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如何針對應用選擇合適的MOSFET驅動器?

發(fā)布時間:2013-08-06 來源:Microchip Technology 公司 責任編輯:eliane

【導讀】隨著MOSFET技術和硅工藝種類增多,選擇一款合適的MOSFET驅動器成為一個具有挑戰(zhàn)性的過程。而針對應用選擇正確的MOSFET驅動器,需要對與MOSFET柵極電荷和工作頻率相關的功耗有透徹的理解。學習了本文,相信一定能夠為你的設計選擇最合適的MOSFET驅動器。

從功能上講,MOSFET驅動器將邏輯信號轉變成較高的電壓和電流,以很短的響應時間驅動MOSFET柵極的開和關。例如,使用MOSFET驅動器可以將一個5V、低電流的單片機輸出信號轉變成一個18V、幾安培的驅動信號來作為功率MOSFET的輸入。

針對應用選擇正確的MOSFET驅動器,需要對與MOSFET柵極電荷和工作頻率相關的功耗有透徹的理解。例如,不管柵極電壓的轉變快或慢,MOSFET柵極充電或放電時所需的能量是相同的。

MOSFET驅動器的功耗性能由以下三個關鍵因素決定:

1 MOSFET柵極電容的充電和放電引起的功耗;
2 MOSFET驅動器靜態(tài)電流引起的功耗;
3 MOSFET驅動器內(nèi)的交越導通(直通)電流引起的功耗。

由MOSFET柵極電容的充電和放電引起的功耗是最重要的,特別是當開關頻率較低時。功耗由式(1)計算得出。其中,Cg是MOSFET的柵極電容;Vdd是MOSFET驅動器的工作電壓(V);F是開關頻率。
選擇合適的MOSFET驅動器:公式1

峰值驅動電流的重要性

除了功耗,設計人員必須理解MOSFET驅動器要求的峰值驅動電流和相關的開關時間。在某一應用中,MOSFET 驅動器和MOSFET的匹配由該應用要求的功率MOSFET的開關速度決定。在任何應用中,最理想的上升或下降時間基于多方面的要求,如電磁干擾(EMI)、開關損耗、引線/電路感應系數(shù)和開關頻率。柵極電容、轉變時間和MOSFET驅動器的額定電流之間的關系由式(2)表示:其中,dT是開/關時間;dV是柵極電壓;C是柵極電容;I是MOSFET峰值驅動電流。
選擇合適的MOSFET驅動器:公式2

MOSFET柵極總電容完全可以由柵極總電荷(QG)決定。柵極電荷QG由式(3)得出:
選擇合適的MOSFET驅動器:公式3

最后得出I=QG/dT。在這種方法中,假定電流是恒定的。有一個不錯的經(jīng)驗是:電流的平均值等于MOSFET驅動器額定峰值電流的二分之一。

MOSFET驅動器的功率由驅動器的輸出峰值電流驅動能力決定。額定峰值電流通常是相對最大偏壓而言的。這就是說,如果使用的MOSFET驅動器的偏壓較低,那么它的峰值電流驅動能力也將被削弱。

例如,所需的MOSFET峰值驅動電流可通過以下供應商數(shù)據(jù)手冊中的設計參數(shù)計算得出。MOSFET柵極電荷為20nC(Q),MOSFET柵極電壓為12V(dV),開/關時間為40ns(dT),可得I=0.5A。

設計人員還可采用另外一種方法來選擇合適的MOSFET驅動器,即時間恒定法。在這種方法中,用到了MOSFET驅動器電阻、任何一個外部柵極電阻和集中電容。
選擇合適的MOSFET驅動器:公式4
這里,Rdriver是輸出驅動器級的導通電阻(RDS-ON);Rgate是驅動器和MOSFET柵極間任何一個外部柵極電阻;Ctotal是柵極總電容;TC是時間常數(shù)的值。例如,
選擇合適的MOSFET驅動器:示例

當式(4)表示一個R-C時間常數(shù)時,采用TC為3意味著充電后,電容充電量達到充電電壓的95%。在柵極電壓達到6V時,大多數(shù)的MOSFET完全處于“開”的狀態(tài)。基于此,TC值為1時(即充電量達到充電電壓的63%時)可能就滿足應用需求了,并且允許使用額定電流更低的驅動器IC。
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電機控制應用中的MOSFET驅動器選擇

讓我們來設計一個示例,即為電機控制應用選擇一個MOSFET驅動器,在電機控制應用中,電機的速度和旋轉方向是變化的。該應用要求用于電機的電壓是可調的。通常,電機類型、功率開關拓撲和功率開關元件將指定必需的柵極驅動電路以實現(xiàn)這種要求。

第一步是為該應用選擇正確的功率開關元件,它由被驅動電機的額定功率來決定。一個需要考慮的重要參數(shù)是啟動電流值,它的值最高可以達到穩(wěn)態(tài)工作電流值的3倍。

在電機驅動應用中,主要有兩種功率開關元件可供選擇——MOSFET和IGBT。如果選擇MOSFET,那么就可以得出柵極驅動應用中MOSFET驅動器的額定功率。

如圖1所示,器件的輸入級把輸入的低電壓信號轉化成電壓覆蓋全范圍(GND到Vdd)的信號。MOSFET Q1和Q2代表的是MOSFET驅動器的上拉和下拉輸出驅動器級。將MOSFET驅動器的輸出級看作MOSFET的一個推挽對,就容易理解它是如何工作的。
圖1 MOSFET驅動器示例的電路框圖
圖1:MOSFET驅動器示例的電路框圖
 
對于同相驅動器,當輸入信號變?yōu)楦邞B(tài)時,Q1和Q2共同的柵極信號被拉低。該柵極節(jié)點的電壓從Vdd轉變到GND所需的時間通常少于10ns。這種快速轉變抑制了在Q1和Q2之間產(chǎn)生交越導通的時間,并且使Q1迅速地達到其完全增強態(tài),以盡快實現(xiàn)峰值電流。除圖1的示例外,還有其他的MOSFET驅動器電路結構。
當電機被驅動時,功率開關元件和柵極驅動電路是已知的,可以根據(jù)上面的公式(4)或公式(5)來選擇MOSFET。

使用電子數(shù)據(jù)表選擇MOSFET驅動器

當選定MOSFET后,可以使用由供應商提供的電子數(shù)據(jù)表來選擇一個合適的MOSFET驅動器,這種便于使用的工具能快速地確定MOSFET驅動器所需峰值電流。

首先,選擇一個MOSFET,并將它的數(shù)據(jù)手冊放在手邊?,F(xiàn)在,在正確的框中填入輸入條件的值,例如MOSFET的源漏電壓(Vds)、MOSFET的柵源電壓(Vgs)、MOSFET驅動器電壓(Vdd)、開關頻率、占空比、預估的上升時間(tr)和柵極總電荷(QG)。于是就能計算出MOSFET驅動器的峰值輸出電流IPK。根據(jù)IPK的值就能確定合適的、具有成本效益的MOSFET驅動器。選定MOSFET驅動器后,工具能夠計算出器件的功耗和允許的最大工作環(huán)境溫度,此處假定熱損耗不計。

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