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能源電力

如何選型壓敏電阻

壓敏電阻屬于關(guān)鍵器件，如何正確的選擇壓敏電阻，要從哪些方面去考慮？對信號傳輸線路，進行ESD防護。

2013-01-11

選型壓敏電阻 ESD

用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源

用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源與工頻市電非隔離式穩(wěn)壓電源，盡管在電路上可能帶有危險的電壓，但由于體積小、線路簡單。成本低，故在很多領(lǐng)域已得到較廣泛的應(yīng)用。

2013-01-10

工頻市電無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源

如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題

目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。

2013-01-10

可控硅過載

詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護元件的區(qū)別

對于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護以及維修都是一個比較復(fù)雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護解決方案設(shè)計更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護元器件入手，對比傳統(tǒng)過流過壓保護元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護元件的區(qū)別及其應(yīng)用限制...

2013-01-10

TBU 保護元件 TPS

ESD的保護方法

ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。

2013-01-10

ESD 保護 TLP

詳解開關(guān)電源嘯叫的原因

測試開關(guān)電源或在實驗中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時有時無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。

2013-01-10

開關(guān)電源嘯叫大電流

詳解貼片鉭電容的頻率特性

貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。

2013-01-10

貼片鉭電容頻率特性能量損耗

三星與Synopsys攜手，14納米FinFET流片首次成功實現(xiàn)

FinFET晶體管可以實現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴峻的挑戰(zhàn)，三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片，同時雙方圍繞Synopsys IP、設(shè)計實現(xiàn)以及提取和簽核工具等領(lǐng)域進行合作。

2013-01-10

三星 Synopsys FinFET晶體管

適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET

Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。

2013-01-10

功率MOSFET 轉(zhuǎn)換器逆變器

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