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靜電容量的電壓特性

發(fā)布時(shí)間:2014-05-30 責(zé)任編輯:willwoyo

【導(dǎo)讀】本文將對(duì)"靜電容量的電壓特性"進(jìn)行說(shuō)明。其中包括 電壓特性、直流偏置特性以及交流電壓特性,會(huì)對(duì)各種特性進(jìn)行舉例說(shuō)明。通過(guò)對(duì)這些特性的了解,可以在設(shè)計(jì)電路的過(guò)程中更得心應(yīng)手。

電壓特性

電容器的實(shí)際靜電容量值隨著直流(DC)與交流(AC)電壓而變化的現(xiàn)象叫做電壓特性。
該變化幅度越小,說(shuō)明電壓特性越好,幅度越大,說(shuō)明電壓特性越差。以消除電源線紋波等為目的在電子設(shè)備上使用電容器時(shí),必須設(shè)想使用電壓條件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

直流偏置特性

直流偏置特性是指,對(duì)電容器施加直流電壓時(shí)實(shí)際靜電容量發(fā)生變化(減少)的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是使用了鈦酸鋇系鐵電 體的高介電常數(shù)類片狀多層陶瓷電容器特有的現(xiàn)象,導(dǎo)電性高分子的鋁電解電容器(高分子AI)和導(dǎo)電性高分子鉭電解電容器(高分子Ta)、薄膜電容器 (Film)、氧化鈦和使用了鋯酸鈣系順電體的溫度補(bǔ)償用片狀多層陶瓷電容器(MLCC<C0G>)上幾乎不會(huì)發(fā)生這種現(xiàn)象(參照?qǐng)D1)。

下面舉例說(shuō)明實(shí)際上是如何發(fā)生的。假設(shè)額定電壓為6.3V,靜電容量為100uF的高介電常數(shù)片狀多層陶瓷電容器上施加了1.8V的直流電壓。此時(shí),溫度 特性為X5R的產(chǎn)品,靜電容量減少約10%,實(shí)際靜電容量值變成90uF。而Y5V的產(chǎn)品,靜電容量減少約40%,實(shí)際靜電容量變成60uF。
各種電容器的靜電容量變化率-直流偏置特性(示例)
圖1 各種電容器的靜電容量變化率-直流偏置特性(示例)

向鈦酸鋇系鐵電體施加直流電壓時(shí),電場(chǎng)小時(shí),電位移(D)與電場(chǎng)(E)成正比,但隨著電場(chǎng)增大,原本方向混亂的自發(fā)極化(Ps)開(kāi)始沿電場(chǎng)的方向整齊排 列,顯示非常大的介電常數(shù),實(shí)際靜電容量值增大。隨電場(chǎng)進(jìn)一步增強(qiáng),不久自發(fā)極化整齊排列完畢,分極飽和后,介電常數(shù)變小,實(shí)際靜電容量值變小(參照?qǐng)D 2)。

因此,在選擇多層陶瓷電容器時(shí),請(qǐng)不要完全按照產(chǎn)品目錄上記載的靜電容量進(jìn)行選擇。必須先向適用的電源(信號(hào))線施加直流電壓成 分,測(cè)定靜電容量,掌握實(shí)際靜電容量值的情況。但是,這種直流偏置特性施加的直流電壓成分越低,靜電容量減少幅度越小。最近市面上出現(xiàn)了以突破1V的電源 電壓(直流電壓)工作的FPGA和ASIC等半導(dǎo)體芯片。如把多層陶瓷電容器使用在這種芯片的電源線上時(shí),不會(huì)出現(xiàn)很明顯的直流偏置特性問(wèn)題。
向鐵電體陶瓷施加電壓時(shí)的狀態(tài)
圖2 向鐵電體陶瓷施加電壓時(shí)的狀態(tài)

交流電壓特性

交流電壓特性是指,對(duì)電容器施加交流電壓時(shí)實(shí)際靜電容量發(fā)生變化(增減)的現(xiàn)象。這一現(xiàn)象與直流偏置現(xiàn)象相同, 是使用鈦酸鋇系鐵電體的高介電常數(shù)類片狀多層陶瓷電容器特有的現(xiàn)象,導(dǎo)電性高分子的鋁電解電容器(高分子AI)和導(dǎo)電性高分子鉭電解電容器(高分子 Ta)、薄膜電容器(Film)、氧化鈦和使用鋯酸鈣系的順電體的溫度補(bǔ)償用片狀多層陶瓷電容器(MLCC<C0G>)上幾乎不會(huì)發(fā)生這種現(xiàn) 象(參照?qǐng)D3)。

假設(shè)對(duì)額定電壓為6.3V,靜電容量為22uF的高介電常數(shù)片狀多層陶瓷電容器施加0.2Vrms的交流電壓(頻 率:120Hz)。此時(shí),溫度特性為X5R產(chǎn)品的情況,靜電容量減少約10%,實(shí)際靜電容量值變成20uF。而Y5V產(chǎn)品更甚,靜電容量減少約70%,實(shí) 際靜電容量變成18uF。
各種電容器的靜電容量變化率-交流電壓特性(示例)
圖3 各種電容器的靜電容量變化率-交流電壓特性(示例)

如上所述,鐵電體陶瓷的結(jié)晶粒(Grain)有分域(Domain),各個(gè)自發(fā)極化(Ps)的方向是隨機(jī)的,整體上相當(dāng)于無(wú)極化的狀態(tài)。在此之上施加電場(chǎng) (E)時(shí),電場(chǎng)方向上產(chǎn)生極化,達(dá)到飽和值。在這種狀態(tài)下即使去除電場(chǎng),極化方向也不會(huì)回到原來(lái)無(wú)序隨機(jī)的狀態(tài),多少會(huì)停留在極化時(shí)的狀態(tài)上,形成殘留極 化,在外部顯現(xiàn)。為了讓這種殘留極化歸零,需要反方向的電場(chǎng)。逆電場(chǎng)進(jìn)一步增強(qiáng)時(shí)會(huì)發(fā)生極化反轉(zhuǎn),向相反方向進(jìn)行極化。類似這樣的因外部電場(chǎng)而引起的鐵電 體的極化動(dòng)作如圖4的D-E歷史曲線(磁滯曲線)。

在交流高電壓下,流經(jīng)電容器的電流在鐵電體的情況下會(huì)產(chǎn)生較大的波形失真,因此不能直接適用于線性材料的定義(*1)。但是,從實(shí)際靜電容量值求得的相對(duì)介電常數(shù)(εr)也可以說(shuō)成是磁滯曲線的平均傾斜度(圖4虛線)。
鐵電體的D-E磁滯曲線

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