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漫談QLC其三:QLC NAND的主流應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2023-12-11 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】前文所述,老四QLC在爭議中成長,已進(jìn)入當(dāng)打之年,憑借性能、壽命、容量和價(jià)格極致性價(jià)比的特性,配合主控和固件糾錯(cuò)能力和算法方案的日漸成熟,進(jìn)入到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD主戰(zhàn)場,如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)QLC SSD,進(jìn)入商用。


前文所述,老四QLC在爭議中成長,已進(jìn)入當(dāng)打之年,憑借性能、壽命、容量和價(jià)格極致性價(jià)比的特性,配合主控和固件糾錯(cuò)能力和算法方案的日漸成熟,進(jìn)入到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD主戰(zhàn)場,如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)QLC SSD,進(jìn)入商用。

QLC NAND的典型參數(shù)

QLC NAND在三哥TLC NAND光芒映襯下,起初有些暗淡,經(jīng)過閃存產(chǎn)業(yè)三到四代產(chǎn)品的打磨和提升,如今QLC NAND實(shí)際主要參數(shù)超出了用戶的傳統(tǒng)認(rèn)知,如下表:


漫談QLC其三:QLC NAND的主流應(yīng)用

行業(yè)主流QLC 閃存芯片參數(shù)范圍(源于網(wǎng)絡(luò)整理)


1)NAND IO接口速度,和TLC相同,1.6GT/s~2.4GT/s。

2)單Die大小,QLC是TLC的2倍。

3)Page讀tR時(shí)間,QLC是TLC的2倍;但在SLC模式下,QLC和TLC的tR基本相同。

4)Page寫tP時(shí)間,QLC較TLC更慢,是其5倍時(shí)間;但在SLC模式下,QLC和TLC的tP基本相同。

5)壽命方面PE Cycle, QLC已大幅改善。

總結(jié):相比較TLC,QLC NAND IO接口速度相同,單Die容量更大,性能上讀寫擦速度會(huì)慢,但在SSD使用模式上使能SLC block模式,讀寫速度基本相同,性能慢的缺點(diǎn)會(huì)被遮掩。

QLC在消費(fèi)級(jí)SSD中的應(yīng)用

消費(fèi)級(jí)SSD按產(chǎn)品定位,根據(jù)性能檔位分為高端和中低端產(chǎn)品,QLC NAND面世初期,由于較低的NAND顆粒性能,一般定位于中低端消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品,產(chǎn)品定價(jià)低于TLC SSD,走極致性價(jià)比產(chǎn)品路線,獲得不錯(cuò)銷量。

如今QLC NAND顆粒在接口速度,SLC block模式下讀寫性能等參數(shù)已不輸于TLC NAND,QLC SSD性能跑分上可以躋身高端產(chǎn)品,但價(jià)格低于TLC 20%以上,無論對(duì)零售、渠道SSD用戶,還是PCOEM用戶,大幅降低了采購成本,QLC SSD無疑是不錯(cuò)的選擇。

按照消費(fèi)級(jí)PCOEM SSD產(chǎn)品未來預(yù)測,2023年QLC SSD占比已大于15%,憑借和TLC SSD相同的性能但更低的價(jià)格,采購QLC SSD的比例將大幅增加。Retail SSD市場中,QLC SSD的極致性價(jià)比特性,用戶將會(huì)采購更多比例的QLC SSD。


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來源:網(wǎng)絡(luò)


QLC在企業(yè)級(jí)SSD中的應(yīng)用

目前許多數(shù)據(jù)中心大量部署了成本較低的機(jī)械硬盤(HDD),以滿足不斷增長的存儲(chǔ)容量需求,但機(jī)械硬盤無法滿足現(xiàn)代工作負(fù)載對(duì)數(shù)據(jù)更快讀取訪問速度的需求。機(jī)械硬盤還會(huì)占據(jù)數(shù)據(jù)中心的較大面積,因而會(huì)增加空間、電源、散熱和替換方面的成本。

一些數(shù)據(jù)中心采取的策略是將較慢、較笨重的機(jī)械硬盤,更換為更快的企業(yè)級(jí)TLC SSD。TLC SSD適用于混合和寫入繁重的工作負(fù)載,如高速讀寫應(yīng)用,但采用TLC SSD未經(jīng)過成本和容量優(yōu)化,難以滿足以讀取密集型業(yè)務(wù)為中心的大規(guī)模數(shù)據(jù)需求。

1) QLC SSD vs TLC SSD:

相比較企業(yè)級(jí)TLC SSD,企業(yè)級(jí)QLC SSD性能和壽命更低,但其大容量和性價(jià)比特性讓QLC SSD成為TLC SSD的補(bǔ)充。QLC SSD更適合讀取密集型和部分讀寫混合型業(yè)務(wù),例如機(jī)器學(xué)習(xí)ML、人工智能AI、內(nèi)容交付網(wǎng)絡(luò)等。


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來源:網(wǎng)絡(luò)


要確定企業(yè)級(jí)QLC SSD是否與您的工作負(fù)載匹配,遵照以下特征:

a.帶寬:讀取數(shù)據(jù)高速度高帶寬。
b.延遲:低延遲和高服務(wù)質(zhì)量,有助于數(shù)據(jù)快速返回。
c.業(yè)務(wù)模型:讀取密集型(順序或隨機(jī)),大數(shù)據(jù)塊數(shù)據(jù)讀寫工作負(fù)載。
d.數(shù)據(jù)塊大?。捍髷?shù)據(jù)塊。

2) QLC SSD vs HDD:

相比較HDD,企業(yè)級(jí)QLC SSD更加輕便,性能更高,功耗更低,容量更大,因此QLC SSD最終的目標(biāo)是為了取代HDD機(jī)械硬盤。

企業(yè)級(jí)QLC SSD目前面臨的挑戰(zhàn)是,每GB成本是HDD的5-6倍,這是目前取代HDD最大的障礙。HDD憑借成本上優(yōu)勢,依然占據(jù)數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)總量的85%,主要應(yīng)用于溫存儲(chǔ)對(duì)象存儲(chǔ)和冷存儲(chǔ)歸檔存儲(chǔ)等業(yè)務(wù)中。

但未來從NAND成本角度來看,其堆疊層數(shù)依然可以繼續(xù)增加,帶來成本不斷的下降,其下降速度明顯大于HDD成本下降的速度,未來追上HDD每GB成本的3倍甚至1倍只是時(shí)間問題,我們終究可以等到這一天的到來,我們將答案留給時(shí)間。

a.性能對(duì)比:

QLC SSD順序讀性能是HDD的25倍,隨機(jī)讀性能是HDD的5700倍,平均延遲是HDD的1/23,性能方面完全碾壓HDD。

b.壽命和耐久度對(duì)比:

過去,用戶會(huì)認(rèn)為QLC SSD的壽命和耐久度較差,實(shí)際上QLC SSD的壽命和耐久度超出了用戶傳統(tǒng)的認(rèn)知。

首先QLC SSD具有更大的容量,能夠?qū)⒛p分散到更大的區(qū)域,企業(yè)級(jí)QLC SSD DWPD(每日寫入量,代表壽命的一種參數(shù))可以做到0.5,而HDD DWPD只有0.09,是它的5倍多。

其次QLC SSD實(shí)際應(yīng)用下的耐用性要求通常遠(yuǎn)超出企業(yè)的預(yù)期,對(duì)于絕大多數(shù)企業(yè)用戶來說,因?yàn)?9%的系統(tǒng)最多只使用了其硬盤15%的額定壽命(2020年2月USENIX大會(huì)),大多數(shù)固態(tài)盤在使用的過程中,只會(huì)消耗一小部分固態(tài)盤壽命,因此轉(zhuǎn)向QLC SSD壽命上沒有風(fēng)險(xiǎn)。

c.UBER和AFR對(duì)比:

QLC SSD的UBER(讀取數(shù)據(jù)錯(cuò)誤比特率)是10-17,而HDD的UBER是10-15,是其的1/100。

年失效率或返盤率方面,USENIX研究發(fā)現(xiàn),QLC SSD的平均年失效率(AFR)介于0.07%和近1.2%之間,機(jī)械硬盤為2.9%。通過比較這兩個(gè)數(shù)據(jù),QLC SSD AFR相比機(jī)械硬盤低7.5到28倍。


漫談QLC其三:QLC NAND的主流應(yīng)用
來源:網(wǎng)絡(luò)


d.TCO對(duì)比:

數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)TCO包括一次性采購費(fèi)用(CapEx)和運(yùn)營支出費(fèi)用(OpEx)。

一次性采購費(fèi)用基于有效容量的購買。有效容量以有效TB(TBe)表示,是經(jīng)過復(fù)制、容量利用和數(shù)據(jù)精簡后的實(shí)際可用存儲(chǔ)空間。

有效容量對(duì)TCO具有較大的影響,由于需要提供冗余,并滿足性能要求,用戶購買的總原始存儲(chǔ)在成本上具有乘數(shù)效應(yīng)。存儲(chǔ)解決方案提供商在描述每TB存儲(chǔ)成本時(shí)通常將有效容量作為宣傳點(diǎn)。

數(shù)據(jù)精簡是所存儲(chǔ)主機(jī)數(shù)據(jù)與所需物理存儲(chǔ)的比率,數(shù)據(jù)精簡可幫助用戶存儲(chǔ)超過物理硬件能力的更多數(shù)據(jù),所以產(chǎn)生的有效容量會(huì)增加,或者大幅降低滿足“有效容量”要求所需的原始存儲(chǔ)容量

精簡數(shù)據(jù)有兩種方法:壓縮和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除技術(shù),壓縮數(shù)據(jù)有壓縮比如2:1,重復(fù)數(shù)據(jù)刪除,將相同的重復(fù)數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)中只保留一份, 這些技術(shù)某些僅在全閃系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn),HDD中并未實(shí)現(xiàn)。

舉例來說,F(xiàn)acebook的Zstandard壓縮算法可實(shí)現(xiàn)超快的壓縮和解壓縮速度,遠(yuǎn)超機(jī)械硬盤的讀/寫能力,因而支持在固態(tài)盤上實(shí)時(shí)使用算法。此外,在VMware VSAN中,壓縮和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除功能僅在全閃存配置中提供。

運(yùn)營支出涵蓋電源、散熱和磁盤故障方面的成本,相比HDD,QLC SSD高出幾十倍的性能/功耗比,單盤大容量帶來單機(jī)架上采用更少硬盤數(shù),以及更少的機(jī)架數(shù)帶來的更小的總功耗和占地空間,長期來看更低的單盤故障率,大幅降低了運(yùn)營支持。

最后:QLC應(yīng)用的未來思考

綜上所述,QLC NAND在消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)SSD領(lǐng)域中異軍突起,找到一定的合適的應(yīng)用場景,用戶開始接受和擁抱QLC SSD,逐年采購比例的增長趨勢已經(jīng)確立,特別是大容量SSD應(yīng)用場景。

既然QLC在SSD領(lǐng)域已經(jīng)試水成功,未來進(jìn)軍消費(fèi)類嵌入式eMMC、UFS領(lǐng)域也不是沒有可能,目前已有原廠的UFS采用了QLC作為存儲(chǔ)介質(zhì)發(fā)布產(chǎn)品,這是一個(gè)開始,也是一種信號(hào),或許不久的將來QLC在消費(fèi)級(jí)嵌入式產(chǎn)品有更多的新品發(fā)布。



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