產(chǎn)品特性：

• 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V
• 能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電路
• 其低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅(qū)動
• 采用TO252-3L封裝

適用范圍：

• 寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關

Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關。

兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電路。配合正確選擇的變壓器，這些MOSFET就能驅(qū)動150V以上的線路電壓，并以6公里以上的環(huán)路長度提供多種用戶線路。

這些MOSFET的低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅(qū)動，進一步簡化了電路設計，減少了元件數(shù)量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實現(xiàn)低柵極驅(qū)動。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝。