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面向高電流DC/DC應(yīng)用、降低上表面熱阻的功率MOSFET

發(fā)布時間:2010-01-18 來源:EDN

產(chǎn)品特性:
  • 增強(qiáng)型封裝技術(shù)
  • 將承受的功耗提升 80%
  • 高效的雙面散熱技術(shù)
  • 可簡化設(shè)計、降低成本
應(yīng)用范圍:
  • 可廣泛用于各種終端應(yīng)用,其中包括臺式個人計算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等

日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool NexFET功率MOSFET有助于縮小終端設(shè)備的尺寸,同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進(jìn)散熱管理。

該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機(jī)與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴(kuò)充內(nèi)存及更高電流的處理器,同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應(yīng)用,其中包括臺式個人計算機(jī)、服務(wù)器、電信或網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。

TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出:“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源,以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流,可充分滿足這一需求。”
面向高電流DC/DC應(yīng)用、降低上表面熱阻的功率MOSFET

DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢:

作為單相35A 同步降壓轉(zhuǎn)換器的 MOSFET, 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應(yīng)用中的高、低側(cè)兩種開關(guān)需求;

增強(qiáng)型封裝技術(shù)可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦,從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%;
  
高效的雙面散熱技術(shù)可將允許通過 FET 的電流提高 50%,設(shè)計人員無需增加終端設(shè)備尺寸,即可高度靈活地使用需要更高電流驅(qū)動的處理器;
  
業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設(shè)計、降低成本,與使用兩個標(biāo)準(zhǔn)5x6封裝相比,可節(jié)省 30mm2的空間。

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