【導(dǎo)讀】節(jié)省更多系統(tǒng)版上的空間，降低成本也為更多新功能的拓展創(chuàng)造了空間的原邊反饋很是被重用，但是由于元器件和電路相鄰的較近，所以對EMC和EMI的要求就異常嚴(yán)格，器件工作中相互產(chǎn)生的干擾很有可能導(dǎo)致癱瘓。如何避免呢？
原邊反饋?zhàn)鳛橐环N新型的AC-DC控制技術(shù)與傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)相比省去部分元器件，從而節(jié)省更多系統(tǒng)版上的空間，不僅降低了成本也為更多新功能的拓展創(chuàng)造了空間。但是由于元器件和電路相鄰的較近，所以對EMC和EMI的要求就異常嚴(yán)格，器件工作中相互產(chǎn)生的干擾很有可能導(dǎo)致癱瘓。EMC的作用就是減少傳輸線的突變和不連續(xù)的地方，并避免產(chǎn)生電磁輻射，這點(diǎn)對設(shè)計(jì)來說至關(guān)重要。
EMC滲透到電子設(shè)計(jì)的方方面面，今天我們就PSR原邊反饋開關(guān)電源來談?wù)勂渲械腅MC設(shè)計(jì)。想要做好設(shè)計(jì)，首先先要從電路板說起，讓我們先談?wù)凱CB LAYOUT的注意點(diǎn)。眾所周知，EMC對地線走線要求比較嚴(yán)格，在PSR當(dāng)中的初級地線，可以分為4個(gè)地線。
這4個(gè)地線需采用“一點(diǎn)接地”的布局。
1. C8的地線為電源輸入第。
2. R5的地為功率地。
3. C2的地為小信號地。
4. 變壓器PIN3的地為屏蔽地。
這4個(gè)地的交接點(diǎn)為C8的負(fù)端，即輸入電壓經(jīng)整流橋后過C1到C8地，R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨(dú)連線直接引致C8負(fù)端相連，連線盡量短;R5地線因考慮到壓降和干擾應(yīng)盡量寬些。C5,R10,U1 PIN7和PIN8地線匯集致C2負(fù)端再連接于C8負(fù)端。如果為雙面板，以上4條地線盡量不要采用過孔連接，不得以可以采用多個(gè)過孔陣列以減小過孔壓降。
如果在底線布局的比較妥當(dāng)，那么產(chǎn)品的共模干擾就會(huì)非常小。因PSR線路負(fù)載時(shí)工作在PFM狀態(tài)下的DCM模式，DI/DT的增大和頻率的提升，所以較難處理的是傳導(dǎo)150K~5M差模干擾。就依圖從左到右針對有影響EMC的元件進(jìn)行逐個(gè)分析。
1. 保險(xiǎn)絲
將保險(xiǎn)絲換用保險(xiǎn)電阻理論上來講對產(chǎn)品效率是有負(fù)面影響的，但實(shí)際表現(xiàn)并不明顯，所以保險(xiǎn)絲可以采用10/1W的保險(xiǎn)電阻來降低150K附近的差模干擾，對通過5級能耗并無太大影響，且成本也有所降低。
2. C1,L2,C8
PSR工作在DCM模式，相對而言其輸入峰值電流會(huì)大很多，所以輸入濾波很重要。峰值電流的增大會(huì)導(dǎo)致低壓輸入時(shí)母線電壓較低，且C8的溫升也會(huì)增加;為了提高母線電壓和降低C8的溫升，需提高C1的容量和使用LOW ESR的C1和C8。因?yàn)樘岣逤1的容量后，C1和C8的工作電壓會(huì)上升，在輸出功率不變的情況下，輸入的峰值電流就會(huì)降低。因L2的作用，實(shí)際表現(xiàn)為增加C1的容量比增加C8的容量抑制EMC會(huì)更有效。
一般取C1為6.8uF，C8為4.7uF效果較好，若受空間限制，采用8.2u與3.3u也比采用2個(gè)2.7u的EMC抑制效果好。L2一般從成本考慮采用色環(huán)電感，因色環(huán)電感的功率有限，電感量太大會(huì)嚴(yán)重影響效率，一般取330u~2mH,2mH是效率影響開始變得明顯，330u對差模干擾的作用不夠分量，為了使效率影響最低且對差模干擾抑制較佳，建議采用1mH。
因?yàn)?ldquo;一點(diǎn)接地”的布局匯集點(diǎn)在C8的負(fù)端，在C8負(fù)端輸入電流的方向是經(jīng)過C1和BD1流回輸入端，根據(jù)傳導(dǎo)測試的原理，這樣產(chǎn)生消極影響，所以需在C1與C8的地線上作處理，有空間的可以再中間增加磁珠跳線，空間受限可以采用PCB layout曲線來實(shí)現(xiàn)，雖然效果會(huì)弱些，但相比直線連接會(huì)改善不少。
3. R6,D2,R2,C4
RCD吸收對EMC的影響大家都應(yīng)該已經(jīng)了解，這里主要說下R6與D2對EMC的影響。R6的加入和D2采用恢復(fù)時(shí)間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負(fù)作用，但對傳導(dǎo)有益。所以在整改EMC時(shí)此處的修改對空間輻射與傳導(dǎo)的取舍還得引起注意。
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4. R5
R5既為電流檢測點(diǎn)也是限功率設(shè)置點(diǎn)。所以R5的取值會(huì)影響峰值電流也會(huì)影響OPP保護(hù)點(diǎn)。建議在OPP滿足的情況下盡量取大些。一般不低于2R，建議取2.2R。
5. R4,R10,D3,R3,C2
在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。因IC內(nèi)部的檢測有采用積分電路，所以當(dāng)VCC電壓設(shè)置過高，就需要更長的積分時(shí)間，在周期不變的情況下，TON的時(shí)間就會(huì)增加，輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會(huì)增加，在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會(huì)增加，且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用，會(huì)使輸出電壓的過沖加劇，同時(shí)影響延時(shí)檢測的開啟時(shí)間。
這一系列的變化對EMC的影響是不可忽視的。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合變壓器漏感考慮，VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V，所以為使空載時(shí)VCC不至于太低導(dǎo)致蕩機(jī)，建議VCC電壓設(shè)計(jì)在15V，變壓器漏感最大不宜超過15%.
6. C5
C5是IC內(nèi)部延時(shí)檢測補(bǔ)償設(shè)置端。C5的取值大了會(huì)導(dǎo)致電壓檢測的周期加長，小了會(huì)導(dǎo)致電壓檢測的周期變短。檢測周期的變化會(huì)影響電壓的采樣率，也就會(huì)影響整個(gè)產(chǎn)品各處的電流紋波，對EMC也會(huì)造成一定影響，一般選取0.01~0.1uF。
7. C3,C7
前面有提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過沖的抑制作用和維持產(chǎn)品的穩(wěn)定性。但C3,C7的容量也不是越大越好，他會(huì)對EMC起消極作用。C3,C7容量的加大同樣會(huì)導(dǎo)致上面第5點(diǎn)講到的峰值電流加大，所以不能盲目選擇。
這些知識(shí)都是使用PSR IC將近3年的總結(jié)，分析的比較詳細(xì)且到位，適合初學(xué)者學(xué)習(xí)使用。當(dāng)然EMC在PSR原邊反饋開關(guān)電源當(dāng)中的應(yīng)用還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止這些，還有更多的方法有待我們?nèi)グl(fā)掘和探索。
