你的位置:首頁 > 互連技術(shù) > 正文

如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)

發(fā)布時(shí)間:2023-03-16 來源:作者:Jens Wallmann 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)。無刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一個(gè)不錯(cuò)的選擇,但電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子元件相當(dāng)復(fù)雜,有許多設(shè)計(jì)考慮因素。設(shè)計(jì)人員必須精密調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)矩、速度和位置,同時(shí)還要確保高精度,并將振動(dòng)、噪聲和電磁輻射 (EMR) 降到最低。此外,還必須避免使用笨重的散熱器和外部線束,以節(jié)省重量、空間和成本。


電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)。無刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一個(gè)不錯(cuò)的選擇,但電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子元件相當(dāng)復(fù)雜,有許多設(shè)計(jì)考慮因素。設(shè)計(jì)人員必須精密調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)矩、速度和位置,同時(shí)還要確保高精度,并將振動(dòng)、噪聲和電磁輻射 (EMR) 降到最低。此外,還必須避免使用笨重的散熱器和外部線束,以節(jié)省重量、空間和成本。

設(shè)計(jì)人員常常面臨的挑戰(zhàn)是,在設(shè)計(jì)要求與時(shí)間和預(yù)算壓力之間做出平衡,同時(shí)避免出現(xiàn)代價(jià)高昂的開發(fā)錯(cuò)誤。為了應(yīng)對(duì)這種挑戰(zhàn),設(shè)計(jì)人員可以利用氮化鎵 (GaN) 等快速、低損耗半導(dǎo)體技術(shù),以提供驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)所需的功率級(jí)。

本文討論了基于 GaN 的功率級(jí)的相對(duì)優(yōu)勢(shì),并介紹了 EPC 的一款以半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的樣本器件。文中還說明了如何使用相關(guān)開發(fā)套件來快速啟動(dòng)項(xiàng)目。在此過程中,設(shè)計(jì)人員將了解到如何利用 Microchip Technology 的 motorBench 開發(fā)套件,以最小的編程工作量測(cè)量 BLDC 電機(jī)的參數(shù),并在無傳感器磁場(chǎng)定向控制 (FOC) 模式下操作電機(jī)。

GaN 的優(yōu)勢(shì)

為了高效控制電池應(yīng)用中的 BLDC 電機(jī),開發(fā)人員需要一種高能效、輕量化、外形尺寸較小的驅(qū)動(dòng)級(jí),可以放在盡可能靠近致動(dòng)器的地方,例如放在電機(jī)外殼內(nèi)。

絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 穩(wěn)固耐用,可以在最大 200 kHz 的頻率下切換高達(dá) 100 MW 的高功率,但不適合必須在高達(dá) 80 V 電壓下對(duì)電池充電進(jìn)行管理的設(shè)備。高接觸電阻、續(xù)流二極管和開關(guān)損耗,以及關(guān)斷期間的電流拖尾,所有這些因素的組合會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真、發(fā)熱過多和雜散輻射。

與 IGBT 相比,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 開關(guān)速度更快,開關(guān)損耗和電阻損耗更低,但其柵極電容需要強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)器才能在高開關(guān)頻率下工作。能夠在高頻率下工作很重要,因?yàn)檫@意味著設(shè)計(jì)人員可以使用更小的電子元器件,從而減少整體空間需求。

GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 具有高載流子遷移率,能夠以極快的速度和低損耗建立和擊穿半導(dǎo)體結(jié)。集成 GaN 驅(qū)動(dòng)器(如 EPC 的 EPC23102ENGRT)開關(guān)損耗極低,開關(guān)頻率則很高,支持實(shí)現(xiàn)緊湊的器件設(shè)計(jì),適合極為狹小的空間。這款單片芯片包含一個(gè)帶有電平位移器的輸入邏輯接口、自舉加載電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路,以半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)控制 GaN 輸出 FET(圖 1)。芯片封裝經(jīng)過優(yōu)化,具有高散熱性能和低寄生電感。


如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
圖 1:EPC23102 包含控制邏輯、電平位移器、柵極驅(qū)動(dòng)器和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的 GaN 輸出 FET(左)。芯片封裝(右)經(jīng)過優(yōu)化,具有高散熱性能和低寄生電感。(圖片來源:EPC)


更少的廢熱和更低的 EMR

EPC23102 輸出晶體管的典型漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 為 5.2 mΩ(25°C 時(shí))。該晶體管可處理高達(dá) 100 V 的電壓和最大 35 A 的電流。此外,GaN 器件的橫向結(jié)構(gòu)和無本征體二極管特性,使得柵極電荷 (QG) 和反向恢復(fù)電荷 (QRR) 特別低。

與具有類似 RDS(on) 的 MOSFET 器件相比,GaN 驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)損耗最多可降至前者的五分之一。因此,基于 GaN 的逆變器可以在相對(duì)較高的脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 頻率(最高可達(dá) 3 MHz)和較短的空載時(shí)間(小于 50 ns)下運(yùn)行。

GaN 半導(dǎo)體的開關(guān)速度 (dV/dt) 高、溫度系數(shù)低且采用更小寄生電感的封裝設(shè)計(jì),最大程度減少了信號(hào)失真,進(jìn)而最大程度減少了 EMR 和開關(guān)損耗。這樣就降低了對(duì)濾波策略的需求,而較小的低成本電容器和電感器則能節(jié)省電路板空間。

除了低接觸電阻 RDS(on) 外,GaN 器件還有其他優(yōu)勢(shì),例如 GaN 基底具有高導(dǎo)熱率、器件封裝具有很大的熱接觸面積,所有這些優(yōu)勢(shì)使得 GaN 功率級(jí)能夠在沒有散熱器的情況下切換高達(dá) 15 A 的電流(圖 2)。


如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
圖 2:GaN 功率級(jí)在 25.5°C 環(huán)境溫度和不同 PWM 頻率下的溫升與相電流的關(guān)系。(圖片來源:EPC)


EPC23102 還具有將電壓從低壓側(cè)轉(zhuǎn)換到高壓側(cè)通道的穩(wěn)健電平轉(zhuǎn)換器,這些轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)用于在軟切換和硬切換情況下工作,甚至可在高負(fù)端電壓下工作,并避免快速 dV/dt 瞬變(包括來自外部源或相鄰相位的瞬變)造成誤觸發(fā)。內(nèi)部電路集成了邏輯和自舉電源充電及禁用功能。當(dāng)供電電壓過低甚至失效時(shí),保護(hù)功能可防止輸出 FET 意外導(dǎo)通。

即用型電機(jī)逆變器評(píng)估套件

要調(diào)試采用 GaN 技術(shù)的三相 BLDC 電機(jī),最簡單、最快捷的方法是使用 EPC 的 EPC9176KIT 電機(jī)逆變器評(píng)估套件。該套件由 EPC9176 電機(jī)逆變器板和 DSP 控制器板組成,還包括一個(gè)簡易的 EPC9147E 控制器插件適配器,用于通過客戶特定的主機(jī)控制器進(jìn)行控制。耦合連接器傳輸以下信號(hào):3 × PWM、2 × 編碼器、3 × Uphase、3 × Iphase、UDC、IDC和 2 × 狀態(tài) LED。

EPC9176 電機(jī)逆變器板是參考設(shè)計(jì),為公司內(nèi)部電路設(shè)計(jì)提供了便利,而 EPC9147A 控制器板與 Microchip Technology 的 motorBench 開發(fā)環(huán)境一起使用時(shí),用戶無需花時(shí)間編碼或編程就能快速啟動(dòng)并運(yùn)行應(yīng)用。

該三相 BLDC 電機(jī)逆變器集成了三個(gè) EPC23102 GaN 半橋驅(qū)動(dòng)器,以控制交流或直流電機(jī)和 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換器。最大 RDS(on) 為 6.6 mΩ,在高達(dá) 28 A 峰值 (Apk) 或 20 A rms (ARMS) 的負(fù)載電流和高達(dá) 100 V 的開關(guān)電壓下持續(xù)工作時(shí),功率級(jí)造成的熱損耗非常小。配置為多相 DC/DC 轉(zhuǎn)換時(shí),EPC23102 支持高達(dá) 500 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率;對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開關(guān)頻率最高可達(dá) 250 kHz。

尺寸為 8.1 × 7.5 cm 的 EPC9176 電機(jī)逆變器板包含支持完整電機(jī)逆變器所需的所有關(guān)鍵功能電路,包括直流總線電容器、柵極驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)定輔助電壓、相電壓、相電流和溫度測(cè)量,以及針對(duì)每相的保護(hù)功能和可選的諧波或 EMR 濾波器(圖 3)。


如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
圖 3:EPC9176 電機(jī)逆變器具有直流總線電容器、柵極驅(qū)動(dòng)器、穩(wěn)壓器、電壓檢測(cè)功能、電流和溫度保護(hù)功能以及 EMR 濾波器。(圖片來源:EPC)


該三相 GaN 逆變器在 14 至 65 VDC 的輸入電壓下工作,切換時(shí)不會(huì)過沖,因此轉(zhuǎn)矩平穩(wěn),運(yùn)行噪聲極小。該板針對(duì)低于 10 V/ns 的 GaN 典型高速開關(guān)斜坡進(jìn)行了優(yōu)化,并且可以選擇降低此開關(guān)斜坡以操作 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。此外,還可以連接兩個(gè)以不同電平工作的轉(zhuǎn)子位置傳感器(霍爾傳感器)。

無振動(dòng)的轉(zhuǎn)矩和低運(yùn)行噪聲

下面通過三相 BLDC 電機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例展示空載時(shí)間參數(shù)化對(duì)電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行和由此產(chǎn)生的噪聲的影響。對(duì)于基于 GaN FET 的半橋,其高壓側(cè)和低壓側(cè) FET 的開關(guān)轉(zhuǎn)換鎖定時(shí)間可以選擇為非常短,因?yàn)?GaN HEMT 的響應(yīng)速度極快,不像較慢的 MOSFET 那樣會(huì)產(chǎn)生寄生過沖。

圖 4(左)顯示了一款 GaN 逆變器以 500 ns 的 MOSFET 典型空載時(shí)間和 40 kHz 的 PWM 頻率工作。本應(yīng)是平穩(wěn)的正弦相電流卻顯示出極高的失真,導(dǎo)致轉(zhuǎn)矩紋波和相應(yīng)的噪聲非常高。在圖 4(右)中,空載時(shí)間降至 50 ns,所得到的正弦相電流使電機(jī)平穩(wěn)運(yùn)行,噪聲非常小。


如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
圖 4:500 ns 的空載時(shí)間和 40 kHz 的 PWM 頻率(左)(MOSFET 的典型情況)造成相電流發(fā)生高失真,導(dǎo)致高轉(zhuǎn)矩紋波和高噪聲級(jí)。當(dāng)空載時(shí)間為 50 ns 時(shí)(右),得到一個(gè)正弦相電流,使得電機(jī)以低噪聲平穩(wěn)運(yùn)轉(zhuǎn)。(圖片來源:EPC)


更小的相電流紋波還意味著定子線圈的磁化損耗更低,而相電壓紋波越小,則分辨率越高,對(duì)轉(zhuǎn)矩和速度的控制就越精確,對(duì)于小型設(shè)計(jì)中使用的低電感電機(jī)更是如此。

對(duì)于需要更大功率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,有兩款 GaN 逆變器板可供選擇:EPC9167HCKIT (1 kW) 和 EPC9167KIT (500 W)。兩者均使用 EPC2065 GaN FET,其最大 RDS(on) 為 3.6 mΩ,最大器件電壓為 80 V。EPC9167 板在每個(gè)開關(guān)位置使用一個(gè) FET,而 EPC9167HC 有兩個(gè) FET 并行工作,提供最大 42 Apk (30 ARMS) 的輸出電流。EPC2065 GaN FET 在電機(jī)控制應(yīng)用中支持高達(dá) 250 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率,在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中支持最高 500 kHz 的開關(guān)頻率。

EPC9173KIT 中的逆變器板可提供更高的功率 — 最高 1.5 kW。該板構(gòu)成兩個(gè)單通道 EPC23101ENGRT GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC(只有一個(gè)集成高壓側(cè)功率 FET)的半橋分支。該板可擴(kuò)展為降壓、升壓、半橋、全橋或 LLC 轉(zhuǎn)換器。在有適當(dāng)散熱措施的情況下,它可提供高達(dá) 50 Apk (35 ARMS) 的輸出電流,能以高達(dá) 250 kHz 的 PWM 開關(guān)頻率工作。

幾分鐘內(nèi)啟動(dòng)并運(yùn)行驅(qū)動(dòng)級(jí)

不必編程就能評(píng)估 EPC9176 GaN 逆變器板的最快速方法是使用 EPC9147A 控制器接口板。插件模塊 (PIM) MA330031-2 包含 Microchip Technology 的 16 位 DSP dsPIC33EP256MC506-I-PT(圖 5)。


如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
圖 5:EPC9147A 通用控制器接口卡支持各種插件模塊,如基于 16 位 dsPIC33EP256 DSP 的 MA330031-2 PIM。(圖片來源:EPC/Microchip Technology)


為了方便操作 DSP 控制器接口,設(shè)計(jì)人員可以使用 motorBench 開發(fā)套件,并且須為其添加:

1、MPLAB X IDE_V5.45 和推薦更新
2、代碼配置器插件(DSP 特定的編譯)
3、motorBench 插件 2.35(電機(jī)示例)

本討論中的示例使用 EPC9146 GaN 電機(jī)逆變器板,因此:

4、從針對(duì) EPC914xKIT 的 MCLV-2 或 EPC 項(xiàng)目開始,其名稱為“sample-mb-33ep256mc506-mclv2.X”

用戶可以簡單選擇 EPC9146 GaN 電機(jī)逆變器板的樣本十六進(jìn)制文件,并使用編程適配器(如 Microchip Technology 用于 16 位微控制器的 PG164100)將其燒寫到 DSP dsPIC33EP256MC506。然后便可通過控件手動(dòng)控制所連接的 BLDC 電機(jī) (Teknic_M-3411P-LN-08D),并在無傳感器 FOC 模式下運(yùn)行。

如果電機(jī)運(yùn)行不理想或需要配置成其他工作狀態(tài),motorBench 還提供了一個(gè)可配置的樣本文件,燒寫該文件之前須進(jìn)行編譯。如上所述,GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)基本但重要的參數(shù)是空載時(shí)間,須為 50ns 或更小,在編譯 hex 文件之前務(wù)必檢查此參數(shù)。

BLDC 電機(jī)的自定義參數(shù)

要利用 motorBench IDE 定制 BLDC 電機(jī)配置以實(shí)現(xiàn)無傳感器 FOC 工作,用戶可以測(cè)量其電機(jī)的參數(shù),并在配置文件中輸入相關(guān)的值。例如,ISL Products International 的 MOT-I-81542-A 電機(jī)可以作為這里的測(cè)試電機(jī)。該電機(jī)在 24 V 電壓下以 6100 rpm 的轉(zhuǎn)速運(yùn)行時(shí),功耗約為 361 W。

首先必須確定以下四個(gè)電機(jī)參數(shù):

· 歐姆電阻:用萬用表在定子線圈端子之間測(cè)量
· 電感:用萬用表在定子線圈端子之間測(cè)量
· 極對(duì):要確定極對(duì),設(shè)計(jì)人員必須將兩相短路,讓第三相開路,然后手動(dòng)計(jì)算軸轉(zhuǎn)一圈的閂鎖數(shù)量,再將結(jié)果除以 2
· 反電動(dòng)勢(shì) (BEMF):用示波器在定子線圈端子之間測(cè)量。為此,設(shè)計(jì)人員必須:
· 將探頭夾在兩條相線上,第三條相線斷開
· 用手轉(zhuǎn)動(dòng)電機(jī)軸,并記錄電壓響應(yīng)
· 測(cè)量最大正弦半波的峰間電壓 App 和周期 Thalf(圖 6)。


5-5.jpg
圖 6:通過測(cè)量最大正弦半波的峰間電壓 App 和周期 Thalf 來確定 BEMF。(圖片來源:EPC)


參考上述項(xiàng)目示例,Microchip 為 Teknic M-3411P-LN-08D 電機(jī)(8.4 ARMS、八極、轉(zhuǎn)矩 = 1 Nm、額定功率為 244 W)確定了以下參數(shù):

· App = 15.836 Vpp
· Thalf = 13.92 ms
· 極對(duì):pp = 4
· 然后,Microchip 利用公式 1 計(jì)算 BEMF 常數(shù) (1000 rpm = 1 krpm):



如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)   公式 1

如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)   



對(duì)于此示例電機(jī)
(motorBench 使用 10.2 的值)

· RL-L = 800 mΩ 線對(duì)線電阻,減去 LCR 儀表引線的 100 mΩ
· 本例中使用 Ld = Lq = 1 mH,盡管測(cè)量結(jié)果為 932 μH

將確定的參數(shù)輸入到 motorBench 的子菜單 Configure/PMSM Motor(配置/PMSM 電機(jī))。為此,設(shè)計(jì)人員可以簡單地使用類似電機(jī)類型的 XML 配置文件,或者將參數(shù)輸入到新建的(空)配置文件,然后通過“Import Motor”(導(dǎo)入電機(jī))按鈕導(dǎo)入。

總結(jié)

GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC 具有高能效特點(diǎn),適用于小尺寸、輕量化電池供電的 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這些 IC 集成于電機(jī)外殼中,得到良好的保護(hù),簡化了器件設(shè)計(jì)和安裝,并減少了維護(hù)工作。

在參考電路、基于模型的預(yù)編程 DSP 控制器和電機(jī)開發(fā)環(huán)境的支持下,BLDC 電機(jī)應(yīng)用的設(shè)計(jì)和編程人員可以縮短電路設(shè)計(jì)時(shí)間,更加專注于應(yīng)用開發(fā)。

(作者:Jens Wallmann)


    免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


    推薦閱讀:

    用方波構(gòu)建準(zhǔn)正弦波

    一種更好的 BLDC 電機(jī)通信方法

    如何使用正確的示波器簡化 CAN 總線網(wǎng)絡(luò)測(cè)試

    用于快速充電站的AC/DC轉(zhuǎn)換器概述

    處理數(shù)字示波器測(cè)量問題



    特別推薦
    技術(shù)文章更多>>
    技術(shù)白皮書下載更多>>
    熱門搜索
    ?

    關(guān)閉

    ?

    關(guān)閉