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IXYS推出太陽能發(fā)電系統(tǒng)的PolarP2 Power MOSFET

發(fā)布時間:2010-08-12

產品特性:
  • 有最優(yōu)化的導通電阻和門電容
  • 保留了原本PolarP2的特性和優(yōu)點
  • 優(yōu)化內置的反并聯(lián)二極管
應用范圍:
  • 太陽能發(fā)電

IXYS公司近日發(fā)布了一種最新系列的PolarP2 MOSFET。這是IXYS快速強大的最新一代Polar-series Power MOSFET,以IXYS特有的PolarP2技術為平臺的500V器件。

這些器件有最優(yōu)化的導通電阻和門電容,其FOM(導通電阻/Qg)只有12歐姆/納庫(Ω/nC),優(yōu)異的性能和節(jié)能性使開發(fā)更高效的電源系統(tǒng)成為可能。這些電源系統(tǒng)包括在能量交換和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等。這些器件在開關/諧振電源、不間斷電源(UPS)、基站、服務器、消費類電器等應用同樣是理想的。這些器件也非常適合以下應用:功率因數(shù)校正電路、電機驅動器、電子鎮(zhèn)流器、激光驅動器、直流-直流轉換器、自動伺服控制。

這個最新發(fā)布的PolarP2 MOSFET系列包含了兩個子類別,提供給最終客戶更靈活的系統(tǒng)設計以及給予客戶機會去選擇最佳性價比的器件。這些子類別包括標準的低損耗版本的PolarP2和高性能版本PolarP2 HiPerFET。

標準的PolarP2 MOSFET的額定電流有16、24、42和52安培幾個規(guī)格。標準的PolarP2 MOSFET專門為設計者提供了高性價比的器件。和原來的一代相比,這個新標準的版本降低了高達20%的導通電阻,同時維持低門控充電值(43nC)。這個系列器件有雪崩能量標定,為器件的瞬間過壓提供安全保障。

PolarP2 HiPerFET版本的額定電流有24、42、52、74、94和120安培幾個規(guī)格。這種高性能的版本保留了原本PolarP2的特性和優(yōu)點,同時優(yōu)化了內置的反并聯(lián)二極管,從而提升了器件的dv/dt(電容充電或放電時的電壓波形的最大斜率)能力,提升了反向恢復速度(trr<=250ns)。HiPerFET特有優(yōu)化的快速恢復二極管使得器件有以下特性:短暫的快速反應、提高能源效率、提高耐用性以及較高的工作頻率。HiPerFET器件超結實的特性和能量的轉換能力,使得這些器件成為零電壓開關拓撲理想的選擇,因為二極管優(yōu)異恢復特性對零電壓切換非常重要。
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