2012電力電子展上 隆羅姆半導體攜SiC模塊首次亮相

    羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰(zhàn)略之一定位，今后，加強實現(xiàn)更高耐壓、更大電流的SiC元件/模塊的產(chǎn)品陣容的同時，不斷推進完善SiC 溝槽式MOSFET和SiC -IPM(智能電源模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容與量產(chǎn)化。

　　損耗低，因此發(fā)熱少，可減小冷卻裝置體積，實現(xiàn)設(shè)備整體的小型化

　　據(jù)悉，通過羅姆開發(fā)出的獨創(chuàng)的缺陷控制技術(shù)和篩選法，使可靠性得以確保。另外，針對SiC制備過程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發(fā)生特性劣化，羅姆開發(fā)了控制技術(shù)，于世界首家確立了"全SiC"功率模塊的量產(chǎn)體制。

　　低電壓時防止誤操作功能、熱保護功能、短路保護功能、短路保護時軟關(guān)斷功能

　　日本知名半導體制造商羅姆(ROHM)將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA 2012電力電子、智能運動、可再生能源與能源管理國際展覽會暨研討會”。

　　首次亮相PCIM-ASIA展覽會的羅姆半導體將為觀眾及采購商帶來全新的產(chǎn)品羅姆“全SiC”功率模塊。該模塊內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成，應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、太陽能電池、電動汽車、鐵路等中負責電力轉(zhuǎn)換的變頻器、轉(zhuǎn)換器。
　　同時，羅姆半導體帶來了面向車載“內(nèi)置絕緣元件的門極驅(qū)動”，此款驅(qū)動行業(yè)唯一對應(yīng)SiC的內(nèi)置絕緣元件門極驅(qū)動，有效促進EV、HEV變頻器電路的小型化和低電力消耗。主要應(yīng)用于：EV/HEV/PHEV用變頻器、EV/HEV/PHEV用DC/DC轉(zhuǎn)換器、EV/PHEV用車載充電器。

　特點：①采用羅姆自主研發(fā)的無鐵芯變壓器技術(shù)，內(nèi)置2,500Vrms絕緣元件

　?、谛⌒头庋b：與以往產(chǎn)品相比，封裝面積降低50%以上 SSOP-B20W(6.5mm×8.1mm H=Max2.01mm)

　　③搭載所有車載變頻器電路的保護功能，實現(xiàn)安全設(shè)計：米勒鉗位功能、故障輸出功能、

　　特點:

　　開關(guān)損耗降低85%。內(nèi)置最先進的SiC-SBD與SiC-MOSFET的“全SiC”模塊，

　　與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比，開關(guān)損耗可降低85%

    與傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50%