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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征，設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構，通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數(shù)，并設計了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數(shù)，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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CDS2C05HDMI1/CDS3C05HDMI：EPCOS高速數(shù)據(jù)線ESD防護CeraDiode
愛普科斯現(xiàn)可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes，其特點是標準值為0.6pF的極低的電容值。因此，該類產(chǎn)品適合于高速數(shù)據(jù)線的ESD防護，如USB、以太網(wǎng)、Firewire、eSATA和HDMI。
2008-10-11
ESD防護 CeraDiode CDS2C05HDMI1 CDS3C05HDMI
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霍爾效應技術提供緊湊型電流測量傳感器
通常測量3-20A范圍內(nèi)電流的方法主要有以下兩種：采用電阻分流器的傳統(tǒng)測量方法，和使用電流傳感器。新的研發(fā)隊伍融合了兩家公司的專業(yè)經(jīng)驗，已經(jīng)重新設計了日本最暢銷的產(chǎn)品SY系列，并把它發(fā)展成為HX系列。
2008-10-11
霍爾效應 LEM SY HX
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電流型熱電偶溫度變送器的設計
在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對溫度的監(jiān)控作用。本文主要開發(fā)設計出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補償
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基于以太網(wǎng)的分布式溫濕度智能監(jiān)控系統(tǒng)
對現(xiàn)有多種傳統(tǒng)溫濕度監(jiān)控系統(tǒng)進行了研究，發(fā)現(xiàn)其多采用RS485傳輸方式，具有控制范圍小和布線繁瑣等局限性。為構建大規(guī)模跨地域的溫濕度監(jiān)控系統(tǒng)，采用將以太網(wǎng)技術與傳統(tǒng)溫濕度監(jiān)控系統(tǒng)相結合的方法及軟硬件協(xié)同設計的思想，研制出了一種模塊化可裁減、基于以太網(wǎng)的分布式智能溫濕度監(jiān)控系統(tǒng)。實踐...
2008-10-11
溫濕度監(jiān)控 遠程控制 以太網(wǎng) 分布式
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IGBT驅(qū)動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現(xiàn)的一種復合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點集于一身：輸入阻抗高，開關頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關電源，弧焊電源等領域得到廣泛地應用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅(qū)動電路 過流檢測
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DC/DC拓撲的分類和選擇標準
為了提高電力電子產(chǎn)品設計者選擇DC/DC拓撲的準確性和快速性，分析了現(xiàn)有市場上主流的通信、電腦用電源中DC/DC的應用特點，從電氣規(guī)格出發(fā)提出了電力電子產(chǎn)品設計中DC/DC變換器的電路拓撲選擇的四大標準。 輸入電壓高低決定是否采用軟開關；輸出電壓高低決定是否采用同步整流；輸入輸出電壓變換范圍...
2008-10-11
直流直流 經(jīng)典拓撲 選擇標準 DC/DC ZVS
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解決拖影現(xiàn)象是LCD技術發(fā)展的持續(xù)目標
本文先闡述液晶的拖影現(xiàn)象，接著敘述廠商改善拖影現(xiàn)象四大方面去著手，分別是無限制提升畫面響應時間、改善背光控制手段、倍頻刷新與畫面插黑技術、高色域技術。
2008-10-11
液晶屏幕 拖影 響應時間 高色域
- 授權代理商貿(mào)澤電子供應Same Sky多樣化電子元器件
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