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DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期

發(fā)布時(shí)間:2009-12-18 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

中心議題:
  • 把讀/寫的訪問(wèn)周期分離開來(lái)測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備 
解決方案:
  • 力科的WaveScan波形搜索與掃描特性可以找出Data信號(hào)
  • WaveScan把測(cè)量過(guò)濾中所有符合測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的波形累積起來(lái)形成掃描疊加的軌跡圖
  • 這幅余輝圖包含了全部捕獲的歷史波形軌跡 


測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問(wèn)周期分離開來(lái)。在DDR2中通過(guò)Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來(lái)讀和寫的操作。如圖1所示,在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的,而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。在圖1中,較低幅值的“讀”操作時(shí),Data跳變與Strobe跳變同時(shí)發(fā)生,較高幅值的“寫”操作時(shí),Strobe信號(hào)會(huì)領(lǐng)先于Data信號(hào)約750ps跳變。
圖 1: DDR2 波形顯示了 Strobe (紅色) 和 Data (黃色)信號(hào)之間的時(shí)序關(guān)系

力科的WaveScan波形搜索與掃描特性可以通過(guò)選擇Strobe和掃描疊加(ScanOverlay)圖中滿足條件的波形之間的時(shí)序關(guān)系找出Data信號(hào)。圖2是這種功能的一個(gè)例子。WaveScan的對(duì)話框設(shè)置為搜索建立時(shí)間(Hold Time)在500ps到1ns(750 ±250 ps)之間的波形。對(duì)話框右邊的標(biāo)簽用來(lái)鑒別Strobe和Data信號(hào)。注意“Hold Clock”和“Hold Data”兩個(gè)對(duì)話框標(biāo)簽,測(cè)量是對(duì)這兩個(gè)信號(hào)邊沿設(shè)定的。

圖2: 基于Data和Strobe信號(hào)跳變之間的保持時(shí)間用WaveScan隔離出寫操作

圖3顯示的是一個(gè)“risetime ”參數(shù)應(yīng)用在掃描疊加軌跡中的例子。掃描疊加軌跡圖僅僅包括由WaveScan隔離出來(lái)的寫操作周期。
圖 3: P3 測(cè)量的是僅包含寫操作的掃描疊加軌跡中的每一個(gè)脈沖的上升時(shí)間(risetime)

圖4顯示的是另一項(xiàng)測(cè)量技術(shù)。在這里,被選定的一組寫周期用掃描縮放(ScanZoom)分離出來(lái)。參數(shù)門限進(jìn)一步隔離出僅有12個(gè)寫周期并僅在信號(hào)正邊沿測(cè)量出兩個(gè)信號(hào)的時(shí)間差(P4)。WaveScan為您提供了一種可以測(cè)定DDR2設(shè)備的工具。
 
圖4: 使用ScanZoom和參數(shù)門限測(cè)量選定的寫操作

WaveScan會(huì)在左邊顯示的表格中列出每次捕獲中符合測(cè)量條件的所有波形特征。觸摸列表時(shí)會(huì)自動(dòng)的對(duì)被選擇的特征放大顯示。這個(gè)例子中顯示的是一組“寫”操作狀態(tài)的縮放。每個(gè)符合測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的操作就像顯示出來(lái)的那樣用一個(gè)紅色方框描繪出輪廓。

WaveScan把測(cè)量過(guò)濾中所有符合測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的波形累積起來(lái)形成掃描疊加的軌跡圖(圖2中間的軌跡)。這幅余輝圖包含了全部捕獲的歷史波形軌跡。我們現(xiàn)在就可以對(duì)被選擇出來(lái)的整個(gè)波形組在掃描疊加軌跡圖上應(yīng)用測(cè)量參數(shù)進(jìn)行測(cè)量。你也可以在被選擇波形的縮放軌跡上應(yīng)用測(cè)量參數(shù)進(jìn)行測(cè)量。
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