產(chǎn)品特性：

• 提供占位面積最小、效率最高的多相位解決方案
• 全新器件符合Intel VR12和VR12.5，以及AMD SVI1和SVI2標準
• 并支持1至8相位的多相位設計

應用范圍：

• 工業(yè)電子等領域

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)，推出多功能系列CHiL數(shù)字脈沖寬度調制 (PWM) 控制器，大幅減少占位面積，并能提升多種中高端且性能極高的服務器、臺式電腦及運算應用的效率。IR這六款新器件符合Intel VR12和VR12.5，以及AMD SVI1和SVI2的標準，并支持1、2回路下的1至8相位的多相位設計。

全新第三代CHiL器件包含有助于提高效率的功能，例如配備強化演算法的切相 (shedding phases) 及可變柵極驅動器，其中包括切相時的PID縮放和相位電流平衡，以確保達到最高效率。相關解決方案架構支持高端處理器的極高di/dt瞬態(tài)，同時憑借全新的自適應瞬時算法 (ATA) ，該方案能夠以較少的相位和電容器來實現(xiàn)瞬態(tài)，從而減少系統(tǒng)的尺寸。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新的CHiL系列通過提供最高效率和最小占位面積，繼續(xù)彰顯IR在為服務器、主機板和顯卡的尖端中央處理器與圖像處理器設計提供多種VR解決方案方面的領導地位。新系列支持1至8相位的設計，提供靈活的相位配置，使客戶能夠在每個電壓回路上改變相位的數(shù)目，從而為每個負載優(yōu)化成本和效率。”

全新CHiL數(shù)字脈沖寬度調制控制器減少了30% 的工作電流，有助于在低負載工作下達到更高效率。而在高端電路保護方面，新器件具備更強大的逐脈沖 (pulse-by-pulse) 電流限制保護，脈沖寬度控制功能可防止系統(tǒng)出現(xiàn)新的相位不平衡或相位遺漏故障。

新器件全面支持相位倍增，利用IR的IR3598從每個脈沖寬度調變輸出驅動兩個相位。這些器件在沒有特定排序的情況下，也可感測12V、5V與3.3V電源，并具有PMBUS遙測功能。

搭配IR的DirectFET功率MOSFET及PowIRstage集成式器件時，CHiL產(chǎn)品可結合DirectFET和PowIRstage的密度優(yōu)勢，提供尺寸較小的解決方案。這些器件的高度數(shù)位化使其可在0.4mm間距QFN封裝內實現(xiàn)極低引腳數(shù)的方案，且能改善瞬態(tài)響應，由此能省去至少一個SP大電容器和多個陶瓷電容器，從而提供尺寸最小但效率最高的解決方案。