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Qi充電獲得亟需的安全性能提升
新技術(shù)的出現(xiàn)受到了反對意見的阻礙，Qi感應(yīng)式充電技術(shù)頗費(fèi)時日才被廣泛接受。因此，雖然Qi早在2010年就已發(fā)布，但又過了五年才占據(jù)主導(dǎo)地位。自那時起，無線充電聯(lián)盟（WPC）對Qi進(jìn)行了重大改進(jìn)，但直到2021年初，聯(lián)盟才增加了一項協(xié)議，從而使支持Qi的設(shè)備制造商能夠驗證充電器的身份及其對Qi規(guī)范的...
2023-04-14
Qi充電 無線充電
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針對高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)...
2023-04-13
寬帶隙半導(dǎo)體器件 高壓應(yīng)用
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LVDT 解調(diào)：整流器類型與同步解調(diào)
在許多應(yīng)用中，調(diào)節(jié)電路距離傳感器很遠(yuǎn)。一個很好的例子是在放射性應(yīng)用的惡劣環(huán)境中進(jìn)行測量，其中調(diào)節(jié)電路應(yīng)放置在安全區(qū)域，甚至距離 LVDT 數(shù)百米。在這些情況下，通過 5 線配置長距離傳輸兩個次級電壓可能具有挑戰(zhàn)性。對于遠(yuǎn)離 LVDT 的調(diào)節(jié)模塊，需要具有低分布電容的均衡布線。這意味著布線成本...
2023-04-11
LVDT 整流器
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電源模塊的本手與應(yīng)用妙手
現(xiàn)如今電是不可或缺的能源，給電器設(shè)備注入了電，設(shè)備才有了活力，有電的設(shè)備就需要用到電源模塊，而一個好的電源模塊是本手，簡單外圍電路能夠使模塊進(jìn)一步安全穩(wěn)定的運(yùn)行是應(yīng)用中的妙手？
2023-04-11
電源模塊 應(yīng)用 浪涌
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電壓可以是負(fù)的嗎？
負(fù)電壓的概念有時不如正電壓的概念直觀。也許這是因為許多低壓電子系統(tǒng)不使用負(fù)電壓電源，或者因為“負(fù)”電壓意味著電源具有“小于零”的驅(qū)動電流通過電路的能力。
2023-04-06
電壓 負(fù)
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智能節(jié)能插座的設(shè)計
計算機(jī)外部設(shè)備(如打印機(jī)、掃描儀、音響等)的待機(jī)能耗不但增加了消費(fèi)者的日常電費(fèi)開支，也使電力資源浪費(fèi)極大。該設(shè)計的計算機(jī)智能節(jié)能插座利用主機(jī)的開機(jī)和關(guān)機(jī)來帶動其他設(shè)備的開或關(guān)，使其接口設(shè)備待機(jī)能耗為零，能夠減少計算機(jī)及其外設(shè)所產(chǎn)生的輻射，以此達(dá)到節(jié)能和環(huán)保功效；同時還具備有分段...
2023-04-04
智能節(jié)能插座
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汽車12V和24V電池輸入保護(hù)推薦
汽車電池電源線路在運(yùn)行系統(tǒng)時容易出現(xiàn)瞬變。所需的典型保護(hù)包括過壓、過載、反極性和跨接啟動。在汽車 的生命周期中，交流發(fā)電機(jī)可能會被更換為非OEM 部件。售后市場上的交流發(fā)電機(jī)可能具有不同的負(fù)載突降(LOAD DUMP)保護(hù)或沒有負(fù)載突降保護(hù)，這可能導(dǎo)致?lián)p壞電子控制單元 (ECU)。前裝產(chǎn)品在設(shè)計初...
2023-04-03
汽車 電池 輸入保護(hù)
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跨越速運(yùn)集團(tuán)有限公司：速度與安全至上，時時為客戶護(hù)航
第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將于2023年4月7-9日在深圳會展中心（福田）拉開帷幕。本屆展會將呈現(xiàn)8萬平米展示面積，匯聚超1200參展企業(yè)，舉辦40余場同期活動，吸引超8萬人次觀眾。
2023-03-31
跨越速運(yùn)
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設(shè)計基于 GaN 的電源系統(tǒng)的更簡單方法：比較市場上的集成驅(qū)動器產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統(tǒng)設(shè)計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高電源效率，并支持更高的開關(guān)頻率，從而減小系統(tǒng)尺寸和重量。
2023-03-29
電源系統(tǒng) GaN
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