【導讀】安森美半導體推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用的開關(guān)器件，或者用于配合負載點(POL)模塊中的同步整流。
圖1：安森美半導體推出低壓功率MOSFET新系列-NTMFS4H01NF
安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“將導電及開關(guān)損耗降至最低以優(yōu)化總能效，是越來越多終端市場設(shè)計人員極希望可實現(xiàn)的目標。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術(shù)，成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平，幫助我們客戶達到他們嚴格的設(shè)計性能目標。”
封裝及價格
NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無鉛µ8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為0.86和0.67美元。
