【導(dǎo)讀】對于許多的數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商來說，降低功耗都是他們的首當(dāng)要務(wù)，從而降低運(yùn)營費(fèi)用。雙數(shù)據(jù)速率 5內(nèi)存，其官方簡稱為 DDR5，目標(biāo)就是提供數(shù)據(jù)中心所需的增強(qiáng)性能以及功率管理功能，為400GE的網(wǎng)絡(luò)速度提供良好支持。
隨著物聯(lián)網(wǎng)的不斷發(fā)展，數(shù)以百萬計(jì)的互聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生，因此數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營商都在致力于跟上數(shù)據(jù)傳輸方面的要求。他們必須尋求各種方式來滿足數(shù)據(jù)和存儲上日新月異的需求，同時確保服務(wù)質(zhì)量、降低成本。
與上一代的 DRAM 技術(shù)相比，新型JEDEC DDR5在提升功率效率方面進(jìn)行了升級。根據(jù)計(jì)劃，DDR5將提供兩倍于 DDR4 的帶寬和密度，同時還改善了信道的效率。
這些增強(qiáng)功能與針對服務(wù)器和客戶端平臺而提供的更加易用的接口結(jié)合到一起，將在一系列廣泛的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)極高的性能并改進(jìn)功率管理。
1 從DDR4的轉(zhuǎn)變
與 DDR4 技術(shù)相比，DDR5 改善了性能并且提高了功率效率，因此，對緊湊而又穩(wěn)健的 DIMM 插槽的需求比以往任何時候都要重要，以便為這種新技術(shù)提供支持。
莫仕的 DDR5 DIMM 插槽比 DDR4 時代的產(chǎn)品更加緊湊，縮小了整體尺寸與高度，此外還具有防屈曲功能，實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的模塊插入并提供冠形的觸點(diǎn)，防止觸點(diǎn)斷裂。
DDR5 DIMM 插槽的帶寬和密度比DDR4 提升了一倍，可以提供 6.4 Gbps 的速度，高度降低后的底座面可以節(jié)省更多的印刷電路板空間與縱向空間。隨著 DDR5 的推出，DDR4 和DDR5 的針數(shù)保持相同。
這兩種 DIMM 都含有 288 個插針。此外，DDR4和 DDR5 的螺距也相同。除了增加了速度以外，在整體尺寸和模塊卡的厚度上存在著一些區(qū)別。DDR5插槽連接器的尺寸要短于 DDR4。
對于模塊卡的厚度來說，DDR4 為 1.40+/-0.1 毫米，而DDR5 將厚度減少至1.27+/-0.1 毫米。至于底座面，將從 DDR4 的最大2.4 毫米縮減為 DDR5 的 2.0 毫米最大值。
2 DDR5的主要設(shè)計(jì)考慮
當(dāng)需要遷移到 DDR5 時，設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)牢記幾個特定于插槽連接器的主要考慮因素。DDR5 插槽采用了鍵控功能來防止插入 DDR4 模塊，而且DDR4 模塊在 DDR5 中無法工作，反之亦然。
DDR5的確需要更高的速度。如果采用SMT 端接，那么在工藝上可能會存在挑戰(zhàn)，與 TH 或PF 端接方式相比或許更難以加工。CTE與印刷電路板的不匹配會造成連接器的動態(tài)翹曲。
隨著自動模塊插入工藝的到來，使用一種穩(wěn)健的DDR5 連接器就變得更加關(guān)鍵。莫仕的 DDR5 插槽在插鎖塔上配有一片金屬，改善了機(jī)械強(qiáng)度。
DDR5 采用的模塊卡更重一些，并且模塊重量可能會從 50 克增至65 克。因此，需要考慮采取良好的措施，以機(jī)械方式將連接器保持固定在印刷電路板上。
3 轉(zhuǎn)向 DDR5 插槽
在尋求推進(jìn)到DDR5 的過程中，需要牢記幾個方面。請考慮使用一種具有防斷裂觸點(diǎn)的連接器，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的配對接觸效果并確保電氣上的可靠性。
無鹵耐高溫的尼龍外殼可以支持較高的回流溫度，同時提供環(huán)境上的可持續(xù)性。耐振動耐沖擊焊片在條件苛刻的操作過程中可提供最優(yōu)的性能以及牢固的印刷電路板保持效果。
此外，插槽上的金屬嵌件支持嚴(yán)格的閉鎖操作，同時可對插鎖塔進(jìn)行強(qiáng)化。人體工程學(xué)設(shè)計(jì)的穩(wěn)健的插鎖在閉鎖過程中以及模塊卡釋放時可改善撕扯力以及抗振性。
為了解決插針壓碎的問題，可以尋求使用設(shè)計(jì)良好的端子與外殼。
對于 DDR5 上的其他考慮事項(xiàng)，動態(tài)翹曲可能是一個需要關(guān)切的問題。在加工方面，與 TH 端接方式相比，SMT端接將更具挑戰(zhàn)性，并且更加困難。
必須妥善的控制裝配工藝，同時設(shè)計(jì)與外殼材料的選擇也極其重要。經(jīng)優(yōu)化的成型工藝可以降低外殼內(nèi)積聚起的內(nèi)部應(yīng)力。
隨著數(shù)據(jù)中心內(nèi)的速度不斷提升，DDR5將成為一個理想的選擇，為這種速度上的提升提供支持。DDR5 插槽的生產(chǎn)正在穩(wěn)步增長，并且將在下一年保持這一增長勢頭。
莫仕提供種類廣泛的內(nèi)存連接器，符合有關(guān) DIMM（雙列直插內(nèi)存模塊）和 SIMM（單列直插內(nèi)存模塊）的JEDEC 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，并且還為筆記本電腦、臺式機(jī)、工作站、服務(wù)器、存儲及通信應(yīng)用提供定制的內(nèi)存模塊。
莫仕的內(nèi)存儲器產(chǎn)品提供范圍從最老式的SIMM 直到最新型的 DDR5 在內(nèi)的、一系列廣泛的技術(shù)平臺。每一產(chǎn)品族都由眾多不同的選項(xiàng)組成，滿足客戶應(yīng)用的各種需求。
來源：Molex連接器
