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可控硅整流器必須要哪些保護措施,你知道嗎?

發(fā)布時間:2015-12-16 責任編輯:sherry

【導(dǎo)讀】盡管可控硅本身在選擇時就已準備了很大的電流電壓裕量,然而為了使它的工作穩(wěn)定性更加出色,工程師在使用這一元件進行電路設(shè)計時,還必須為其加上各種保護。在今天的文章中,我們將會就可控硅整流器的保護措施,進行簡要介紹。
 
可控硅整流器在工作時的可靠性和持續(xù)穩(wěn)定性,離不開各項保護措施的有效設(shè)置。盡管可控硅本身在選擇時就已準備了很大的電流電壓裕量,然而為了使它的工作穩(wěn)定性更加出色,工程師在使用這一元件進行電路設(shè)計時,還必須為其加上各種保護。

晶閘管關(guān)斷過電壓保護
 
在可控硅整流器的正常工作過程中,晶閘管關(guān)斷過電壓保護措施的設(shè)置,是保證整流器安全運行的重要保障。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在可控硅的關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小,這也就意味著diG/dt極大,由此所產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓。數(shù)值可達工作電壓的5到6倍。保護措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。

交流側(cè)過電壓保護
 
除了晶閘管關(guān)斷過電壓保護措施之外,可控硅整流器的交流側(cè)過電壓保護也同樣是必不可少的。在電路系統(tǒng)的設(shè)計過程中,由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,因此會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓,而這種瞬時過電壓對整流器的危害是相當大的。想要對瞬時過電壓進行控制,并保障可控硅整流器的安全工作,工程師可以選擇在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容,這種設(shè)置能夠顯著減小這種過電壓。
 
直流側(cè)過電壓保護
 
可控硅整流器的直流側(cè)過電壓保護措施,也同樣是非常重要的。當負載斷開時或快熔斷時,儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓,顯然在交流側(cè)阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓,但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大,還不能完全消除。想要對直流側(cè)過電壓進行抑制,目前工程師們常用的方法是使用壓敏吸收進行保護。除此之外,整流器的過電流保護也同樣是需要工程師進行逐一的,通常情況下的做法是添加快速熔斷器進行保護,實際上它不能保護可控硅,而是保護變壓器線圈。
 
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