(jié):EMC標(biāo)準(zhǔn)的提升,要求抑制器件的高頻性能進(jìn)一步提升;EMI的小型化主要受電源原始噪聲大小、電感與電容體積影響,通過采用新型磁材料、平面化集成設(shè)計(jì)、混合濾波器設(shè)計(jì)等方式,可以有效減小其體積。