你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低開關及傳導損耗

發(fā)布時間:2011-09-07

產(chǎn)品特性:
  • 采用纖薄晶圓場截止溝道技術
  • 可顯著降低開關及傳導損耗
應用范圍:
  • 可在不間斷電源、太陽能逆變器等中應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司近日推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。

全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術,可顯著降低開關及傳導損耗,從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無需短路功能的應用進行了優(yōu)化,如不間斷電源、太陽能逆變器、焊接等應用,而且為電機驅動應用提供10微秒短路功能,與其它IR產(chǎn)品相輔相成。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新超高速1200V溝道IGBT系列具備多種性能優(yōu)勢,有助于提升系統(tǒng)的效率;同時通過降低開關的損耗及提高開關頻率,減少散熱器的尺寸與磁元件的數(shù)量,從而降低整體系統(tǒng)的成本。”

新系列包括電流介于 20A 和50A 之間的封裝器件,以及高達 150A 電流的裸片產(chǎn)品。其主要優(yōu)勢包括寬方形反向偏壓安全操作區(qū)(RBSOA)、正VCE(on)溫度系數(shù),以及用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件還可內(nèi)置/不內(nèi)置一個超高速軟恢復二極管。裸片更配備焊前金屬(SFM),以提高熱性能、可靠性及效率。
  • 產(chǎn)品規(guī)格

器件編號

封裝

I(nom)

Vceon

Rth(j-c)

IRG7PH35U

IRG7PH35UD

TO247

TO247 - Copack

20

1.9

0.70 oC/W

IRG7PH42U

IRG7PH42UD

TO247

TO247 - Copack

30

1.7

0.39 oC/W

IRG7PH46U

IRG7PH46UD

TO247

TO247 - Copack

40

1.7

0.32 oC/W

IRG7PH50U

IRG7PSH50UD

TO247

Sup.TO247 - Copack

50

1.7

0.27 oC/W

特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉