【導讀】本實驗將借助ADALM2000平臺深入探索有源混頻器的核心原理與應用特性。作為具備頻率轉換功能的三端口電路，有源混頻器通過內置晶體管等有源元件，在實現射頻與中頻信號變換的同時提供顯著的轉換增益，這一特性使其在通信收發(fā)系統(tǒng)中具有關鍵價值。
目標
本實驗的目標是幫助理解有源混頻器的基本概念。
背景知識
本實驗將借助ADALM2000平臺深入探索有源混頻器的核心原理與應用特性。作為具備頻率轉換功能的三端口電路，有源混頻器通過內置晶體管等有源元件，在實現射頻與中頻信號變換的同時提供顯著的轉換增益，這一特性使其在通信收發(fā)系統(tǒng)中具有關鍵價值。
圖1.混頻器的符號表示
如圖1所示，混頻器的輸出有兩種形式?；祛l器接收兩個不同頻率的輸入信號，輸出一個頻率信號；從圖中可見，輸出頻率既可以是兩個輸入頻率的和頻，也可以是兩者的差頻。這些頻率分別與如下之一對應：本地振蕩器頻率(LO)、射頻頻率(RF)和中頻頻率(IF)。
混頻器的主要用途是實現頻率轉換，轉換過程可分為上變頻和下變頻兩類。其中，LO端口始終為輸入端口；而RF端口和IF端口的角色則取決于具體應用場景，既可作為輸入端口，也可作為輸出端口。在下變頻混頻器中，另一個輸入端口為RF端口，輸出則是頻率更低的IF信號（如圖2a所示）。
圖2.(a)下變頻混頻器示意圖；(b)上變頻混頻器示意圖
在上變頻混頻器中，另一個輸入是IF，輸出則是RF信號，如圖2b所示。
材料
?ADALM2000主動學習模塊
?無焊試驗板和跳線套件
?兩個1 kΩ電阻
?兩個6.8 kΩ電阻
?一個OP37精密運算放大器
?一個LTC1043精密開關電容模塊
?三個N通道MOSFET（2-ZVN3310，1-ZVN2210A）
單平衡有源混頻器
混頻器還可分為單平衡混頻器與雙平衡混頻器，兩者各有優(yōu)缺點。
單平衡混頻器常稱為“平衡混頻器”，這種混頻器類型僅能抑制LO信號或RF信號中的一種，而非同時抑制這兩種信號。這種混頻器的應用較為少見，因為它對輸入LO信號中的噪聲較為敏感。主要缺點是存在IF-LO串擾現象，即當IF信號頻率與LO信號頻率相差不大時，LO信號可能會泄漏到IF信號中。單平衡混頻器的簡易電路如圖3所示。
圖3.單平衡混頻器
硬件設置
按照圖4所示，構建以下試驗板連接。
程序步驟
使用信號發(fā)生器W1和W2作為混頻器的頻率輸入。對于LO頻率，使用W1并將其設置為5 V、210 kHz的正弦波。對于RF輸入，則使用W2。在進行上變頻混頻時，
圖4.單平衡混頻器試驗板連接
W2的頻率應低于LO頻率，因此將W2設置為5 V、25 kHz的正弦波。預期輸出頻率為185 kHz和235 kHz。模擬通道Ch2用于監(jiān)測RF輸入信號W2，而Ch1則通過頻譜分析儀監(jiān)測IF輸出信號。結果如圖5a所示。
圖5.(a)上變頻頻譜圖；(b)下變頻頻譜圖
進行下變頻混頻時，將W2設置為5 V、260 kHz的正弦波；這將作為混頻器的RF輸入。預期輸出頻率為50 kHz，頻譜結果應類似于如圖5b所示。
基于LTC1043實現的單平衡有源混頻器
背景知識
理想情況下，若要實現混頻器低噪聲、高線性度的目標，需要設計一個能響應LO輸入信號、實現極性切換功能的電路。因此，混頻器可以簡化為圖6所示形式：RF信號被分為同相(0°)分量與反相(180°)分量；一個由LO信號驅動的轉換開關，會交替選擇同相信號與反相信號輸出。因此，從本質上簡化來看，理想的混頻器可建模為一個符號開關。
圖6.理想的開關混頻器
仿真
為演示混頻原理，可采用圖6所示的理想開關混頻器。該混頻器可通過LTC1043 CMOS模擬開關構建，這是一款單芯片、電荷平衡的雙通道開關電容儀表級構建模塊。其內部的一對開關會交替執(zhí)行兩個動作：先將外部電容連接至輸入電壓，再將充好電的電容連接至輸出端口?；祛l器內置了一個時鐘，其頻率可通過外接電容調節(jié)：若未在引腳Cosc連接電容，內部振蕩器頻率將為210 kHz；若外接39 pF電容（元件套件中最小容量的電容），LTC1043內部振蕩器頻率則會變?yōu)?0 kHz。本次仿真基于“Cosc引腳未接電容”的結構進行。
圖7.基于LTC1043的開關混頻器
圖7展示了LTspice?中的電路，該電路也可通過硬件元件在試驗板上實現。我們使用LTC1043第一組開關的輸入端。輸入信號將由信號發(fā)生器的通道1生成，并連接至引腳S1A。為獲取該輸入信號的反相版本，我們構建了一個簡單的單位增益反相放大器，并將其輸出連接至引腳S2A。輸出可在引腳CA+處觀測，需通過示波器的通道2正極進行監(jiān)測。若要實現下變頻混頻器，需將信號發(fā)生器通道1的頻率設置為高于振蕩器的頻率（例如250 kHz）。此時輸出頻率為這兩個頻率的差值，即40 kHz。參見圖8。
圖8.下變頻混頻器的FFT分析圖
若將信號發(fā)生器通道1的頻率設置為60 kHz，混頻器輸出將包含兩個頻率分量：一個為和頻(fLo + fin = 270 kHz)，另一個為差頻(fLo–fin = 150 kHz)。上變頻混頻器的FFT分析圖可參見圖9。
圖9.上變頻混頻器的FFT分析圖
雙平衡混頻器或吉爾伯特單元
雙平衡混頻器主要用于避免輸出信號中出現LO產物。這種結構需包含兩個單平衡混頻器電路，配備兩個并聯(lián)連接的差分RF晶體管，形成一對反向并聯(lián)的開關對。LO產物項會被抵消，且輸出信號中的RF信號幅度也會加倍。這種結構的LO與IF之間具有高隔離度，有助于降低混頻后信號濾波環(huán)節(jié)的性能要求。在噪聲方面，由于采用了差分RF信號，這類混頻器比單平衡混頻器的抗噪聲能力更強。該類型混頻器也被稱為吉爾伯特單元。參見圖10。
圖10.吉爾伯特單元結構
從電路中可觀察到，吉爾伯特單元混頻器具有高度對稱性。這種對稱性不僅能實現電路平衡，還能在輸出端抑制LO和RF信號。在使用分立元件的系統(tǒng)中，吉爾伯特單元的應用并不廣泛，原因是其所需的元件數量較多；但對于集成電路而言，吉爾伯特單元混頻器是理想之選。因為在集成電路中，元件數量并非關鍵考量因素，且這種混頻器無需變壓器或其他電感器等繞制元件，同時還能提供高水平的性能。
LTspice仿真
由于元件套件中提供的元件數量不足以構建該電路，因此我們轉而在LTspice軟件中對電路進行仿真。仿真所需的LTspice文件可從GitHub上的LTspice教育工具下載。圖11展示了該電路的IF輸出信號，此結果由IF正、負輸出差值計算得出。
圖11.吉爾伯特單元的LTspice仿真圖。
基于LTC1043實現的雙平衡有源混頻器。
雙平衡混頻器結構需要兩個單平衡電路。我們可以利用LTC1043構建這種結構，因為它包含多個開關，能夠提供所需的反向并聯(lián)開關對。圖12所示為該電路的原理圖。電路及其連接方式基本相同，僅第二組開關（S3A、S4A）的輸入端與第一組開關（S1A、S2A）的輸入端反向連接。在這種情況下，可通過示波器的通道2正極（連接至CA+引腳）和通道2負極（連接至CA–引腳）觀測輸出信號。
圖12.基于LTC1043的雙平衡混頻器
為分析下變頻結構，需將信號發(fā)生器通道1設置為頻率250 kHz、峰峰值1 V的正弦波。下變頻的FFT分析結果如圖13所示。
圖13.下變頻FFT分析圖
對于上變頻，信號發(fā)生器通道1生成的正弦波頻率需低于LTC1043內部振蕩器的頻率（例如50 kHz）。該頻率下的FFT分析結果如圖14所示。
圖14.上變頻FFT分析圖
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