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引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容
減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù)，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實(shí)現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容 [1-4]。本...
2023-03-27
空氣間隙 寄生電容
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為什么測(cè)量精度對(duì) EV 性能至關(guān)重要
使用傳感器測(cè)量電路中不同的功率相關(guān)參數(shù)時(shí)，會(huì)遇到不同的挑戰(zhàn)。主要挑戰(zhàn)是保持傳感器和電源電路之間的電氣隔離，以防止電源電路波動(dòng)對(duì)測(cè)量的影響。高效隔離還有助于保持高頻開關(guān)電路中的測(cè)量精度，該電路極易受到這些高頻開關(guān)通過接地環(huán)路產(chǎn)生的噪聲的影響。
2023-03-25
測(cè)量精度 EV 性能
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生成與模擬電壓的平方根成反比的脈沖寬度
盡管單穩(wěn)態(tài)僅需進(jìn)行此修改即可發(fā)揮作用，但圖 1中IC 1、 IC 2和 IC 3的邏輯電路 增加了另一個(gè)功能。添加的邏輯可確保發(fā)生器忽略進(jìn)入單穩(wěn)態(tài)繁忙狀態(tài)的下一個(gè)觸發(fā)脈沖。
2023-03-24
模擬電壓 平方根 脈沖寬度
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串聯(lián)連接的 MOSFET 可提高電壓和功率處理能力
當(dāng)電源驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載時(shí)，浪涌電流如果不加以限制，對(duì)于高壓電源來說可以達(dá)到幾十或幾百安培。一般來說，電源的額定值可能會(huì)瞬態(tài)超過許多倍，但當(dāng)瞬態(tài)持續(xù)幾個(gè)交流線路周期時(shí)，這通常是可以接受的。這對(duì)于高達(dá)幾百微法的負(fù)載電容是典型的，但對(duì)于數(shù)千微法的負(fù)載電容，浪涌電流限制器是必須的。
2023-03-24
串聯(lián)連接 MOSFET 電壓
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貿(mào)澤贊助2023“創(chuàng)造未來”全球設(shè)計(jì)大賽
2023年3月23日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興宣布贊助第21屆“創(chuàng)造未來”設(shè)計(jì)大賽。這項(xiàng)國際賽事吸引了世界各地的工程師和創(chuàng)客，各展才華設(shè)計(jì)面向未來的創(chuàng)新產(chǎn)品。貿(mào)澤已連續(xù)10年贊助此項(xiàng)賽事，更有我們的重要供應(yīng)商英特爾?和Analog Devices...
2023-03-23
貿(mào)澤 電路設(shè)計(jì)
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中國物聯(lián)網(wǎng)計(jì)算設(shè)備定制領(lǐng)導(dǎo)者——芯樹智連參展CITE2023
芯樹智連公司以物聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)AI產(chǎn)品、工業(yè)網(wǎng)絡(luò)安全主機(jī)產(chǎn)品的定制計(jì)算解決方案為主營業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)成長為中國物聯(lián)網(wǎng)定制計(jì)算領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部設(shè)在武漢，其下設(shè)有“武漢萬數(shù)”工廠，工廠面積1800平方米，公司設(shè)計(jì)開發(fā)的物聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)AI產(chǎn)品、工業(yè)網(wǎng)絡(luò)安全主機(jī)被廣泛應(yīng)用于國防軍隊(duì)、電力、工控安全、公檢...
2023-03-23
物聯(lián)網(wǎng) 芯樹智連 CITE
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監(jiān)控外部輸入時(shí)降低 MCU 能耗
現(xiàn)如今幾乎沒有應(yīng)用程序能夠避免降低能耗的需求。對(duì)于便攜式和電池供電設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來說，這是一個(gè)影響其產(chǎn)品性能和可用性的限制因素。在國內(nèi)，EnergyStar 等計(jì)劃讓消費(fèi)者更加意識(shí)到這個(gè)問題，不僅是在使用設(shè)備時(shí)，而且在設(shè)備處于待機(jī)模式時(shí)。能源越來越被認(rèn)為是一種珍貴而有限的商品。
2023-03-23
監(jiān)控 MCU
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通過避免超速和欠速測(cè)試來限度地減少良率影響
在用于汽車 SoC 的納米技術(shù)中，硅上的大多數(shù)缺陷都是由于時(shí)序問題造成的。因此，汽車設(shè)計(jì)中的全速覆蓋要求非常嚴(yán)格。為了滿足這些要求，工程師們付出了很多努力來獲得更高的實(shí)速覆蓋率。主要挑戰(zhàn)是以盡可能低的成本以高產(chǎn)量獲得所需質(zhì)量的硅。在本文中，我們討論了與實(shí)時(shí)測(cè)試中的過度測(cè)試和測(cè)試不足...
2023-03-23
超速測(cè)試 欠速測(cè)試 汽車設(shè)計(jì)
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攻克復(fù)雜性障礙：下一代 SOI 天線調(diào)諧
過去十年，天線調(diào)諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強(qiáng)，能處理更多的射頻信號(hào)。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調(diào)諧能力提高了設(shè)計(jì)靈活性，并大幅改善了性能。
2023-03-23
SOI 天線調(diào)諧
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