公司事件：

• Digi-Key現(xiàn)在正在庫存面向通用微波應用的Cree氮化鎵(GaN)HEMT晶體管

行業(yè)影響：

• 是高效率、多倍頻帶寬性能方面微波應用的理想選擇
• 占位面積較小的封裝中可提供高達6GHz的高頻率、高增益及低寄生電容

日前，Digi-Key Corporation與Cree, Inc.共同宣布，Digi-Key現(xiàn)在正在庫存面向通用微波應用的Cree氮化鎵(GaN)HEMT晶體管。Digi-Key的Cree產(chǎn)品系列包括SiC功率元件、SiC MESFET、高亮度與高功率LED以及現(xiàn)在還包括的GaN HEMT晶體管。

功率水平介于10W～90W的Cree GaN HEMT通用晶體管是需要高效率、多倍頻帶寬性能方面微波應用的理想選擇。這些晶體管在占位面積較小的封裝中可提供高達6GHz的高頻率、高增益及低寄生電容。這可實現(xiàn)更小、更亮且能效更高的系統(tǒng)，與采用其他微波晶體管技術(shù)相比，這些系統(tǒng)通常所需的放大器元件數(shù)較少。