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IR 推出堅(jiān)固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列

發(fā)布時(shí)間:2010-04-09 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 采用Gen 10.2 技術(shù)
  • 低至1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻
  • 承受24V 至100V 的電壓
  • 寬泛的電壓和封裝
  • 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用范圍:
  • 適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列,適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開(kāi)關(guān),以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)的其它重載應(yīng)用。

新器件采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 Gen 10.2 技術(shù),可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ,在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至 100V 的電壓。一些器件還可將 D2Pak-7P 封裝和D2Pak 封裝的最大額定電流分別調(diào)整為 240A 和195A。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR 這些經(jīng)過(guò)優(yōu)化的汽車專用MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,具有寬泛的電壓和封裝。由于其表面形成了鈍化層,因而可以提高可靠性。此外,該器件的材料經(jīng)過(guò)調(diào)整、優(yōu)化后可達(dá)到堅(jiān)固、耐用的效果。” 

IR 的 汽車用 MOSFET 將動(dòng)態(tài)和靜態(tài)部分的平均測(cè)試以及100% 自動(dòng)晶圓級(jí)視覺(jué)檢測(cè)作為 IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念的一部分。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)通電阻在經(jīng)過(guò) 1000 次溫度循環(huán)測(cè)試后,變化幅度不能超過(guò) 20%。然而,經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后,IR 的新款 AU 材料顯示,在 5000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化少于10%,體現(xiàn)了這款材料的高強(qiáng)度和耐用性。 

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。


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