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增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的電池反接保護(hù)電路介紹

發(fā)布時(shí)間:2018-09-17 責(zé)任編輯:xueqi

【導(dǎo)讀】一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法,在電池接反時(shí),PN結(jié)反接無電壓降,但在正常工作時(shí)有0.6~0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電阻低的增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω,則在lA時(shí)約為0.04V。
 
功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路
 
1、電池反接保護(hù)電路
 
電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法,在電池接反時(shí),PN結(jié)反接無電壓降,但在正常工作時(shí)有0.6~0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電阻低的增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω,則在lA時(shí)約為0.04V。這時(shí)要注意在電池正確安裝時(shí),ID并非完全通過管內(nèi)的二極管,而是在VGS≥5V時(shí),N導(dǎo)電溝道暢通(它相當(dāng)于一個(gè)極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負(fù))。而當(dāng)電池裝反時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)不通,電路得以保護(hù)。
 
NMOS管接在電源的負(fù)極,柵極高電平導(dǎo)通。
 
PMOS管接在電源的正極,柵極低電平導(dǎo)通。
 
2、觸摸調(diào)光電路
 
一種簡(jiǎn)單的觸摸調(diào)光電路如圖10。當(dāng)手指觸摸上觸頭時(shí),電容經(jīng)手指電阻及100k充電,VGS漸增大,燈漸亮;當(dāng)觸摸下觸頭時(shí),電容經(jīng)
 
100k及手指電阻放電,燈漸暗到滅。
 
3、甲類功率放大電路
 
由R1、R2建立VGS靜態(tài)工作點(diǎn)(此時(shí)有一定的ID流過)。當(dāng)音頻信號(hào)經(jīng)過C1耦合到柵極,使產(chǎn)生-△VGS,則產(chǎn)生較大的△ID,經(jīng)輸出變壓器阻抗匹配,使4~8Ω喇叭輸出較大的聲功率。圖ll中Dw為9V穩(wěn)壓二極管,是保護(hù)G、S極以免輸入過高電壓而擊穿。從圖中也可以看出,偏置電阻的數(shù)值較大,因?yàn)闁艠O輸入阻抗極高,并且無柵流。
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