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太陽能控制器選擇的7大法則
從事太陽能行業(yè)多年，認(rèn)識(shí)了朋友同行，了解到很多公司都是從傳統(tǒng)的市電路燈或者其他領(lǐng)域轉(zhuǎn)到太陽能行業(yè)，一些朋友在施工過程中以及在使用過程中出現(xiàn)過很多問題，主要還是對(duì)太陽能路燈的配置組合以及相關(guān)輔件應(yīng)用掌握的不夠。
2012-05-09
太陽能 控制器 法則
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2012MCU市場(chǎng)，看32位MCU如何蠶食低端市場(chǎng)？
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的報(bào)告顯示，中國(guó)微控制器(MCU)市場(chǎng)預(yù)期在2015年達(dá)到47億美元的營(yíng)收規(guī)模，在之前5年里保持60%的增長(zhǎng)率。工業(yè)和消費(fèi)電子市場(chǎng)占據(jù)最大份額，而來自汽車電子領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)最快，同時(shí)，新能源和智能化應(yīng)用也將加快高位MCU的應(yīng)用普及。這與我們從多家MCU 廠商得到的信息反饋基...
2012-05-09
MCU 32位 8位 汽車電子 消費(fèi)電子 智能電網(wǎng) 新能源
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羅姆開發(fā)出世界最小的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管！
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社近日面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等追求小型、薄型化的各種電子設(shè)備，開發(fā)出世界最小※1的“VML2”封裝快速恢復(fù)二極管。
2012-05-09
快速恢復(fù) 二極管 智能手機(jī) 數(shù)碼相機(jī)
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我國(guó)關(guān)鍵電子元器件發(fā)展亟待突破“瓶頸”
制造LED芯片所使用的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備主要由德國(guó)和美國(guó)兩家公司供貨，生產(chǎn)觸摸屏所用的玻璃基板主要由美國(guó)和日本的幾大廠商控制，有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光材料專利主要掌握在日本與韓國(guó)廠商的手中。
2012-05-09
關(guān)鍵 電子 元器件
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開關(guān)電源降低功耗及提高其待機(jī)效率的方法
隨著能源效率的日益重要，人們對(duì)開關(guān)電源待機(jī)效率期望越來越高，客戶要求電源制造商的電源產(chǎn)品能滿足綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。而大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí)，電源效率急劇下降,待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計(jì)工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。
2012-05-09
開關(guān)電源 功耗 待機(jī)效率
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一種大功率LED照明電源解決方案
介紹采用PFC控制器CM6807和諧振半橋控制器CM6900的350W高效（>90%）高功率因數(shù)（>0.95）LED照明電源解決方案。該方案適用于直至1kW的電源供應(yīng)器，可用于LED照明、LED路燈、大型LED看板和大功率體育場(chǎng)館照明等。
2012-05-09
CM6900 恒壓 恒流 晶體管
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智能型LED太陽能路燈系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
提出一種新型的智能化控制的LED 路燈系統(tǒng)，將太陽能電池板的輸出電壓經(jīng)過DC/DC 升壓電路，并引入了基于CVT 法的MPPT 控制策略。利用模擬開關(guān)4051 及PIC 實(shí)現(xiàn)了對(duì)路燈系統(tǒng)工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與控制。并簡(jiǎn)要介紹了Zigbee通訊組件在系統(tǒng)中的相關(guān)應(yīng)用。
2012-05-09
智能型 LED 太陽能 路燈
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存在串?dāng)_時(shí)的一種創(chuàng)新抖動(dòng)分離方法
串行數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)迅猛發(fā)展，大幅度改善了PC和服務(wù)器系統(tǒng)的性能。測(cè)試這些更高速的標(biāo)準(zhǔn)、找到抖動(dòng)證據(jù)，對(duì)長(zhǎng)期穩(wěn)定性及在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的誤碼率（BER）目標(biāo)至關(guān)重要。為高效進(jìn)行分析，首先要選擇適當(dāng)?shù)膬x器，很好地了解儀器噪聲、上升時(shí)間及三階諧波性能、四階諧波性能、五階諧波性能等因素。
2012-05-09
串?dāng)_ 抖動(dòng) 分離
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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀(jì)錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實(shí)現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計(jì)，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，在10V電壓下實(shí)現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水準(zhǔn)。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay
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