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能源電力

SICK推出電容式接近開關(guān)CM12

CM12電容式接近開關(guān)針對各種非金屬測量應(yīng)用進行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測距離卻能達8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應(yīng)用范圍。

2013-05-16

電容

無線集抄技術(shù)前景一片光明

微處理器芯片作為智能化電能表的“心臟”，近幾年隨著應(yīng)用范圍的擴大，其技術(shù)水平也在不斷地提升，極大地促進了智能抄表的應(yīng)用。隨著無線通信技術(shù)在自動抄表系統(tǒng)及智能電網(wǎng)中的應(yīng)用，無線抄表技術(shù)得到很好的發(fā)展。

2013-05-16

無線集抄

智能電表發(fā)展態(tài)勢強勁

智能電表作為新一代電能表，除了具備電能計量的基本功能外，還擁有用電信息存儲、遠程采集、信息交互等功能。相較于原有的卡式表和機械式表，智能電表使用戶購電更方便、用電更明白、生活更低碳。各種優(yōu)勢使智能電表受到我國社會各界的熱捧。

2013-05-16

智能電表

高性能電解電容器是LED長壽命的保障

LED是一種壽命極長的電光源，其使用壽命可以達到10萬小時。但是，在實際應(yīng)用中，LED的壽命并不能達到理想的長度，有的甚至使用不到一年就已經(jīng)損壞。究其原因，鋁電解電容器是導(dǎo)致LED驅(qū)動電路壽命達不到要求的關(guān)鍵元素。如果能做出長壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...

2013-05-16

電解電容

安森美推出降低30%開關(guān)損耗的截止型IGBT器件

近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關(guān)損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。

2013-05-16

安森美 IGBT 開關(guān)損耗

孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?

工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。

2013-05-16

氮化鎵場效應(yīng)晶體管硅功率器件

僅有120ns最大傳播延遲的門驅(qū)動光電耦合器

近日，Avago Technologies推出二組新高速門驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設(shè)計上為用來保護和驅(qū)動功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅(qū)動光電耦合器，適合如變頻器、電機控制和開關(guān)電源(SPS)等高頻率應(yīng)用。相較于Avago前一代產(chǎn)品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...

2013-05-15

光電耦合器傳播延遲

電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件

IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當(dāng)今最先進的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。

2013-05-15

IR GaN 電源轉(zhuǎn)換

硅功率MOSFET前景堪憂？

30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？

2013-05-15

MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN

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