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單相全橋逆變器的操作

發(fā)布時間:2023-02-21 責任編輯:lina

【導讀】如前所述,單相全橋逆變器用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。在該電路中,電子開關成對工作,在一個半波中,只有S1和S2閉合,而在另一個半波中,S3和S4閉合。逆變器的輸出是可變頻率的交流電壓,取決于驅(qū)動設備的波形頻率。圖 1 顯示了該逆變器的一般操作圖。實際上,電路的“a”部分中的電子開關與“b”部分中的電子開關互補控制。在這種情況下,開關是理想的設備。


如前所述,單相全橋逆變器用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。在該電路中,電子開關成對工作,在一個半波中,只有S1和S2閉合,而在另一個半波中,S3和S4閉合。逆變器的輸出是可變頻率的交流電壓,取決于驅(qū)動設備的波形頻率。圖 1 顯示了該逆變器的一般操作圖。實際上,電路的“a”部分中的電子開關與“b”部分中的電子開關互補控制。在這種情況下,開關是理想的設備。這兩個信號使用相等且相反的參考電壓進行調(diào)制。通常,相同的電載波用于兩個驅(qū)動信號。


單相全橋逆變器的操作
圖1:單相全橋逆變器原理圖


單相全橋電壓發(fā)生器逆變器由四個斬波電路組成,如圖 2 所示。其中有四個晶體管或 MOSFET(Q1、Q2、Q3 和 Q4)。它們可以單獨和獨立地驅(qū)動,因此終的操作會根據(jù)順序以及電子開關的打開和關閉方式而有所不同。由于其電子元件形成的奇特圖形形狀,該設備也被稱為“H 橋”。終結(jié)果是使用相同電源電壓的兩個單相、兩電平逆變器的組合。我們將在下面檢查不同的激活序列:

如果開關元件 Q1 和 Q2 都閉合,則負載(存在于節(jié)點“a”和“b”之間)承受等于 Vs 的電壓,并且恰好在節(jié)點“a”處存在大約 Vs 的電壓值并且在節(jié)點“b”有一個大約GND的電壓值

如果開關元件 Q3 和 Q4 都閉合,則負載(存在于節(jié)點“a”和“b”之間)承受等于 Vs 的電壓,但這次極性相反,恰好在節(jié)點“a”處有一個大約 GND 的電壓值,而在節(jié)點“b”處有大約 Vs 的電壓值。


單相全橋逆變器的操作
圖2:單相橋式VSI逆變器原理圖


流過負載的電流并不理想,但它受到電子開關電阻值的影響,正如我們所知,這也不是真實的。相反,流過按順序連接的兩個晶體管的電流,出于所有意圖和目的,必須穿過兩條電阻線,其值非常低但仍然很重要。圖 3 顯示了根據(jù)電子開關的不同邏輯狀態(tài)的電流路徑。


單相全橋逆變器的操作
圖 3:在單相橋式逆變器中,電流路徑取決于電子開關的邏輯狀態(tài)


輸出電壓的理論有效值可使用以下等式確定:


單相全橋逆變器的操作


方波控制允許以這樣的方式驅(qū)動橋式開關,即每個負載端子在半個周期內(nèi)連接到直流電源的正極端子,在半個周期內(nèi)連接到負極端子。以這種方式,橋的兩個分支被交叉驅(qū)動。我們現(xiàn)在將檢查四個電子開關(晶體管或 MOSFET)的四種開關操作狀態(tài)。下表給出了在各種操作模式下節(jié)點“a”和“b”上存在的不同電壓。下表證明了單相橋式逆變器的操作,其中列出了各種開關的邏輯條件,以及有關電壓和導通組件的其他信息。


單相全橋逆變器的操作


值得注意的是,當二極管 D1 和 D2 導通時,循環(huán)電流作為正反饋返回到電壓發(fā)生器。在純電阻負載的情況下,瞬時功率值等于瞬時電壓乘以瞬時電流的乘積。另一方面,如果負載是電感性的,則其電流和電壓是正弦曲線。任何諧波都會返回電壓發(fā)生器,應該通過與電壓發(fā)生器并聯(lián)一個大電容來消除或減少諧波,不幸的是,這會增加此類逆變器的重量、體積和成本。為避免相反的開關同時導通,在兩個電源命令之間實現(xiàn)了一個小的死區(qū)時間。在這種接線方案中,優(yōu)點是使用單一電源電壓。開關成對工作,在一個半波中只有 Q1 和 Q2 閉合,在另一個半波中 Q3 和 Q4 閉合。對于過時的 SCR,典型的工作頻率為 50 Hz 或 300 Hz,這些值都在可聽音頻頻譜范圍內(nèi),因此舊設備會產(chǎn)生令人不快的哨聲和聲學音符。使用新的電子元件,可以增加這個頻率。如果假設有強電感負載,則電流呈現(xiàn)對稱的三角形模式(參見圖 4 中的相應圖表)。圖中顯示了負載上的電壓和電流,在每個周期內(nèi),有四個不同的導通區(qū)間,對應一個確定的電路。切換后,感性負載上的電流不能突變,瞬間反轉(zhuǎn)方向,方波呈現(xiàn)幅度較大的諧波和其他奇次諧波,諧波失真率約為48%。使用特殊濾波器可以大大減少這些諧波。


單相全橋逆變器的操作
圖 4:負載上的電壓和電流圖


結(jié)論

2999) 組件可以幫助提高電子設備的效率。它們是半導體材料,與傳統(tǒng)硅相比具有更優(yōu)異的電性能,例如更高的耐溫性和更低的內(nèi)阻。這意味著基于SiC和 GaN 的電子設備可以更快地運行并且能量損失更少,從而提高整體效率。它們可以設計用于太陽能系統(tǒng)中的大量使用,因為它們可以處理可變的直流輸入電壓并產(chǎn)生非常穩(wěn)定的交流輸出電壓。此外,它們可以處理非線性負載,例如電感負載、電容負載和混合負載,因此非常適合用于住宅和工業(yè)應用。


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