中心論題：

• EMI濾波器的構(gòu)造原理、基本電路及典型應用
• EMI濾波器在開關(guān)電源中的應用
• EMI濾波器的主要技術(shù)參數(shù)及測量插入損耗的方法

解決方案：

• 采用兩級濾波，抑制串模、共模干擾
• 單片開關(guān)電源采用簡易式單級EMI濾波器
• 逐點測出插入損耗，繪出插入損耗曲線
• 用電子開關(guān)對兩種測試電路進行快速切換

 
隨著電子設(shè)備、計算機與家用電器的大量涌現(xiàn)和廣泛普及，電網(wǎng)噪聲干擾日益嚴重并形成一種公害。特別是瞬態(tài)噪聲干擾，其上升速度快、持續(xù)時間短、電壓振幅度高(幾百伏至幾千伏)、隨機性強，對微機和數(shù)字電路易產(chǎn)生嚴重干擾，常使人防不勝防，這已引起國內(nèi)外電子界的高度重視。

電磁干擾濾波器(EMI Filter)是近年來被推廣應用的一種新型組合器件。它能有效地抑制電網(wǎng)噪聲，提高電子設(shè)備的抗干擾能力及系統(tǒng)的可靠性，可廣泛用于電子測量儀器、計算機機房設(shè)備、開關(guān)電源、測控系統(tǒng)等領(lǐng)域。
 
電磁干擾濾波器的構(gòu)造原理及應用
a.構(gòu)造原理
電源噪聲是電磁干擾的一種，其傳導噪聲的頻譜大致為10kHz~30MHz，最高可達150MHz。根據(jù)傳播方向的不同，電源噪聲可分為兩大類：一類是從電源進線引入的外界干擾，另一類是由電子設(shè)備產(chǎn)生并經(jīng)電源線傳導出去的噪聲。這表明噪聲屬于雙向干擾信號，電子設(shè)備既是噪聲干擾的對象，又是一個噪聲源。若從形成特點看，噪聲干擾分串模干擾與共模干擾兩種。串模干擾是兩條電源線之間(簡稱線對線)的噪聲，共模干擾則是兩條電源線對大地(簡稱線對地)的噪聲。因此，電磁干擾濾波器應符合電磁兼容性(EMC)的要求，也必須是雙向射頻濾波器，一方面要濾除從交流電源線上引入的外部電磁干擾，另一方面還能避免本身設(shè)備向外部發(fā)出噪聲干擾，以免影響同一電磁環(huán)境下其他電子設(shè)備的正常工作。此外，電磁干擾濾波器應對串模、共模干擾都起到抑制作用。

b.基本電路及典型應用
電磁干擾濾波器的基本電路如圖1所示。

該五端器件有兩個輸入端、兩個輸出端和一個接地端，使用時外殼應接通大地。電路中包括共模扼流圈(亦稱共模電感)L、濾波電容C1~C4。Ｌ對串模干擾不起作用，但當出現(xiàn)共模干擾時，由于兩個線圈的磁通方向相同，經(jīng)過耦合后總電感量迅速增大，因此對共模信號呈現(xiàn)很大的感抗，使之不易通過，故稱作共模扼流圈。它的兩個線圈分別繞在低損耗、高導磁率的鐵氧體磁環(huán)上，當有電流通過時，兩個線圈上的磁場就會互相加強。L的電感量與EMI濾波器的額定電流I有關(guān)，參見表1。

需要指出，當額定電流較大時，共模扼流圈的線徑也要相應增大，以便能承受較大的電流。此外，適當增加電感量，可改善低頻衰減特性。C1和C2采用薄膜電容器，容量范圍大致是0.01Μf~0.47μF，主要用來濾除串模干擾。C3和C4跨接在輸出端，并將電容器的中點接地，能有效地抑制共模干擾。C3和C4亦可并聯(lián)在輸入端，仍選用陶瓷電容，容量范圍是2200Pf~0.1μF。為減小漏電流，電容量不得超過0.1μF，并且電容器中點應與大地接通。C1~C4的耐壓值均為630VDC或250VAC。圖2示出一種兩級復合式EMI濾波器的內(nèi)部電路，由于采用兩級(亦稱兩節(jié))濾波，因此濾除噪聲的效果更佳。針對某些用戶現(xiàn)場存在重復頻率為幾千赫茲的快速瞬態(tài)群脈沖干擾的問題，國內(nèi)外還開發(fā)出群脈沖濾波器(亦稱群脈沖對抗器)，能對上述干擾起到抑制作用。
 
EMI濾波器在開關(guān)電源中的應用
為減小體積、降低成本，單片開關(guān)電源一般采用簡易式單級EMI濾波器，典型電路如圖3所示

圖(a)與圖(b)中的電容器C能濾除串模干擾，區(qū)別僅是圖(a)將C接在輸入端， 圖(b)則接到輸出端。圖(c)、(d)所示電路較復雜，抑制干擾的效果更佳。圖(c)中的L、C1和C2用來濾除共模干擾，C3和C4濾除串模干擾。R為泄放電阻，可將C3上積累的電荷泄放掉，避免因電荷積累而影響濾波特性；斷電后還能使電源的進線端L、N不帶電，保證使用的安全性。圖(d)則是把共模干擾濾波電容C3和C4接在輸出端。
EMI濾波器能有效抑制單片開關(guān)電源的電磁干擾。圖4中曲線a為不加EMI濾波器時開關(guān)電源上0.15MHz~30MHz傳導噪聲的波形(即電磁干擾峰值包絡(luò)線)。曲線b是插入如圖3(d)所示EMI濾波器后的波形，能將電磁干擾衰減50dBμV~70dBμV。顯然，這種EMI濾波器的效果更佳。
 

EMI濾波器的技術(shù)參數(shù)及測試方法
a.主要技術(shù)參數(shù)
EMI濾波器的主要技術(shù)參數(shù)有：額定電壓、額定電流、漏電流、測試電壓、絕緣電阻、直流電阻、使用溫度范圍、工作溫升Tr、插入損耗AdB、外形尺寸、重量等。上述參數(shù)中最重要的是插入損耗(亦稱插入衰減)，它是評價電磁干擾濾波器性能優(yōu)劣的主要指標。
插入損耗(AdB)是頻率的函數(shù)，用dB表示。設(shè)電磁干擾濾波器插入前后傳輸?shù)截撦d上的噪聲功率分別為P1、P2，有公式：
AdB=10lg P1/P2(1)
假定負載阻抗在插入前后始終保持不變，則P1=V12/Z，P2=V22/Z。式中V1是噪聲源直接加到負載上的電壓，V2是在噪聲源與負載之間插入電磁干擾濾波器后負載上的噪聲電壓，且V2＜＜V1。代入(1)式中得到
AdB=20lg (2)
插入損耗用分貝(dB)表示，分貝值愈大，說明抑制噪聲干擾的能力愈強。鑒于理論計算比較煩瑣且誤差較大，通常是由生產(chǎn)廠家進行實際測量，根據(jù)噪聲頻譜逐點測出所對應的插入損耗，然后繪出典型的插入損耗曲線，提供給用戶。

圖5給出一條典型曲線。由圖可見，該產(chǎn)品可將1MHz~30MHz的噪聲電壓衰減65dB。
計算EMI濾波器對地漏電流的公式為
ILD=2πfCVC(3)
式中，ILD為漏電流，f是電網(wǎng)頻率。以圖1為例，f=50Hz，C=C3+C4=4400pF，VC是C3、C4上的壓降，亦即輸出端的對地電壓，可取VC≈220V/2=110V。由(3)式不難算出，此時漏電流ILD=0.15mA。C3和C4若選4700pF，則C=4700pFX2=9400pF，ILD=0.32mA。顯然，漏電流與C成正比。對漏電流的要求是愈小愈好，這樣安全性高，一般應為幾百微安至幾毫安。在電子醫(yī)療設(shè)備中對漏電流的要求更為嚴格。
需要指出，額定電流還與環(huán)境溫度TA有關(guān)。例如國外有的生產(chǎn)廠家給出下述經(jīng)驗公式：
I=I1(4)
式中，I1是40°C時的額定電流。舉例說明，當TA=50℃時，I=0.88I1；而當TA=25℃時，I=1.1511。這表明，額定電流值隨溫度的降低而增大，這是由于散熱條件改善的緣故。
b.測量插入損耗的方法
測量插入損耗的電路如圖6所示。

e是噪聲信號發(fā)生器，Zi是信號源的內(nèi)部阻抗，ZL是負載阻抗，一般取50Ω。噪聲頻率范圍可選10kHz~30MHz。首先要在不同頻率下分別測出插入前后負載上的噪聲壓降V1、V2，再代入(2)式中計算出每個頻率點的AdB值，最后繪出插入損耗曲線。需要指出，上述測試方法比較煩瑣，每次都要拆裝EMI濾波器。為此可用電子開關(guān)對兩種測試電路進行快速切換。