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不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?

發(fā)布時(shí)間:2021-09-03 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】電路設(shè)計(jì)其實(shí)也可以很有趣。先說(shuō)一說(shuō)這個(gè)電路的用途:當(dāng)兩個(gè)MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1工作電壓5V;MCU2工作電壓3.3V),那么MCU1與MCU2之間怎樣進(jìn)行串口通信呢?很明顯是不能將對(duì)應(yīng)的TX、RX引腳直接相連的,否測(cè)可能造成較低工作電壓的MCU燒毀!下面的“電平雙向轉(zhuǎn)換電路”就可以實(shí)現(xiàn)不同VDD(芯片工作電壓)的MCU之間進(jìn)行串口通信。
 
不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?
 
該電路的核心在于電路中的MOS場(chǎng)效應(yīng)管(2N7002)。他和三極管的功能很相似,可做開(kāi)關(guān)使用,即可控制電路的通和斷。不過(guò)比起三極管,MOS管有挺多優(yōu)勢(shì),后面將會(huì)詳細(xì)講起。下圖是MOS管實(shí)物3D圖和電路圖。簡(jiǎn)單的講,要讓他當(dāng)做開(kāi)關(guān),只要讓Vgs(導(dǎo)通電壓)達(dá)到一定值,引腳D、S就會(huì)導(dǎo)通,Vgs沒(méi)有達(dá)到這個(gè)值就截止。
 
不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?
 
那么如何將2N7002應(yīng)用到上面電路中呢,又起著什么作用呢?下面我們來(lái)分析一下。
 
不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?
 
如果沿著a、b兩條線,將電路切斷。那么MCU1的TX引腳被上拉為5V,MCU2的RX引腳也被上拉為3.3V。2N7002的S、D引腳(對(duì)應(yīng)圖中的2、3引腳)截止就相當(dāng)于a、b兩條線,將電路切斷。也就是說(shuō),此電路在2N7002截止的時(shí)候是可以做到,給兩個(gè)MCU引腳輸送對(duì)應(yīng)的工作電壓。
 
下面進(jìn)一步分析:
 
不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?
 
1.MCU1 TX發(fā)送高電平(5V),MCU2 RX配置為串口接收引腳,此時(shí)2N7002的S、D引腳(對(duì)應(yīng)圖中的2、3引腳)截止,2N7002里面的二極管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉為3.3V。
 
2.MCU1 TX發(fā)送低電平(0V),此時(shí)2N7002的S、D引腳依然截止,但是2N7002里面的二極管2-->3方向通,即VCC2、R2、2N7002里的二極管、MCU1 TX組成一個(gè)回路。2N7002的2引腳被拉低,此時(shí)MCU2 RX為0V。該電路從MCU1到MCU2方向,數(shù)據(jù)傳輸,達(dá)到了電平轉(zhuǎn)換的效果。
 
接下來(lái)分析
 
不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?
 
1.MCU2 TX發(fā)送高電平(3.3V),此時(shí)Vgs(圖中1、2引腳電壓差)電壓差約等于0,2N7002截止,2N7002里面的二極管3-->2方向不通,此時(shí)MCU1 RX引腳被VCC1上拉為5V。
 
2.MCU2 TX發(fā)送低電平(0V),此時(shí)Vgs(圖中1、2引腳電壓差)電壓差約等于3.3V,2N7002導(dǎo)通,2N7002里面的二極管3->2方向不通,VCC1、R1、2N7002里的二極管、MCU2 TX組成一個(gè)回路。2N7002的3引腳被拉低,此時(shí)MCU1 RX為0V。
 
該電路從MCU2到MCU1方向,數(shù)據(jù)傳輸,達(dá)到了電平轉(zhuǎn)換的效果。
 
到此,該電路就分析完了,這是一個(gè)雙向的串口電平轉(zhuǎn)換電路。
 
MOS的優(yōu)勢(shì):
 
1、場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似,圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳,圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。
 
不同的電平信號(hào)的MCU如何進(jìn)行串口通信?
 
2、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由VGS控制ID,普通的晶體三極管是電流控制電流器件,由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。
 
3、場(chǎng)效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的,不產(chǎn)生電流;而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。
 
4、場(chǎng)效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。
 
5、場(chǎng)效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí),源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大,而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),其特性差異很大,b值將減小很多。
 
6、場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。
 
7、場(chǎng)效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路,但是場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝簡(jiǎn)單,并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性,在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管,目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,已經(jīng)廣泛的采用場(chǎng)效應(yīng)管。
 
8、輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率?。河捎跂旁粗g是二氧化硅(SiO2)絕緣層,柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻,一般達(dá)100MΩ左右,交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高,對(duì)激勵(lì)信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生壓降,有電壓就可以驅(qū)動(dòng),所以驅(qū)動(dòng)功率極?。`敏度高)。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb,再產(chǎn)生基極電流Ib,才能驅(qū)動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動(dòng)是需要功率的(Vb×Ib)。
 
9、開(kāi)關(guān)速度快:MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系,由于輸入容性特性的存在,使開(kāi)關(guān)的速度變慢,但是在作為開(kāi)關(guān)運(yùn)用時(shí),可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻,加快開(kāi)關(guān)速度(輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動(dòng),加快了容性的充放電的時(shí)間)。MOSFET只靠多子導(dǎo)電,不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng),因而關(guān)斷過(guò)程非常迅速,開(kāi)關(guān)時(shí)間在10—100ns之間,工作頻率可達(dá)100kHz以上,普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng),使開(kāi)關(guān)總有滯后現(xiàn)象,影響開(kāi)關(guān)速度的提高(目前采用MOS管的開(kāi)關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S~150K/S,這對(duì)于普通的大功率晶體三極管來(lái)說(shuō)是難以想象的)。
 
10、無(wú)二次擊穿:由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升(正的溫度~電流特性)的現(xiàn)象,而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升,溫度進(jìn)一步的上升,更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降,這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降最終導(dǎo)致晶體三極管的擊穿,這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象,也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度~電流特性,即當(dāng)管溫度(或環(huán)境溫度)上升時(shí),溝道電流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOS FET開(kāi)關(guān)管,當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí),在250C溫度下IDS=3A,當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí),IDS降低到2A,這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性,使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象,可見(jiàn)采用MOS管作為開(kāi)關(guān)管,其開(kāi)關(guān)管的損壞率大幅度的降低,近兩年電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后,開(kāi)關(guān)管損壞率大大降低也是一個(gè)極好的證明。
 
11、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性:普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是,幾乎是直通,有一個(gè)極低的壓降,稱為飽和壓降,既然有一個(gè)壓降,那么也就是;普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻,但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻(電阻上的電壓和流過(guò)的電流不能符合歐姆定律),而MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用,在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻,但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線性電阻,其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過(guò)的電流符合歐姆定律的關(guān)系,電流大壓降就大,電流小壓降就小,導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線性元件,線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用,當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起,就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用,所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候,可以多管并聯(lián)應(yīng)用,且不必另外增加平衡措施(非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的)。
 
來(lái)源:傳感器技術(shù)
 
 
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