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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-07-08 來(lái)源:技術(shù)在線

產(chǎn)品特性:
  • 采用IR最新硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能
  • 滿足40V到250V的寬泛電壓
  • 尺寸僅為0.9mm
應(yīng)用服務(wù):
  • 網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源等



國(guó)際整流器(IR) 7月2日宣布,將拓展HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,其中采用了5x6mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能,適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“由于新器件的尺寸僅為0.9mm,并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳,可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻,因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常適合電路板空間狹小的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。”

所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn),所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質(zhì)管制指令(RoHS)。
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