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這周五的上海很熱！原來將有3萬多名觀眾齊聚AI視覺盛宴“WAIE 2019” 3天倒計時
隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、超級計算、智能制造、腦科學(xué)等新理論、新技術(shù)在整個經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展中呈現(xiàn)一片繁榮態(tài)勢，人工智能理論研究和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用取得了長足地進(jìn)步，科研碩果累累，大批優(yōu)秀人工智能企業(yè)快速發(fā)展。
2019-08-08
移動互聯(lián)網(wǎng) 智能制造 AI視覺
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電容器的發(fā)熱特性
我們一般討論電容的時候會關(guān)注電容的溫度特性，即：溫度對容值等參數(shù)的影響。但是我們知道電容本身也是會發(fā)熱的：只要有電阻，又有電流，就會有電能轉(zhuǎn)化為熱能。
2019-08-07
電容器 發(fā)熱
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殊途同歸，從兩個角度解釋電容退耦原理
采用電容退耦是解決電源噪聲問題的主要方法。這種方法對提高瞬態(tài)電流的響應(yīng)速度，降低電源分配系統(tǒng)的阻抗都非常有效。
2019-08-07
電容 退耦 原理
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溫度測量：如何消除線阻抗引入的誤差？
工業(yè)現(xiàn)場環(huán)境復(fù)雜，傳感器距離控制器往往很遠(yuǎn)，對于測溫傳感器PT100，傳感器阻值變化0.385Ω/℃，因此過長導(dǎo)線的線阻抗不可忽視，消除導(dǎo)線引來的測量誤差，是提高PT100測量精度必須解決的問題。
2019-08-06
溫度測量 線阻抗 誤差
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當(dāng)電子元件性能下降，如何保護(hù)您的模擬前端？
EOS是一個通用術(shù)語，表示因為過多的電子通過相應(yīng)路徑試圖進(jìn)入電路，導(dǎo)致系統(tǒng)承受過大壓力。有一點需要注意，這是一個隨功率和時間變化的函數(shù)。
2019-08-06
電子元件 性能下降 模擬前端
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至萬分之一, 因此通常用分貝(dB)來表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
屏蔽 效能分析
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耦合與退耦，上拉與下拉！
耦合指信號由第一級向第二級傳遞的過程，一般不加注明時往往是指交流耦合。退耦是指對電源采取進(jìn)一步的濾波措施，去除兩級間信號通過電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級輸入阻抗值乘積對應(yīng)的時間常數(shù)。
2019-08-06
耦合 退耦 上拉 下拉
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。
2019-08-05
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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MOS管簡介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
MOS管 判定電極 放大能力
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