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ZXMN15A27K/ZXMN20B28K:Diodes推出兩款N溝道MOSFET

發(fā)布時間:2009-12-07 來源:電子產(chǎn)品世界

產(chǎn)品特性:
  • 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V
  • 能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護電路
  • 其低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅(qū)動
  • 采用TO252-3L封裝
適用范圍:
  • 寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)

Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計人員帶來一種更堅固的解決方案,極大地降低了電路的復雜性和成本。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計,能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對變壓器中初級開關(guān)位置的嚴格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。

兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V,能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護電路。配合正確選擇的變壓器,這些MOSFET就能驅(qū)動150V以上的線路電壓,并以6公里以上的環(huán)路長度提供多種用戶線路。

這些MOSFET的低輸入電容使其易于以很少或沒有緩沖直接從SLIC控制IC進行驅(qū)動,進一步簡化了電路設(shè)計,減少了元件數(shù)量和成本。ZXMN20B28K還可在邏輯電平實現(xiàn)低柵極驅(qū)動。

ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封裝。
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