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可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法

發(fā)布時間:2018-12-20 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)結(jié)構(gòu)靜電防護器件由于其自身的正反饋機制,具有單位面積泄放電流高、導(dǎo)通電阻小、魯棒性強、防護級別高的優(yōu)點,但同時它還引入了觸發(fā)電壓高響應(yīng)速度慢、維持電壓低易閂鎖的缺點。
 
可控硅器件能夠以較小的版圖面積獲得較高ESD防護等級,因此,此類器件已在集成電路片上靜電防護中占有一席之地。但是在深亞微米CMOS工藝中SCR器件仍然具有高的開啟電壓的缺點,觸發(fā)電壓一般高于20V,且高于輸入級的柵氧化層擊穿電壓。隨著工藝水平的不斷進步,柵氧化層的厚度不斷減小,擊穿電壓進一步降低,因此,避免內(nèi)核電路薄柵氧化層器件永久損壞的必要措施是減小SCR器件開啟電壓提高開啟速度。如圖1所示為簡單橫向SCR器件剖面圖,針對此結(jié)構(gòu)降低觸發(fā)電壓的器件結(jié)構(gòu)有MLSCR和LVTSCR;針對此結(jié)構(gòu)提高開啟速度的一般方法是采用輔助觸發(fā)電路,例如,柵極耦合技術(shù)、熱載流子觸發(fā)技術(shù)、襯底觸發(fā)技術(shù)、雙觸發(fā)技術(shù)等。本文介紹幾種降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法。
 
可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
圖1 簡單橫向SCR器件剖面圖
 
1、改進型SCR(Modified Lateral SCR,MLSCR)
 
如圖2所示,MLSCR通過在N阱/P阱的結(jié)面上增加N+擴散區(qū)來降低此結(jié)的雪崩擊穿電壓。通過此法可將開啟電壓降低到12V,但還不足以保護輸入級的薄柵氧化層,因此,MLSCR與LSCR一樣需要與二級保護器件配合來實現(xiàn)輸入級的靜電保護。當然,由于其開啟電壓的降低,二級保護器件的版圖面積可以減小。而對于輸出級,由于兩級ESD保護會給正常工作下的電路帶來信號延時,LSCR和MLSCR一般不用于輸出級的靜電保護。
 
可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
圖2 MLSCR器件剖面圖
 
2、低觸發(fā)電壓SCR(Low-Voltage Triggering SCR,LVTSCR)
 
如圖3所示,LVTSCR通過在結(jié)構(gòu)中嵌入一個NMOS將器件開啟電壓降低到約7V,與短溝NMOS的漏擊穿電壓或穿通電壓相近。此器件可獨立使用作為CMOS集成電路的輸入級ESD保護,極大地減小了ESD保護電路的版圖實現(xiàn)面積。而作為輸出級保護時,需要在LVTSCR和輸出級之間加入小的串聯(lián)電阻以保證ESD保護的有效性。
 
可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
圖3 LVTSCR器件剖面圖
 
3、柵極耦合的LVTSCR(Gate-Coupled LVTSCR)
 
如圖4所示為互補型柵極耦合LVTSCR,此器件采用非雪崩擊穿機制來開啟。通過合理設(shè)置Cn和Cp的電容值,可以使耦合到柵上的電壓在電路正常工作狀態(tài)下小于內(nèi)嵌NMOS/PMOS的閾值電壓,而在ESD應(yīng)力到來時大于內(nèi)嵌NMOS/PMOS的閾值電壓。LVTSCR的開啟電壓可以通過調(diào)整內(nèi)嵌NMOS/PMOS柵極的耦合電壓來設(shè)置。耦合電壓越大,LVTSCR的開啟電壓越低,快速開啟的LVTSCR可有效保護輸入/輸出級。
 
可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
圖4 柵極耦合的 LVTSCR器件結(jié)構(gòu)
 
4、襯底觸發(fā)SCR(Substrate-Triggered SCR,STSCR)
 
如圖5所示為P型和N型襯底觸發(fā)SCR器件,它們分別通過在傳統(tǒng)LSCR器件中加入P+或N+擴散區(qū)作為觸發(fā)節(jié)點。襯底觸發(fā)SCR器件的開啟機制屬于電流觸發(fā)事件。當電流被加在SCR器件的襯底,也即寄生三極管的基極時,SCR可以快速觸發(fā)并進入閂鎖狀態(tài)。隨著襯底觸發(fā)電流的增大,開啟電壓下降、開啟時間縮短。當然,此器件的應(yīng)用需要外加RC偵測電路。
 
可控硅結(jié)構(gòu)靜電防護器件降低觸發(fā)電壓提高開啟速度的方法
圖5 襯底觸發(fā)的SCR器件結(jié)構(gòu)
 
 
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