【導(dǎo)讀】IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。那么如何讓IGBT性能更好，跑的更快呢？請看本文分享~
GBT關(guān)斷損耗大；拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方面構(gòu)成：
1）IGBT的主導(dǎo)器件—GTR的基區(qū)儲存電荷問題。
2）柵寄生電阻和柵驅(qū)動電荷；構(gòu)成了RC延遲網(wǎng)絡(luò)，造成IGBT延遲開和關(guān)。
這里；首先討論原因一的解決方法。解決電路見圖（1）
IGBT的GTR是利用基區(qū)N型半導(dǎo)體，在開通時；通過施加基極電流，使之轉(zhuǎn)成P型，將原來的PNP型阻擋區(qū)變?yōu)镻-P-P通路。為保證可靠導(dǎo)通；GTR是過度開通的完全飽和模式。
所謂基區(qū)儲存效應(yīng)造成的拖尾；是由于GTR過度飽和，基區(qū)N過度轉(zhuǎn)換成P型。在關(guān)斷時；由于P型半導(dǎo)體需要復(fù)合成本征甚至N型，這一過程造成了器件的拖尾。
該電路采用準飽和驅(qū)動方式；讓IGBT工作在準飽和模式下。IGBT預(yù)進入飽和；驅(qū)動電壓就會被DC拉低；使之退出飽和狀態(tài)；反之IGBT驅(qū)動電壓上升，VCE下降；接近飽和。對于標準IGBT；這電路可以保證，IGBT的導(dǎo)通壓降基本維持在3.5V水平，即IGBT工作在準線性區(qū)。這樣IGBT的GTR的基極就不會被過驅(qū)動，在關(guān)斷時；幾乎沒有復(fù)合過程。這樣器件的拖尾問題就幾乎解決了！現(xiàn)在；唯一存在的問題是IGBT的通態(tài)壓降略高。
這種方式；已經(jīng)在邏輯IC里盛行?，F(xiàn)在的超高速邏輯電路都是這結(jié)構(gòu)。包括你電腦中的CPU！哈哈！你已享用此原理，其實；你不知道！
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