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士蘭微電子推出F-Cell系列第四代MOSFET產(chǎn)品用于LED 照明

發(fā)布時間:2011-04-01 來源:佳工機電網(wǎng)

產(chǎn)品特性:

  • 工作電壓覆蓋400V—900V區(qū)間
  • 工作電流在1A—18A之間

應(yīng)用領(lǐng)域:


士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品,工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間,工作電流在1A—18A之間,可以兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)以提高ESD特性;具有高可靠性,高效率,高EAS能力,導(dǎo)通電阻低,動態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點,已被廣泛應(yīng)用于LED 照明,AC-DC功率電源,DC- DC轉(zhuǎn)換器以及PWM馬達驅(qū)動等領(lǐng)域。

F-Cell產(chǎn)品采用了尺寸較小的保護環(huán)結(jié)構(gòu),這樣在相同規(guī)格的條件下,F(xiàn)-Cell產(chǎn)品具有相對較小的芯片面積,這一優(yōu)勢能有效增加芯片的利用率且降低芯片的制造成本。

F-Cell產(chǎn)品優(yōu)化了柵氧化層的厚度和制程質(zhì)量,提高了柵源擊穿電壓,從而提高了產(chǎn)品可靠性及穩(wěn)定度;其突出表現(xiàn)在F-Cell產(chǎn)品在經(jīng)過 HTRB可靠性試驗后,IDSS仍然可以維持在幾nA的高水平,這保證了F-Cell器件在長時間工作的高可靠性。

此外,F(xiàn)-Cell產(chǎn)品通過在設(shè)計及制程上的演進,優(yōu)化了原胞結(jié)構(gòu),有效減小了JFET效應(yīng),使得器件的單位面積導(dǎo)通電阻有明顯減小,從而降低了器件的靜態(tài)損耗;另外,通過對多晶柵進行重摻雜處理,提高了器件的響應(yīng)速度,從而提高轉(zhuǎn)換效率及降低開關(guān)動態(tài)損耗。

經(jīng)過客戶的實際的整機生產(chǎn)及驗證結(jié)果,士蘭微電子F-Cell高壓MOSFET產(chǎn)品已達先進的平面工藝的水平,并與其他知名大廠性能上互相匹配,且已陸續(xù)導(dǎo)入大量且穩(wěn)定生產(chǎn)中。

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