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電子供電中的有源功率因數(shù)校正
在配電系統(tǒng)中電子負載的激增，已導致了低效極不安全因素。這是由于在電子電源轉(zhuǎn)換設(shè)備中典型的不良功率因素而引起的。波形失真、變壓器過熱以及三相系統(tǒng)的中性導體就是其中幾例。本文介紹了解決電子供電中不良功率因素的最有效辦法。
2009-02-18
電源 不良功率因數(shù) Vicor 功率因數(shù)校正
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146 RTI：Vishay新系列高性能徑向鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列徑向鋁電容器146 RTI，這些器件具有極低的阻抗值、高電容及高紋波電流，并可實現(xiàn)高達 +125°C 的高溫運行，適合面向工業(yè)、汽車、電信和軍事系統(tǒng)的開關(guān)電源 (SMPS) 及直流到直流電源中的平滑、濾波、緩沖及電壓退耦應用。
2009-02-18
146 RTI 徑向鋁電容器 開關(guān)電源
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美國兩城市正換裝LED路燈 預期可降低一半能源成本
美國兩個城市正進行換裝LED路燈的計劃，匹茲堡計劃將4萬盞傳統(tǒng)路燈更換成LED路燈，圣荷西準備將6.2萬盞傳統(tǒng)路燈更換為新型LED路燈。預期可降低路燈照明所需一半的能源成本，改變路燈照明強度和使用壽命，匹茲堡市估計其每年可節(jié)省能源和維修費用超過140萬美元。
2009-02-18
LED路燈 傳統(tǒng)路燈 照明
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NP110NXXPUJ：NEC低電壓PowerMOSFET系列
近日，NEC電子（歐洲）推出兩款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以擴展其低電壓PowerMOSFET系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用NEC電子的SuperJunction技術(shù)，具有杰出的優(yōu)值系數(shù)（FOM），可最小化開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2009-02-18
NP110N04PUJ NP110N055PUJ SuperJunction PowerMOSFET
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中外PCB業(yè)九個差距
我國是一個電子電路、PCB生產(chǎn)大國，而現(xiàn)在遠非生產(chǎn)強國，中國與PCB產(chǎn)業(yè)發(fā)達國家相比還有很大差距。
2009-02-17
PCB 工業(yè)標準 品牌 環(huán)境保護
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LED應用轉(zhuǎn)變：從背光到照明
每年LED被越來越多地用于照明。在產(chǎn)業(yè)界，眾所周知越來越多的LED產(chǎn)品被生產(chǎn)用于直接照明，而非用于背光或指示燈用途。英國市場研究機構(gòu)IMS Research近幾個月對主要LED制造商進行了訪談，絕大多數(shù)受訪者均證實了這一點。
2009-02-17
LED 照明 背光 發(fā)光效率 亮度 流明
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采用安森美半導體解決方案滿足“能源之星”最新外部電源規(guī)范要求
本文介紹了如何采用安森美半導體解決方案滿足“能源之星”最新外部電源規(guī)范要求。
2009-02-13
能源之星 安森美 電源適配器 PFC NCP1237/38/87/88 NCP1379/80 NCP1901
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Vishay推出多款面向高端應用的Bulk Metal箔表面貼裝電阻
Vishay目前推出采用 Bulk Metal 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻，以實現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VCS1625Z 和 CSM2512S 在內(nèi)。
2009-02-13
VSMP VCS1625Z CSM2512S Bulk Metal 表面貼裝電阻
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E102Z：VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 ?55°C 到 +125°C 的溫度范圍內(nèi)提供達軍品級標準的絕對 TCR 值 (±0.2 ppm/°C)，容差為 ±0.005% (50 ppm)，在 +70oC 下工作 2000 小時的負載壽命穩(wěn)定性達到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符...
2009-02-13
E102Z TCR VISHAY Z 箔電阻 軍事 航空 醫(yī)療
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