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如何實(shí)現(xiàn)低BER(誤碼率)、低雜散輸出和低相位噪聲的系統(tǒng)級(jí)目標(biāo)
ADI集成VCO的PLL產(chǎn)品將低相位噪聲、高級(jí)功能及超小尺寸組合在一起,是微波/毫米波無線電、測(cè)試設(shè)備、微波傳感器、光纖通信以及防務(wù)通信和傳感器等許多小尺寸應(yīng)用的理想之選。
2022-02-22
BER 低雜散輸出 低相位噪聲
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如何在工業(yè)應(yīng)用中選擇和使用浮動(dòng)液位傳感器
基于磁簧開關(guān)的液位傳感器為設(shè)計(jì)者提供了可靠和長壽命的選擇,適用于惡劣和苛刻的應(yīng)用。這些開關(guān)有多種配置,可用于測(cè)量儲(chǔ)液箱是滿的還是空的,或者當(dāng)液體處于兩者之間的預(yù)定水平時(shí),有些開關(guān)可以測(cè)量多個(gè)液體水平。此外,它們不需要外部電源,可以很容易地滿足 EMC 要求。
2022-02-21
工業(yè)應(yīng)用 浮動(dòng)液位傳感器
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現(xiàn)代電子電路的精確電流測(cè)量:板級(jí)監(jiān)測(cè)的不同測(cè)量方法比較
隨著電力電子開關(guān)技術(shù)的不斷進(jìn)步,精確測(cè)量電流以用于反饋控制和系統(tǒng)監(jiān)測(cè)的需求越來越高。精確測(cè)量電流的方法有多種,每種方法都有其優(yōu)點(diǎn)和局限性。本文重點(diǎn)介紹需要較高精度與帶寬的電流測(cè)量方法,這些方法可用于測(cè)量諸如計(jì)算機(jī)/電信板輸入電流、逆變器相電流和其他承載電流從幾安培到100A的電路電...
2022-02-21
電子電路 電流測(cè)量 板級(jí)監(jiān)測(cè)
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如何從單電源供電回路中獲得正負(fù)電源
由于輸入端與輸出端被短接在一起,故非門的輸出電壓與輸入電壓相等(Vi=VO);這樣,非門被強(qiáng)制工作在轉(zhuǎn)移特性曲線的中心點(diǎn)處,因此輸出電壓被限定為門電路的閾值電平,其大小等于電源電壓的一半,如果我們將非門的輸出端作為直流接地端,就可以把電源電壓 VCC轉(zhuǎn)換為?VCC/2的雙電源電壓;此時(shí)的非...
2022-02-18
單電源供電回路 正負(fù)電源
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移動(dòng)寬帶無線通信系統(tǒng)如何提高頻譜效率
高速和低速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代寬帶移動(dòng)無線電中發(fā)揮關(guān)鍵功能。本應(yīng)用筆記概述了如何確定基帶采樣無線電架構(gòu)中的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器性能要求。此外,在考慮高速模擬前端(AFE)解決方案時(shí),還概述了系統(tǒng)分區(qū)策略和優(yōu)點(diǎn)。
2022-02-18
動(dòng)寬帶 無線通信系統(tǒng) 頻譜效率
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單片機(jī)中晶振的工作原理是什么?
晶振在單片機(jī)中是必不可少的元器件,只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在,那么晶振是如何工作的呢?
2022-02-18
單片機(jī) 晶振
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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一個(gè)正負(fù)5v穩(wěn)壓電源的簡(jiǎn)單制作
在正常情況下我們很難找到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正負(fù)電源,就連我們使用的電池電壓都是正的,如果找到一個(gè)負(fù)電源那真是很難,而我們又會(huì)經(jīng)常會(huì)用到正負(fù)電源,這時(shí)候我們就得想辦法得到一個(gè)正負(fù)電源了,今天就教給大家一個(gè)非常簡(jiǎn)單的方法,讓你輕輕松松制作一個(gè)正負(fù)5v的穩(wěn)壓電源。
2022-02-16
正負(fù)5v穩(wěn)壓電源
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實(shí)際示例證明,在模擬工具的支持下,SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點(diǎn)。
2022-02-16
SiC FET 功率轉(zhuǎn)換器
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