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歐姆龍G6K-Y表面安裝繼電器在中國(guó)量產(chǎn)
歐姆龍電子部品中國(guó)統(tǒng)轄集團(tuán)近日正式宣傳，世界最小級(jí)別封裝面積和高度的表面安裝繼電器從四月起在中國(guó)量產(chǎn)，產(chǎn)品高5.2mm×寬6.5mm×長(zhǎng)10mm的超小型，適用于高密度封裝，與業(yè)界相當(dāng)品實(shí)現(xiàn)最低功耗100mW。
2010-04-19
歐姆龍 繼電器 表面安裝
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應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
2010-04-19
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
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2011年車(chē)燈市場(chǎng)LED尾燈成長(zhǎng)最強(qiáng)勁
由于車(chē)燈市場(chǎng)發(fā)展也進(jìn)入成熟期，先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車(chē)燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車(chē)燈市場(chǎng)規(guī)模132億美元，到2011年可望成長(zhǎng)到150億美元規(guī)模。其中，LED車(chē)燈市場(chǎng)規(guī)模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì)，到2011年全球LED車(chē)燈市場(chǎng)規(guī)模將可成長(zhǎng)到12億美元，LED車(chē)燈市場(chǎng)滲透率上看8%，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)13%。
2010-04-19
車(chē)燈市場(chǎng) LED尾燈 強(qiáng)勁 滲透率
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安華高科技推出適合固態(tài)照明應(yīng)用的超小型封裝3W高功率LED
ASMT-Jx32提供有140o的寬廣視角，可以滿足需要良好色彩一致性的設(shè)計(jì)需求，Avago的3W產(chǎn)品是一款可以處理高溫和承受高驅(qū)動(dòng)電流的高性能LED，ASMT-Jx32擁有135oC的最高結(jié)溫，為照明設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活度。
2010-04-19
固態(tài)照明 超小型 高功率LED 安華高
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東京農(nóng)工大學(xué)開(kāi)發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開(kāi)發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱(chēng)，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買(mǎi)1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護(hù)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)
2011年，市場(chǎng)預(yù)測(cè)預(yù)測(cè)表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機(jī)和汽車(chē)電子市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過(guò)流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場(chǎng)重心將偏向汽車(chē)和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價(jià)值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過(guò)流保護(hù) 過(guò)壓保護(hù) 電路保護(hù)
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門(mén)中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結(jié)論來(lái)源于Bernreuter信息研究公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Bernreuter研究）今日發(fā)布的最新研究報(bào)告《太陽(yáng)能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料，但在該市場(chǎng)于2009年轉(zhuǎn)至供過(guò)于求的狀態(tài)之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
多晶硅 面臨 大幅震蕩 Bernreuter
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