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Gartner:半導體資本設(shè)備支出將增長10.2%

發(fā)布時間:2011-06-20 來源:semi中國

機遇與挑戰(zhàn):

  • 半導體庫存修正和晶圓設(shè)備制造供過于求
  • 2011年半導體資本設(shè)備市場所有領(lǐng)域呈增長態(tài)勢

市場數(shù)據(jù):

  • 2011年全球半導體資本設(shè)備支出將增長10.2%


Gartner指出,2011年全球半導體資本設(shè)備支出將達到448億美元,與2010年406億美元的支出相比,增長10.2%。 然而,Gartner分析師也指出,半導體庫存出現(xiàn)修正,再加上晶圓設(shè)備制造供過于求,將導致2012年半導體資本設(shè)備支出略有下滑。

Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示:“盡管日本的災難性地震威脅將破壞電子產(chǎn)品供應鏈,但自我們在2011年第一季度的預測以來,資本支出和設(shè)備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力,此次地震的影響已降低到最小程度。”

半導體資本設(shè)備市場的所有領(lǐng)域預計都將在2011年呈現(xiàn)增長態(tài)勢(見表一)。 Gartner分析師表示,2011年的支出是由積極的晶圓設(shè)備制造支出,處于領(lǐng)先的集成設(shè)備制造商(IDM)邏輯能力的加速生產(chǎn),以及內(nèi)存公司加速雙重曝光等因素推動的。2012年,半導體資本設(shè)備支出將下滑2.6%,隨后將在2013年增長8.9%。隨著內(nèi)存供過于求的影響,周期性的下跌應該在 2013年底出現(xiàn)。



隨著半導體的持續(xù)增長,2011年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)收入預計將增長11.7%。英特爾、晶圓和NAND支出將推動先進設(shè)備的需求,從而沉浸式光刻(immersion lithography)、蝕刻(etch)、雙重曝光中涉及的某些領(lǐng)域以及關(guān)鍵領(lǐng)先的邏輯制程將會受益。

2011年全球封裝設(shè)備(PAE)收入的增長預計最低,為3.6%。后端制造商在 2010年實現(xiàn)了可觀的增長,但市場于去年第四季度開始放緩。隨著供需趨向平衡,訂單也已經(jīng)放緩。從后端工藝提供商的資本支出的角度來說,適用于低成本解決方案的3D包裝和銅線綁定是目前主要的側(cè)重點。絕大多數(shù)主要工具領(lǐng)域?qū)⒃?011年出現(xiàn)增長,但先進的模具表現(xiàn)應在今年超越總體市場。

2011年,全球自動測試設(shè)備(ATE)預計增長6.9%。Gartner2011 年的增長預期是由片上系統(tǒng)和先進的射頻等細分領(lǐng)域的持續(xù)需求所推動的。隨著DRAM的資本支出軟著陸,自動測試設(shè)備內(nèi)存收入很有可能在2011年回落。然而,NAND測試平臺在今年仍舊保持強勁增長。

 

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