產(chǎn)品特性：

• 具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）
• 極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性
• 已取得AEC-Q101認(rèn)證
• 具有極低PPM水平

適用范圍：

• 汽車(chē)電子

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出全新汽車(chē)級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車(chē)級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過(guò)了175℃高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試（性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求），同時(shí)具有極低PPM水平。

恩智浦這一全新車(chē)用MOSFET系列中的首批產(chǎn)品將采用D2PAK封裝，電壓級(jí)分別為30V、40V、60V、80V和100V，全部具有出色的導(dǎo)通電阻（RDSon）性能。未來(lái)的Trench 6器件將會(huì)采用其他類(lèi)型車(chē)用封裝形式，包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封裝，以此作為產(chǎn)品組合的重要擴(kuò)展形式，為用戶(hù)提供全面的應(yīng)用靈活性。該系列幾乎覆蓋所有汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域，從簡(jiǎn)單的車(chē)燈照明到精密復(fù)雜的傳動(dòng)、車(chē)身及底盤(pán)等各系統(tǒng)的功率控制。

Trench 6將在前代TrenchMOS器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升開(kāi)關(guān)性能，可在給定導(dǎo)通電阻（RDSon）條件下實(shí)現(xiàn)超低QGD，因此是汽車(chē)DC-DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。恩智浦的汽車(chē)級(jí)功率MOSFET器件還為各類(lèi)產(chǎn)品帶來(lái)真正的邏輯電平變體，這是一項(xiàng)將基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻性能與閾值電壓容限相結(jié)合的重要功能，可確保MOSFET器件在高溫下的正?？刂啤?br />
恩智浦半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Ian Kennedy表示，“我們的Trench 6汽車(chē)級(jí)功率MOSFET器件可以為車(chē)內(nèi)幾乎每個(gè)MOSFET插口提供經(jīng)過(guò)優(yōu)化的、可靠性能極高的解決方案。廣泛嚴(yán)格的測(cè)試表明，Trench 6的構(gòu)架極其簡(jiǎn)單，且在近兩年的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET市場(chǎng)業(yè)績(jī)驕人，一定可以滿(mǎn)足延長(zhǎng)汽車(chē)壽命所需的品質(zhì)和可靠性要求。”