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• Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。
   
中國電子成就獎的功率器件/電壓轉換器產品年度獎項授予在設計和技術上有突出優(yōu)點，為工程師提供了新的強大功能，能夠大大節(jié)省時間、成本、占用空間等資源的產品。此外，該獎項頒發(fā)給將會在中國大陸地區(qū)產生重要影響的產品。
   
SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封裝中采用TrenchFET Gen III技術的非對稱雙邊TrenchFET®功率MOSFET，可用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機中的系統電源、POL、低電流DC/DC和同步降壓應用。器件的導通電阻比前一代MOSFET低43%，同時具有更高的最大電流并能提高效率。
   
SiZ710DT具有此類器件中最低的導通電阻，在小尺寸外形內集成了低邊和高邊MOSFET，比DC/DC轉換器中由兩個分立器件組成的解決方案能節(jié)省很多空間。低邊的溝道2 MOSFET使用了針對非對稱結構的優(yōu)化空間布局，在10V和4.5V下的導通電阻為3.3m?和4.3m?，高邊溝道1 MOSFET在10V和4.5V下的導通電阻為6.8m?和9.0m?。