可以列出一堆公式來推導(dǎo)這個(gè)互感乃至L below,但這個(gè)不是高速先生的風(fēng)格。
PCB設(shè)計(jì)誤區(qū)——“電源加磁珠”,想說愛你不容易(中)
發(fā)布時(shí)間:2015-03-10 來源:吳均 一博科技 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】通過上一篇文章,我們知道平常“耳熟能詳”的電容去耦半徑理論,對(duì)PCB設(shè)計(jì)其實(shí)沒有什么指導(dǎo)意義。0.1uf的電容去耦半徑足夠大,設(shè)計(jì)中參考這個(gè)值沒有用處,工程師還是會(huì)“盡量”把0.1uf電容靠近芯片的電源管教放置。PCB設(shè)計(jì)師需要更有效的理論來指導(dǎo)電容的布局設(shè)計(jì)。
承前:從去耦半徑出發(fā),通過去耦半徑的計(jì)算,讓大家直觀的看到我們常見的電容的“有效范圍”問題。
本節(jié):討論濾波電容的位置與PDN阻抗的關(guān)系,提出“全局電容”與“局部電容”的概念。能看到當(dāng)電容呈現(xiàn)“全局特性”的時(shí)候,電容的位置其實(shí)沒有想象中那么重要。
啟后:多層板設(shè)計(jì)的時(shí)候,電容傾向于呈現(xiàn)“全局特性”,“電源加磁珠”的設(shè)計(jì)方法,會(huì)影響電容在全局范圍內(nèi)起作用。同時(shí)電源種類太多,還會(huì)帶來其他設(shè)計(jì)問題。
通過上一篇文章,我們知道平常“耳熟能詳”的電容去耦半徑理論,對(duì)PCB設(shè)計(jì)其實(shí)沒有什么指導(dǎo)意義。0.1uf的電容去耦半徑足夠大,設(shè)計(jì)中參考這個(gè)值沒有用處,工程師還是會(huì)“盡量”把0.1uf電容靠近芯片的電源管教放置。PCB設(shè)計(jì)師需要更有效的理論來指導(dǎo)電容的布局設(shè)計(jì)。
既然簡(jiǎn)單的用四分之一波長(zhǎng)理論推算的電容去耦半徑不起作用,那么電容放置得離芯片電源管腳比較遠(yuǎn),還會(huì)有哪些影響呢?很多人都答對(duì)了,影響安裝電感。
在上一個(gè)專題的第四篇文章里面,已經(jīng)討論過電容安裝電感的估算。這一次,我們來更詳細(xì)的看看安裝電感。從圖1能看到,安裝電感可以簡(jiǎn)單分為L(zhǎng) above和 L below。
在這里引入兩個(gè)概念:Labove 、Lbelow (電容和IC下面的電流回路大小不一定一樣,但在這里分析的時(shí)候,假定大小等同)
總電感:LTotal= 2Labove+Lbelow
Labove包括電容的ESL和Fan out帶來的電感,我們會(huì)另外專題討論電容的Fan out問題。至于L below就更多收到電容位置的影響。簡(jiǎn)單來說,電容離芯片電源管腳越遠(yuǎn),L below圍成的面積就越大,相應(yīng)的安裝電感就越大。
更具體點(diǎn),Lbelow主要是兩個(gè)過孔的自感和互感,當(dāng)電容的位置離IC器件更近時(shí),如圖2所示,Lbelow的互感增大,因互感的作用與自感的作用相反,導(dǎo)致其整體電感減小,充放電速率更快
[page]可以列出一堆公式來推導(dǎo)這個(gè)互感乃至L below,但這個(gè)不是高速先生的風(fēng)格。
其實(shí)從圖1可以簡(jiǎn)單看出,G和P之間的距離對(duì)L below影響很大,G和P之間的距離越近,L below對(duì)應(yīng)的陰影區(qū)域面積就越小。而L below越小,也就意味這電容可以放得越遠(yuǎn),換句話說,電容的有效濾波范圍更大。電容也就更加傾向于呈現(xiàn)“全局”特性。
下一節(jié)我們還會(huì)通過一個(gè)直觀的仿真,讓大家看到平面距離與安裝電感的關(guān)系,以及為什么說在新的設(shè)計(jì)條件下,電容會(huì)呈現(xiàn)全局特性。
圖3是一個(gè)簡(jiǎn)單的總結(jié),更具體的分析,請(qǐng)聽下回分解。
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