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功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
功率器件 熱設計 功率半導體 熱阻
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宜普電源轉換公司勝訴，美國國際貿易委員會終裁確認英諾賽科侵權
宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司）今日宣布美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術專利。該相關專利對人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機器...
2024-11-11
宜普電源轉換公司 英諾賽科
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第104屆中國電子展精彩內容搶先看，11月上海與您相約！
2024年11月18-20日，備受行業(yè)矚目的第104屆中國電子展即將在上海新國際博覽中心隆重開幕。本次展會展示面積超過23000平方米，吸引了來自全球的600多家參展企業(yè)，預計展會期間將有超過30000名專業(yè)觀眾前來參觀交流。展會全面展示了電子信息全產業(yè)鏈的最新技術和產品，旨在加速電子產業(yè)的復蘇，共同迎...
2024-11-08
中國電子展 半導體設備 元器件
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【干貨】開啟可編程邏輯器件的無限可能
我們常說邏輯器件是每個電子產品設計的“粘合劑”，但在為系統(tǒng)選擇元件時，它們通常是您最后考慮的部分。確實有很多經過驗證的標準邏輯器件可供選擇。但是，隨著設計變得越來越復雜，我們需要在電路板上集成邏輯元件，以便為更多功能留出空間。
2024-11-08
可編程邏輯器件
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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM...
2024-11-08
富士通 RAMXEED FeRAM 邊緣智能 數(shù)據(jù)存儲
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意法半導體生物感測創(chuàng)新技術賦能下一代智能穿戴個人醫(yī)療健身設備
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 推出了一款新的面向智能手表、運動手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導體的經過市場檢驗的慣性傳...
2024-11-08
意法半導體 生物感測 穿戴設備 醫(yī)療健身設備
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全差分放大器為精密數(shù)據(jù)采集信號鏈提供高壓低噪聲信號
全差分放大器(FDA)具有差分輸入和差分輸出，其輸出共模由直流(DC)輸入電壓獨立控制，主要用在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉換的前端，用于將信號調理為合適的電平以供下一級（通常是模數(shù)轉換器(ADC)）使用。FDA一般采用單芯片設計，電源電壓較小，因此輸出動態(tài)范圍有限。本文將介紹具有可調共模輸出的高壓低...
2024-11-05
全差分放大器 數(shù)據(jù)采集 信號鏈 低噪聲信號
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利用單片機實現(xiàn)復雜的分立邏輯
開發(fā)人員可利用PIC16F13145系列單片機中的可配置邏輯模塊（CLB）外設實現(xiàn)硬件中復雜的分立邏輯功能，從而精簡物料清單（BOM）并開發(fā)定制專用邏輯。
2024-11-05
單片機 分立邏輯
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為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網安裝保駕護航
如今，“工業(yè)以太網”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認為它一定與消費和計算設備中使用的以太網有所不同。本博文旨在回顧這種網絡技術的演變，并解釋消費以太網和工業(yè)以太網的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護以太網網絡免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無...
2024-11-04
以太網 工業(yè)環(huán)境
- AMTS 2025展位預訂正式開啟——體驗科技驅動的未來汽車世界，共迎AMTS 20周年！
- 貿澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
- 功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
- 貿澤開售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開發(fā)套件
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- 功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型
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