- 采用Si底板的功率元件增加
- EDLC重獲關注
- 利用交流驅動取代電源
- 電容器穩(wěn)步發(fā)展
受社會節(jié)能化浪潮的影響，在電子部件中，電力損失較小的功率半導體和有助于省電的電容器、LED等與環(huán)保息息相關的開發(fā)品的展出也成了此次展會的熱門。
采用Si底板的功率元件增加
功率半導體方面，使用GaN、SiC等Si之后的新一代半導體的演示接連不斷。其中有所增加的是在Si底板上形成GaN類功率元件的類型。如果使用低廉且直徑大的Si底板，居高不下的制造成本就能夠得到減少。投產(chǎn)預期也逐漸趨于具體化（圖1）。
圖1：利用Si底板的GaN類功率元件
為了降低成本，使用Si底板的展出接連不斷。IR展出了形成有GaN類HEMT的晶圓（a）。羅姆也首次試制使用Si底板的GaN類HEMT并展出了電源模塊（b）。三墾電氣使用配備有6個SBD內(nèi)置GaN類FET的逆變器驅動200V、2.2kW的3相交流馬達，與利用配備Si制IGBT和FRD的逆變器進行驅動時逆變器表面溫度的變化進行了比較（c）。左側配備GaN元件的逆變器損失小且溫度低。美國國際整流器公司（International Rectifier，IR）宣布在2009年內(nèi)投入實用。首先投產(chǎn)的將是使用耐壓僅為數(shù)十V的GaN類HEMT的POL電源模塊，為無需加載柵極電壓即可導通的“常開”型。
積極開發(fā)功率元件的羅姆首次展出了Si底板產(chǎn)品。產(chǎn)品也為常開型，目前還存在耐壓低于600V的課題。今后，該公司將解決有關課題，爭取在2010年供應耐壓為600V的樣品。
三墾電氣繼2008年后再次展出了Si底板產(chǎn)品，使用配備該產(chǎn)品的逆變器演示了3相交流馬達的驅動。其發(fā)熱量小于Si功率元件組成的逆變器，電力損失也有所減少。該公司的Si底板產(chǎn)品的耐壓為600V，能夠進行閾值+1V的常開動作，量產(chǎn)將爭取在2012年左右開始。該公司希望在此之前把閾值電壓提升至+3V左右。
EDLC重獲關注
電容器方面，上次大量展出的Li離子電容器難覓蹤影，雙電層電容器（EDLC）展出隨處可見（圖2）。隨著電容器市場最近的回暖，作為高成本Li離子電容器的“現(xiàn)實替代品”，EDLC重新贏得了關注。
圖2：重獲重視的EDLC
為了高效利用能源，EDLC重新獲得了重視。日本Chemi-Con展出了面向汽車的85℃型號開發(fā)品（a）。TDK參考展出了該公司首款大型圓筒形EDLC（b）。[page]
日本Chemi-Con參考展出了能夠在70℃及85℃高溫下使用的EDLC。其靜電電容分別為1400F和700F。在混合動力建筑機械等領域需求強烈。在此之前，其使用溫度為60℃。高溫氣化的抑制主要歸功于電解液成分的改進，但詳細情況還不清楚。70℃型號將于2010年春季開始量產(chǎn)。85℃型號將爭取在2010年實現(xiàn)樣品供應。
新進廠商也顯露了身影。TDK參考展出了“18650”尺寸的單元和直徑77mm、高140mm的大型單元。靜電電容分別為100F和4000F。前者18650是鋰離子充電電池（LIB）常用的尺寸，器著眼點在于LIB的簡單置換。后者大容量單元著眼于穩(wěn)定太陽能發(fā)電功率、工業(yè)設備的峰值電力支援等用途。除此之外，村田制作所也參考展出了配備便攜產(chǎn)品的18mm×20mm×2.8mm層疊式小型EDLC。其特點為低電阻，“以這種尺寸實現(xiàn)100mΩ內(nèi)部電阻的別無他人”（該公司）。
利用交流驅動取代電源
為了高效利用能源，EDLC重新獲得了重視。日本Chemi-Con展出了面向汽車的85℃型號開發(fā)品（a）。TDK參考展出了該公司首款大型圓筒形EDLC（b）。[page]
日本Chemi-Con參考展出了能夠在70℃及85℃高溫下使用的EDLC。其靜電電容分別為1400F和700F。在混合動力建筑機械等領域需求強烈。在此之前，其使用溫度為60℃。高溫氣化的抑制主要歸功于電解液成分的改進，但詳細情況還不清楚。70℃型號將于2010年春季開始量產(chǎn)。85℃型號將爭取在2010年實現(xiàn)樣品供應。
新進廠商也顯露了身影。TDK參考展出了“18650”尺寸的單元和直徑77mm、高140mm的大型單元。靜電電容分別為100F和4000F。前者18650是鋰離子充電電池（LIB）常用的尺寸，器著眼點在于LIB的簡單置換。后者大容量單元著眼于穩(wěn)定太陽能發(fā)電功率、工業(yè)設備的峰值電力支援等用途。除此之外，村田制作所也參考展出了配備便攜產(chǎn)品的18mm×20mm×2.8mm層疊式小型EDLC。其特點為低電阻，“以這種尺寸實現(xiàn)100mΩ內(nèi)部電阻的別無他人”（該公司）。
利用交流驅動取代電源
圖3：能夠簡化電源的交流驅動LED封裝
對于備受關注的高效照明——LED，能夠利用交流電源的種類越來越受到重視（圖3）。這種類型的LED照明無需A-D轉換電路，有望實現(xiàn)照明的小型化。該類型的先驅者——韓國首爾半導體（Seoul Semiconductor）展出了新產(chǎn)品：功耗為1W等級的封裝好的產(chǎn)品。過去該公司一般提供2W/4W等級的大型封裝產(chǎn)品，此次展示是為了滿足市場對于小型、高易用性的1W級別產(chǎn)品的需求。該產(chǎn)品的發(fā)光效率為70～80lm/W，低于直流電源驅動的類型，但韓國首爾半導體表示：“到2010年，其效率將提高到與直流驅動產(chǎn)品相當?shù)某潭龋?00lm/ W以上）”。
臺灣億光電子（Everlight Electronics）展出了其首款交流驅動封裝產(chǎn)品——功耗為1W和4W的樣品。這款封裝產(chǎn)品著眼于照明用途，首先將在臺灣和中國大陸上市。與上屆一樣，三墾電氣仍然展出了小型封裝產(chǎn)品。由于發(fā)光效率較低，設想的是電源分接頭等指示用途。
穩(wěn)步發(fā)展的電容器
除此之外，電子部件區(qū)引人注目的還有各公司競爭的電容器薄型化（圖4）。通過在芯片形電容器制造中采用薄膜形成技術，其厚度可以縮小至50μm以下。
圖4：厚度不到50μm的薄膜電容器村田制作所展出了1005尺寸、厚度為50μm的0.1μF薄膜電容器（a）。
太陽誘電在Si底板上涂布了BaTiO3和BST膜作為電介質(zhì)層（b）。
村田制作所展出了耐壓為4V、靜電電容為0.1μF，厚度為50μm的1005尺寸產(chǎn)品。該產(chǎn)品計劃于2010年春季投入量產(chǎn)。太陽誘電展出了在Si底板上利用BaTiO3和鈦酸鍶鋇（BST）形成電介質(zhì)層的開發(fā)品。1mm2電介質(zhì)層相當于1層靜電容量為20nF，4層的厚度為50μm，可實現(xiàn)80nF的靜電電容。借助磁場相互抵消的電極結構，小靜電電容同樣能夠抑制阻抗。
層疊陶瓷電容器（MLCC）在薄型化的同時還實現(xiàn)了大容量化。太陽誘電和村田制作所聯(lián)合展出了1005尺寸、厚度為150μm、靜電電容為0.22μF的MLCC。太陽誘電已經(jīng)開始量產(chǎn)額定電壓為4V的產(chǎn)品。通過電介質(zhì)層BaTiO3的微粉化，該MLCC通過單層厚度減半（0.5μm）實現(xiàn)了大容量化。村田制作所預定于2009年內(nèi)啟動量
