PTFB系列的產(chǎn)品特性：

• 單管輸出功率高達300W
• 支持高峰值對均值功率比
• 支持高數(shù)據(jù)傳輸速率規(guī)格
• 開放式共振腔陶瓷封裝
• 無鉛并符合ROHS規(guī)格

PTFB系列的應用范圍：

• 可供設計寬頻無線網(wǎng)絡基站
• 有助于設計Doherty放大器
• 應用在WCDMA信號設備

英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一，其前身是西門子集團的半導體部門。在中國，英飛凌先進的半導體解決方案已廣泛應用于各個領域，該公司憑借其雄厚的技術實力和全球領先的經(jīng)驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內(nèi)領先廠商展開深入合作，為中國電子行業(yè)的騰飛做出應有的貢獻。

在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管方面，英飛凌立足于最先進的LDMOS工藝技術和改善散熱性能的封裝，這家公司可制造門類齊全的RF功率晶體管和芯片產(chǎn)品，全面支持所有主要的無線通信和廣播頻段。先進的LDMOS工藝以及全自動RF組裝和測試生產(chǎn)線，確保其產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)領先的性能和質(zhì)量。目前，包括愛立信、華為和中興在內(nèi)的不少知名的無線網(wǎng)絡設備商都在大批采用英飛凌的LDMOS管。

PTFB系列LDMOS晶體管是英飛凌全新推出的可供設計寬頻無線網(wǎng)絡基站的高功率LDMOS晶體管系列產(chǎn)品，新型晶體管的單管輸出功率高達300W，完全支持由3G發(fā)展為4G無線網(wǎng)絡所需的高峰值對均值功率比(peak to average Power raTIo)以及高數(shù)據(jù)傳輸速率規(guī)格。PTFB系列系列產(chǎn)品所提供的高增益及高功率密度，主要應用在1.4-2.6GHz頻帶中。如此將可使用體積減少30%的器件，設計更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助于設計Doherty放大器，以及減少其它架構中的零件數(shù)量。

新型PTFB系列晶體管皆采用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝，供螺栓式(bolt- down)或無耳式(earless)安裝。這些產(chǎn)品皆無鉛并符合ROHS規(guī)格，非常適合應用在WCDMA信號設備上，能夠為設備提供出更高的增益和效率，還可大幅度提升最新MCPA(多載波功率放大器)和數(shù)字預失真系統(tǒng)的性能，可以滿足高級通信業(yè)務的移動網(wǎng)絡運營商的要求。該系列的產(chǎn)品現(xiàn)已投產(chǎn)。

英飛凌公司通過推出新一代LDMOS工藝，再次表明了其為移動網(wǎng)絡提供尖端射頻功率技術的堅定決心。新一代技術產(chǎn)品的推出，能夠讓無線網(wǎng)絡系統(tǒng)開發(fā)商降低成本，提高系統(tǒng)性能，增強系統(tǒng)質(zhì)量和可靠性。