隨著科技的進(jìn)步，EMI所帶來(lái)的問(wèn)題越來(lái)越多，因?yàn)殡娮討?yīng)用正在轉(zhuǎn)向各種無(wú)線通信或者便攜式平臺(tái)，所以大多數(shù)干擾 EMI 信號(hào)最終都以傳導(dǎo) EMI 的形式進(jìn)入到 PCB 線跡中。另外，模擬傳感器電路也成為巨大的 EMI 吸收器，因?yàn)閭鞲衅麟娐烦３．a(chǎn)生低電平信號(hào)，并且有許多高阻抗模擬端口。另外，這些電路使用更加緊湊的組件間隔，其讓系統(tǒng)更容易截獲和傳導(dǎo)噪聲干擾，從而進(jìn)入到線跡中。

在這種情況下，運(yùn)算放大器便會(huì)成為一個(gè)主要目標(biāo)。文中圖 1 所示 EMI 信號(hào)引起 1.5 伏的偏移電壓誤差，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的運(yùn)算放大器有 3 個(gè)低阻抗引腳（正功率、負(fù)功率和輸出）以及 2 個(gè)高阻抗輸入引腳（請(qǐng)參見(jiàn)圖 1a）。盡管這些引腳可以抵抗 EMI 影響，但是輸入引腳最為脆弱。
 

EMIRR 電磁干擾抑制比

電壓反饋放大器的反相和非反相引腳的特性基本相同。但是，非反相輸入（請(qǐng)參見(jiàn)圖 1b）的放大器 EMI 耐受度測(cè)試最為簡(jiǎn)單。
 

方程式 1 中，VRF_PEAK 為所用 RF 電壓的峰值，VOS 為放大器的 DC 偏移電壓，而 100 mVP 為 100 mVP 輸入信號(hào) EMIRR IN+ 參考。
 
可以利用 EMIRR 衡量標(biāo)準(zhǔn)，比較放大器的 EMI 抑制性能。圖 2 顯示了　TI OPA333 CMOS 運(yùn)算放大器的 EMIRR IN+ 響應(yīng)。該圖表明，這種器件可以較好地抑制器件300 kHz帶寬以上的頻率信號(hào)。
 
相比外部 RC 濾波器，集成電路內(nèi)部 EMI 濾波器擁有三個(gè)方面的好處。潛在用戶可以對(duì)包含集成濾波器的放大器的性能進(jìn)行測(cè)試，以保證其在較寬頻率范圍的 EMI 抑制性能(2)。無(wú)源濾波器組件在寄生電容和電感方面并不理想，其限制了濾波器抑制甚高頻噪聲的能力。與之形成對(duì)比的是，集成電路與片上無(wú)源組件的電氣特 性十分匹配。最后，使用內(nèi)部濾波器的集成電路還可以給客戶帶來(lái)其它一些好處，例如：組件數(shù)目更少、成本更低和電路板面積更小等。

為了降低電路的 EMI 敏感度，電路板設(shè)計(jì)人員應(yīng)始終注意使用良好的布局方法。可以通過(guò)讓線跡長(zhǎng)度盡可能的短，使用表面貼裝組件，以及使用具有專用信號(hào)回路接地層的印制電路板 (PCB)，來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)。盡可能地保持接地層完整，并讓數(shù)字信號(hào)遠(yuǎn)離模擬信號(hào)通路。另外，將射頻旁路電容器放置在所有集成電路電源引腳上。讓這些電容 器靠近器件引腳，并確保在潛在 EMI 頻率下其阻抗盡可能地接近 0 歐姆。