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電路保護器件大顯身手,擺脫移動設(shè)備的ESD困擾

發(fā)布時間:2015-04-27 責(zé)任編輯:echolady

【導(dǎo)讀】移動設(shè)備的設(shè)計復(fù)雜,集成了越來越多的輸入輸出I/O互連。電流密度越高,晶體管尺寸越小,有限空間的芯片保護,都使電子元器件對靜電放電(ESD)等瞬態(tài)電氣過應(yīng)力事件敏感性越強。減少瞬態(tài)事件,有助于防止設(shè)備的數(shù)據(jù)損壞,提升可靠性。

ESD 基礎(chǔ)


ESD事件是兩個具有不同靜電電位的物體經(jīng)由接觸或者電離空氣放電或火花放電而進行能量轉(zhuǎn)移而引起。材料類型、接觸面積、分離速度、相對濕度和其它因素均影響了摩擦充電生成的電荷量。一旦電荷在材料上生成,便成為“靜電”電荷,該電荷可從材料上轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致ESD事件。

靜電的主要來源大多是絕緣裝置,通常是合成材料(比如乙烯基或塑料工作表面、絕緣鞋、經(jīng)涂層整理的木椅子、膠帶、泡沫包裝和帶有未接地針腳的烙鐵)。

圖1所示為典型的ESD特性曲線,為了模擬接觸放電事件,ESD生成器施加一個ESD脈沖到測試設(shè)備上。這項測試的特性是短上升時間和低于100ns的短脈沖持續(xù)時間,表明這是低能量靜態(tài)脈沖。由于這些來源的靜電并非早已分布在其表面或者傳導(dǎo)到其它對象,因此有可能產(chǎn)生極高水平的電壓。

電路保護器件大顯身手,擺脫移動設(shè)備的ESD困擾
圖1. ESD生成器模擬的典型 8KV ESD脈沖

最常見的ESD來源包括:

●帶電的人體 – 人體可能由于行走或其它動作而帶電,如果來自人體的放電是經(jīng)由一個金屬物件如工具,那么造成的ESD損壞便會特別嚴(yán)重。

●拖過地毯的電纜 – 如果一個帶電的電纜插入一個具有任何電荷來源的傳導(dǎo)觸點,便可能生成一個ESD瞬態(tài)。

●搬運聚乙烯袋 –當(dāng)一個電子設(shè)備滑動進入或離開包或管道,便可能生成靜電電荷,這是因為設(shè)備的外殼和/或金屬引線與容器的表面發(fā)生了多次接觸和分離。

ESD事件與電子設(shè)備運作的環(huán)境有關(guān),瞬態(tài)環(huán)境變化很大,汽車系統(tǒng)、機載或艦載設(shè)備、太空系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備或消費產(chǎn)品之間的差異很大。

頻繁地使用移動設(shè)備,使得用戶很可能在連接或斷開電纜期間接觸I/O連接器針腳。在正常運作條件下,觸摸暴露的端口或接口可能導(dǎo)致超過30 kV的放電電壓。

小尺寸半導(dǎo)體器件可能因過多的電壓、高電流水平或二者的結(jié)合而損壞,高電壓水平可能引起柵極氧化層擊穿,而過多的電流可能引起結(jié)點故障和金屬化跡線熔化。
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用于高速I/O接口的ESD保護


隨著 IC制造商已經(jīng)實現(xiàn)更高頻率的 I/O互連,他們繼續(xù)減小晶體管、互連產(chǎn)品,以及器件中二氧化硅(SiO2)絕緣層的最小尺寸,這導(dǎo)致在較低能量水平上發(fā)生擊穿損壞的可能性越來越大,而且使得ESD保護成為一個主要的設(shè)計考慮事項。

根據(jù)IEC61000-4-2國際標(biāo)準(zhǔn),大多數(shù)電子設(shè)備必需滿足最小8 kV接觸放電電壓或15 kV空氣放電電壓要求,然而,許多半導(dǎo)體器件不可耐受這種電氣應(yīng)力水平,有可能永久損壞。為了提高它們的可靠性,必需在系統(tǒng)中設(shè)計采用附加的芯片外保護電路。

用于高速I/O接口的ESD保護設(shè)計有兩個主要的考慮因素:

● 用于高速I/O接口的ESD保護電路必需足夠穩(wěn)健,要能夠有效地保護內(nèi)部電路的薄柵極氧化層避免ESD應(yīng)力的損壞

● 必需最大限度地減小可引起電路性能高速退化的ESD保護器件寄生效應(yīng)

業(yè)界朝分立元件小型化的趨勢方興未艾,常常給設(shè)計人員帶來困難,耗時的工程樣品構(gòu)建和返工難題,以及制造工藝控制問題。

ChipSESD保護器件

TE Connectivity的ChipSESD器件可以滿足高速I/O應(yīng)用的必備要求,還有助于緩減組件和制造難題。如圖2所示,ChipSESD器件可以用于將可能有害的電荷轉(zhuǎn)換離開敏感電路,并且?guī)椭Wo系統(tǒng)避免故障。

電路保護器件大顯身手,擺脫移動設(shè)備的ESD困擾
圖2. ChipSESD器件幫助保護敏感電路避免ESD損壞

ChipSESD器件結(jié)合了有源硅器件和傳統(tǒng)的表面安裝技術(shù)(SMT)無源封裝配置的優(yōu)勢,與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝ESD器件相比,它們可以更方便地安裝和返工。

ChipSESD 器件在8x20μs浪涌下具有2A浪涌額定電流和10kV額定接觸放電電壓。該器件的低泄漏電流(最大值1.0μA)可以減少功耗,而且快速響應(yīng)時間(<1ns)可以幫助設(shè)備通過IEC61000-4-2的 level 4測試。ChipSESD 器件具有4.0pF (0201封裝) 和4.5pF (0402 封裝) 輸入電容,適用于廣泛的移動設(shè)備應(yīng)用。

除了小外形尺寸(0201和0402尺寸),ChipSESD器件的雙向運作亦便于貼裝在印刷電路板上,而沒有方向限制,并且可以省去極性檢測。無源封裝允許器件安裝在PCB上之后進行簡便的焊接檢測,有別于在器件底部使用焊盤的傳統(tǒng)ESD二極管封裝。

結(jié)語

從工廠車間至用戶家中,電子設(shè)備隨時隨地都可能會遭受靜電損壞。ESD瞬態(tài)現(xiàn)象可能破壞設(shè)備的運作,或者導(dǎo)致潛在的損壞。小外形尺寸的低電容 ChipESD 器件為這些問題提供了簡單的高成本效益解決方案。

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